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電動(dòng)汽車(chē)電源轉換器的藍圖

發(fā)布時(shí)間:2024-08-15 責任編輯:lina

【導讀】隨著(zhù)內燃機作為汽車(chē)主要動(dòng)力源的時(shí)代逐漸消逝,汽車(chē)行業(yè)青睞電動(dòng)機作為替代選擇。反過(guò)來(lái),汽車(chē) OEM 也希望半導體行業(yè)能夠提供實(shí)現電氣化未來(lái)所需的電子創(chuàng )新。純電動(dòng)汽車(chē) (BEV) 是,每個(gè)人都希望在必要的知識方面處于地位,以使其盡可能具有吸引力。然而,許多人對汽車(chē)內的設備和功能過(guò)于興奮,而汽車(chē)續航里程和充電仍然是主要問(wèn)題。


隨著(zhù)內燃機作為汽車(chē)主要動(dòng)力源的時(shí)代逐漸消逝,汽車(chē)行業(yè)青睞電動(dòng)機作為替代選擇。反過(guò)來(lái),汽車(chē) OEM 也希望半導體行業(yè)能夠提供實(shí)現電氣化未來(lái)所需的電子創(chuàng )新。純電動(dòng)汽車(chē) (BEV) 是,每個(gè)人都希望在必要的知識方面處于地位,以使其盡可能具有吸引力。然而,許多人對汽車(chē)內的設備和功能過(guò)于興奮,而汽車(chē)續航里程和充電仍然是主要問(wèn)題。

寬帶隙 (WBG) 技術(shù)(例如碳化硅 (SiC))受益于汽車(chē)電源的這種變化,并且比我們以前依賴(lài)的傳統功率器件(例如 IGBT)具有顯著(zhù)優(yōu)勢。無(wú)源元件制造商也在努力。電感器的創(chuàng )新有助于確保 WBG 作為更快開(kāi)關(guān)拓撲的優(yōu)勢,從而提供更大的范圍和更快、更可靠的充電技術(shù)。

所有這些都有切實(shí)的需求支撐。電動(dòng)汽車(chē)的收入預計將在 2024 年達到 6200 億美元以上,并以每年 10% 的速度增長(cháng),到 2020 年,道路上將增加 1300 多萬(wàn)輛電動(dòng)汽車(chē)。隨著(zhù)新一代 SiC MOSFET 的發(fā)布和改進(jìn)的無(wú)源器件的定期推出,大多數工程師都會(huì )想知道如何有效且高效地評估它們的優(yōu)勢。

電動(dòng)汽車(chē)電源轉換器模塊的共性

重點(diǎn)領(lǐng)域之一是電動(dòng)汽車(chē)充電。純電動(dòng)汽車(chē)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV) 均配備車(chē)載充電器(OBC),支持 3.6 kW 至 22 kW 的功率范圍。這些充電器可通過(guò)家中、路邊或停車(chē)場(chǎng)的專(zhuān)用壁掛式充電箱或充電站提供交流電。對于停在家中或工作場(chǎng)所的車(chē)輛,在汽車(chē)停放時(shí)充電是理想的選擇。對于長(cháng)途旅行,直流充電器可在途中提供快速充電。這些充電器可提供 40 – 300 kW 甚至更高的功率,繞過(guò) OBC,在大約 20 到 60 分鐘內提供 80% 的電量。

兩種充電器的基本結構相同。交流電被饋入功率因數校正 (PFC) 單元,然后由 DC/DC 轉換器為車(chē)輛電池的充電電路供電(圖 1)。


電動(dòng)汽車(chē)電源轉換器的藍圖圖 1. 電動(dòng)汽車(chē)充電系統的基本模塊。


功率效率對于減少散熱和節省能源至關(guān)重要,而可用空間和設計重量目標則對功率密度要求施加壓力。此外,電動(dòng)汽車(chē)被視為平衡電網(wǎng)干擾(車(chē)輛到電網(wǎng),V2G)甚至在緊急情況下為家庭供電(車(chē)輛到家庭,V2H)的潛在電源。充電器需要雙向拓撲,這讓我們走向圖騰柱式 PFC、雙有源橋 (DAB) 和 LLC DC/DC 轉換器。所有這些拓撲都使用橋臂,而從電動(dòng)汽車(chē)的電機逆變器來(lái)看,這種電子元件也出現在那里。


電動(dòng)汽車(chē)電源轉換器的藍圖圖 2. 橋臂在 PFC、DC/DC 和逆變器設計中很常見(jiàn)。圖片由Bodo’s Power Systems提供 


探索基于 SiC 的設計的模塊化方法

所討論的拓撲結構都不容易設計,測試期間會(huì )產(chǎn)生高電壓和電流。但是,這些拓撲結構中重復的電路元件提供了使用模塊化快速評估不同方法的機會(huì )。例如,輸入電感器、單橋臂和輸出電容器可以在 PFC 電路內隔離。然后可以將輸入和輸出電壓和電流測量以及 SiC MOSFET 的控制分配給執行系統控制的第四個(gè)元件。為此,專(zhuān)用于數字電源轉換器應用的微控制器是理想的選擇(圖 3)。


