導讀：估計很多新手工程師在設計開(kāi)關(guān)電源計算變壓器時(shí)發(fā)現，把電源的開(kāi)關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說(shuō)可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開(kāi)關(guān)頻率無(wú)限制提高來(lái)無(wú)限制縮小變壓器的體積。
估計很多新手工程師在設計開(kāi)關(guān)電源計算變壓器時(shí)發(fā)現，把電源的開(kāi)關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說(shuō)可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開(kāi)關(guān)頻率無(wú)限制提高來(lái)無(wú)限制縮小變壓器的體積。
但實(shí)際上一般開(kāi)關(guān)電源的頻率都不會(huì )特別高，也不可能使頻率無(wú)限提高，其中到底有哪些原因？請看下文！
器件限制、損耗、EMI、PCB布局難度提升等問(wèn)題都是制約開(kāi)關(guān)頻率無(wú)限提升的因素，下面稍微展開(kāi)來(lái)講一下！
器件的限制
對于一個(gè)開(kāi)關(guān)管來(lái)說(shuō)，在實(shí)際應用中，不是給個(gè)驅動(dòng)就開(kāi)，驅動(dòng)撤掉就關(guān)了。它有開(kāi)通延遲時(shí)間（tdon），上升時(shí)間（tr），關(guān)斷延遲時(shí)間（tdoff），下降時(shí)間tf，對應的波形如下：
通俗的講，開(kāi)關(guān)管開(kāi)通關(guān)斷不是瞬間完成的，需要一定的時(shí)間，開(kāi)關(guān)管本身的開(kāi)關(guān)時(shí)間就限制了開(kāi)關(guān)頻率的提升。
曾經(jīng)筆者在delta用在3kW的逆變器上的一款600V的coolmos為例?？纯催@些具體的開(kāi)關(guān)時(shí)間是多少？
那么對于這個(gè)mos管來(lái)說(shuō)，它的極限開(kāi)關(guān)頻率(在這種極限情況下，mos管剛開(kāi)通就關(guān)斷)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz，當然，在實(shí)際應用中，由于要調節占空比，不可能讓開(kāi)關(guān)管一開(kāi)通就關(guān)斷，所以實(shí)際的極限頻率是遠低于8.6MHz的，所以器件本身的開(kāi)關(guān)速度是限制開(kāi)關(guān)頻率的一個(gè)因素。
開(kāi)關(guān)損耗
當然，隨著(zhù)器件的進(jìn)步，開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)的速度越來(lái)越快，尤其是在低壓小功率場(chǎng)合，如果僅考慮器件本身的開(kāi)關(guān)速度，開(kāi)關(guān)頻率可以run得非常高，但實(shí)際并沒(méi)有，限制就在開(kāi)關(guān)損耗上面。
下面給出開(kāi)關(guān)管實(shí)際開(kāi)通的時(shí)候對應的波形圖。
可以看到，開(kāi)關(guān)管每開(kāi)通一次，開(kāi)關(guān)管DS的電壓（Vds）和流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流（Id）會(huì )存在交疊時(shí)間，從而造成開(kāi)通損耗，關(guān)斷亦然。假設每次開(kāi)關(guān)管每開(kāi)關(guān)一次產(chǎn)生的能量損耗是一定的，記為Esw，那么開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗功率就為Psw=Esw*fs，顯然，開(kāi)關(guān)頻率越高，開(kāi)關(guān)損耗越大。5M開(kāi)關(guān)頻率下開(kāi)關(guān)損耗比500K要大10倍，這對于重視效率的開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，顯然是不可接受的。所以，開(kāi)關(guān)損耗是限制開(kāi)關(guān)頻率的第二因素。
