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LTE頻段多,3G/4G手機RF射頻前端如何破?

發(fā)布時(shí)間:2013-07-13 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責任編輯:Cynthiali

【導讀】現在,一部手機需支持3G/4G等不同制式,同一制式還需支持不同頻段。進(jìn)入LTE時(shí)代,頻段越來(lái)越多,一部手機往往需要多顆不同頻段不同制式的功率放大器、濾波器與雙工器。在非常小的體積內,要滿(mǎn)足射頻前端的需求,還要不犧牲性能,怎么破?

為了實(shí)現超小的尺寸和更快的上市時(shí)間,手機制造商希望采用采用經(jīng)過(guò)驗證和測試的集成無(wú)線(xiàn)電模塊,和小尺寸、簡(jiǎn)化的RF硬件方案,為其他高端功能節省空間。所以復雜的RF前端模擬、數字和高頻電路需要達到更高級別的集成。而且,更多傳統的高頻功能將由數字電路來(lái)處理。對于模擬功能的集成,對策一般是使用多模多頻段工作的PA,即以1~2個(gè)功放,完成以前6個(gè)功放同樣的功能。

在手機射頻前端應用上,有源PA的頻段比較多,每一頻段都要若干個(gè)放大器支持,所以有很多頻段的時(shí)候需要放很多PA。如何集成這些不同頻段和制式的功率放大器是業(yè)界一直在研究的重要課題。

目前有兩種方案:一種是融合架構,將不同頻率的射頻功率放大器PA集成;另一種架構則是沿信號鏈路的集成,即將PA與雙工器集成。兩種方案各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的手機。融合架構,PA的集成度高,對于3個(gè)以上頻帶巨有明顯的尺寸優(yōu) 勢,5-7個(gè)頻帶時(shí)還巨有明顯的成本優(yōu)勢。缺點(diǎn)是雖然PA集成了,但是雙工器仍是相當復雜,并且PA集成時(shí)有開(kāi)關(guān)損耗,性能會(huì )受影響。而對于后一種架構,性能更好,功放與雙功器集成可以提升電流特性,大約可以節省幾十毫安電流,相當于延長(cháng)15%的通話(huà)時(shí)間。所以,業(yè)內人士的建議是,大于6個(gè)頻段時(shí)(不算 2G,指3G和4G)采用融合架構,而小于四個(gè)頻段時(shí)采用PA與雙工器集成的方案PAD。目前TriQuint可提供兩種架構的方案,RFMD主要偏向于融合PA的架構,Skyworks偏向于多頻PAD方案。
                    LTE頻段多,3G/4G手機RF射頻前端如何破?

而在簡(jiǎn)化4G射頻設計的過(guò)程中,兩個(gè)趨勢也越來(lái)越明顯的顯示出來(lái):

第一個(gè)趨勢:多頻多模放大器(MMPA)

目前智能手機面臨15種制式、12-13個(gè)頻段共存的局面。能否把PA做成寬頻,把這些頻段都覆蓋了。原則上1G附近,即800M,850M,900M附近,甚至700M,可以共用一條鏈路。2G附近,1.8G、1.9G、2.1G、2.4G、2.6G,可以做1個(gè)或者2個(gè)PA,把這些頻段都覆蓋了。MMPA將會(huì )是一個(gè)新的高成長(cháng)市場(chǎng),其最大商機是中、高端智能手機,這類(lèi)手機使用大量頻帶和模式來(lái)確保漫游期間的語(yǔ)音和數據服務(wù)可用性。比如,TriQuint的MMPA,配有一個(gè)具有低和高功率模式增益狀態(tài)的WCDMA功率放大器,在整個(gè)范圍的操作條件下最大限度地提高通話(huà)時(shí)間。每款與一個(gè)耦合器和頻帶分布開(kāi)關(guān)完全匹配,是當今小型數據功能手機的理想選擇。此5x7 mm、高度集成的模塊提供了一個(gè)超小的外形尺寸,縮小產(chǎn)品的整體面積 同時(shí)減少外部元件數量、減少組裝成本、加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

第二個(gè)趨勢:特殊性能的濾波器

濾波器是機械波的裝置,不能調頻率不像PA,可以調到2.1G,可以調到1.8G。原則上每個(gè)頻率都要一個(gè)濾波器。LTE下濾波器數量增加非常多,而且不同頻道之間的距離非常小,相互干擾,相互限制,對濾波器性能提出更高的要求。共存濾波器,特別是TD-LTE寬頻下很有挑戰性。濾波器技術(shù)方面出現了一些創(chuàng )新,其中一種新技術(shù)叫體聲波(BAW),不同于以往的聲表面波(SAW)。BAW的特性在于更低的插入損耗、更陡峭的斜坡曲線(xiàn)、更有效的近頻抑制,以及更優(yōu)異的體積以及它的能量密度(單位面積傳輸的能量),進(jìn)而提升產(chǎn)品性能。比如,TriQuint利用BAW技術(shù)的優(yōu)勢來(lái)支持以下頻帶:頻帶3、頻帶7、頻帶25、頻帶38、頻帶40、頻帶41以及Wi-Fi共存濾波器。

下頁(yè)內容:RF 前端的集成趨勢帶來(lái)的挑戰和對策
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RF 前端的集成趨勢帶來(lái)的挑戰

從上文可以看出,RF前端的集成趨勢帶來(lái)如下挑戰:

一:如何保持現在用分立方案實(shí)現的所有電性能參數。如果性能大打折扣,集成就沒(méi)有意義了。
二:如何提供更高的線(xiàn)性度和效率。
三:如何提供相應的集成和工藝新技術(shù),包括GaAsBiHEMT、倒裝芯片模塊等。
四:如何解決附加頻段對濾波器提出的挑戰。
五:如何保持合理的成本

解決辦法唯有各個(gè)擊破。業(yè)內人士表示:“只有使用先進(jìn)的技術(shù)資源、積累多年的放大器設計經(jīng)驗以及創(chuàng )新和可靠的設計技術(shù),才可能開(kāi)發(fā)‘改變游戲規則’的解決方案。”
  
對于成本問(wèn)題,可通過(guò)以下三方面來(lái)解決:一是將芯片做小,不過(guò)PA是大功率器件,做小后散熱很難,而采用砷化稼工藝的能量密度比 LDMOS工藝的高、更有優(yōu)勢。二是制程突破,應用于手機的PA一般采用6英寸晶圓,其他領(lǐng)域是4英寸,如果手機用PA全部采用6英寸晶圓,成本將會(huì )進(jìn)一步下降。三是用戶(hù)量,如果需求量大的話(huà),則測試封裝成本都會(huì )隨之下降。

破解多頻段多制式下的RF射頻前端集成問(wèn)題,還有更好的方法么?

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