電動(dòng)汽車(chē)電源轉換器的藍圖圖 3.  PFC 可分解為輸入電感器、輸出電容器、橋臂和控制塊。許多塊也用于 DC/DC 轉換器和電機逆變器。圖片由Bodo’s Power Systems  [PDF]提供


這是東芝為探索在滿(mǎn)足功率水平要求的同時(shí)創(chuàng )建緊湊型設計的模塊化電動(dòng)汽車(chē)充電器參考設計概念(圖 4)而開(kāi)展的可行性研究所采用的方法。它將設計分解為七個(gè)印刷電路板 (PCB)。其是開(kāi)關(guān)板,該開(kāi)關(guān)板具有四個(gè) SiC MOSFET,采用三級中性點(diǎn)鉗位 (NPC) 設計。這支持在開(kāi)關(guān)之間共享熱負載和電壓應力,并減少電感器上的伏秒紋波。兩個(gè) SiC 肖特基勢壘二極管 (SBD)、四個(gè)柵極驅動(dòng)器和一個(gè)復雜可編程邏輯器件 (CPLD) 可產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)和所需的四個(gè)控制信號,完善了設計。

SiC MOSFET包括一個(gè)片上集成內置肖特基勢壘二極管 (SBD),其正向電壓僅為 1.35V。這種集成 SBD 是限制工作壽命內導通電阻變化的關(guān)鍵。R DS(ON) × Q gd(柵極漏極電荷)也比第二代 SiC 器件低 80%,而更寬的 V GSS額定值(-10V 至 +25V)簡(jiǎn)化了柵極驅動(dòng)器電路設計。

與任何電源轉換器一樣,需要在應用的整個(gè)使用壽命內對開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制。這是使用光隔離 TLP5214 柵極驅動(dòng)器實(shí)現的,該驅動(dòng)器可提供 ±4.0A 輸出以實(shí)現快速切換,然后與東芝的第三代 SiC MOSFET 配對。該驅動(dòng)器還具有集成有源米勒鉗位,可避免寄生 dV/dt 觸發(fā)導通。

利用緊湊型立方體 PFC 設計的功能

為了在所需功率水平下實(shí)現緊湊的立方體設計,在高電流路徑中使用銅軌和將電路板固定在一起的機械金屬墊片實(shí)現互連。這會(huì )導致實(shí)現的寄生電感增加,從而限制了可以使用的開(kāi)關(guān)速度,但保持了 PCB 技術(shù)的簡(jiǎn)單性。


電動(dòng)汽車(chē)電源轉換器的藍圖圖 4.  SiC Cube PFC 設計中的載流機械互連和銅軌細節。圖片由Bodo’s Power Systems提供 [PDF]


電感器和電容器板(圖 5)都具有相同的電流和電壓測量電路。電流使用霍爾傳感器測量,而電壓使用 TLP7820 隔離運算放大器差分測量。在輸入端,它們使用 sigma-delta 模數 (ADC) 轉換器來(lái)驅動(dòng) LED。產(chǎn)生的光信號通過(guò) 1 位數模轉換器 (DAC) 和低通濾波器轉換后輸入放大器。這種方法提供高增益精度 (±0.5%)、小增益漂移 (0.00012 V/°C) 和低非線(xiàn)性 (V IN = ±200 mV 時(shí)為 0.02%)。TLP7820 已獲??得 UL/cUL 和 VDE/CQC 批準。


電動(dòng)汽車(chē)電源轉換器的藍圖 圖 5. 電容板和電感板都具有相同的電流和電壓測量電路。圖片由Bodo’s Power Systems提供 [PDF]


橫跨橋臂、電容器和電感器板的是控制器板,該板具有 TXZ+ Arm Cortex-M4F 微控制器。它特別適合數字電源控制的原因在于其先進(jìn)的脈沖寬度調制 (PWM) 模塊,其中包括具有死區時(shí)間控制的三相互補輸出。此外,它可以在硬件中與 12 位片上 ADC 進(jìn)行的模擬測量同步。還提供三個(gè)增益可選的運算放大器。微控制器還具有矢量引擎塊,可以卸載和加速復雜的計算,如正弦和余弦以及 Clarke 和 Park 變換,這對 PFC 和電機逆變器應用也大有裨益。

高功率密度,可重復使用

利用的 SiC MOSFET 技術(shù),這種緊湊型長(cháng)方體 PFC 設計旨在以 0.99 的功率因數和高達 99% 的效率提供 22 kW 的功率。其尺寸為 140 × 140 × 210 mm3 ,相當于 3 kW/dm3 的功率密度。由于其模塊化,橋臂 SiC MOSFET、電容器、電感器和微控制器板可以輕松地在其他電源轉換器應用中試用,從而減輕開(kāi)發(fā)負擔。通過(guò)創(chuàng )建這種模塊化設計概念,東芝旨在支持新接觸 WBG 技術(shù)的開(kāi)發(fā)團隊,并探索 SiC MOSFET 的穩健性、工作溫度下的較低 RDS(ON) 和更高的開(kāi)關(guān)頻率能力,對許多人來(lái)說(shuō),這仍然是一項新技術(shù)。


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