開(kāi)關(guān)損耗確實(shí)是限制因素之一，但是氮化鎵器件的推出已經(jīng)讓開(kāi)關(guān)損耗在1-3Mhz這個(gè)范圍內變得可以接受，我下面附一張圖片，這是三家公司推出的650V的GaN device，可以看出最好的管子開(kāi)通損耗已經(jīng)4uJ，關(guān)斷損耗在8uJ(測試條件在400V, 12A)，甚至有家公司的650V的管子基本可以和Transphorm平齊。而同電壓電流等級的硅器件很多管子都還在以mJ為單位。
下面在貼出一張低壓氮化鎵和硅器件的比較，可以看出，總體來(lái)說(shuō)，驅動(dòng)損耗也會(huì )變得很小。
還有一點(diǎn)很重要，寬禁帶半導體的工作結溫很高，以目前的工藝來(lái)說(shuō)，Sic的結溫可以工作到200°，氮化鎵可以工作到150°。而硅器件呢，我覺(jué)得最多100°就不得了。結溫高，意味著(zhù)相同損耗下，需要給寬禁帶半導體設計的散熱器表面積要小很多，何況寬禁帶半導體的損耗本身還小。
是開(kāi)關(guān)頻率的提高，往往只能使用QFN或者其他一些表貼器件減少封裝寄生參數，這給散熱系統帶來(lái)了極大的挑戰，原來(lái)To封裝可以加散熱器，減少到空氣對流的熱阻，而現在不行了。所以如果想在高頻下工作，第一問(wèn)題就是解決散熱，把高開(kāi)關(guān)損耗導出去，尤其是在kW級別，散熱系統非常重要?，F在學(xué)界解決這個(gè)問(wèn)題的手段偏向于把器件做成獨立封裝，采用一種叫DCB的技術(shù)，用陶瓷基板散熱，器件從陶瓷上表面到下表面的熱阻基本為0.4°C/W（有些人也用metal core PCB, 但是要加絕緣層，熱阻一般在4°C/W），而FR4為20°C/W。
半導體不斷在發(fā)展，開(kāi)關(guān)損耗也在顯著(zhù)下降，而封裝越來(lái)越小，現在來(lái)看，我們要做的是怎么把那些熱量從那么小的表貼封裝下散出去。
磁元件損耗
繞組的趨膚效應和臨近效應。在變壓器的高頻工作時(shí)，影響更加嚴重。會(huì )引起較大的繞組渦流耗損，當然開(kāi)關(guān)頻率提高，繞組的匝數會(huì )降低。相應的繞組交流阻抗變大了，但是繞線(xiàn)長(cháng)度減少了。問(wèn)題貌似也不會(huì )很大，諧振半橋應用，我們經(jīng)常會(huì )選200KHZ的頻率。這樣磁性元件的體積和耗損，是一個(gè)比較合適的范圍。
變壓器的鐵損主要由變壓器渦流損耗產(chǎn)生，如下圖所示，給線(xiàn)圈加載高頻電流時(shí)，在導體內和導體外產(chǎn)生了變化的磁場(chǎng)垂直于電流方向(圖中1→2→3和4→5→6)。根據電磁感應定律，變化的磁場(chǎng)會(huì )在導體內部產(chǎn)生感應電動(dòng)勢，此電動(dòng)勢在導體內整個(gè)長(cháng)度方向(L面和N面)產(chǎn)生渦流(a→b→c→a和d→e→f→d)，則主電流和渦流在導體表面加強，電流趨于表面，那么，導線(xiàn)的有效交流截面積減少，導致導體交流電阻(渦流損耗系數)增大，損耗加大。
如下圖所示，變壓器鐵損是和開(kāi)關(guān)頻率的kf次方成正比，又與磁性溫度的限制有關(guān)，所以隨著(zhù)開(kāi)關(guān)頻率的提高，高頻電流在線(xiàn)圈中流通產(chǎn)生嚴重的高頻效應，從而降低了變壓器的轉換效率，導致變壓器溫升高，從而限制開(kāi)關(guān)頻率提高。
軟開(kāi)關(guān)的困難
題主提到了軟開(kāi)關(guān)，沒(méi)錯，軟開(kāi)關(guān)確實(shí)是解決開(kāi)關(guān)損耗的有力手段。而在各種研究軟開(kāi)關(guān)的paper上，提出了無(wú)數種讓人眼花繚亂的軟開(kāi)關(guān)方案，似乎軟開(kāi)關(guān)能解決一切問(wèn)題。但是實(shí)際工程應用和理論分析不同，實(shí)際工程追求的是低成本，高效率，高可靠性，那些需要添加一堆輔助電路，或者要非常精確控制的軟開(kāi)關(guān)方案在實(shí)際工程中其實(shí)都是不太被看好的，所以即使到現在，在工業(yè)界最常應用軟開(kāi)關(guān)的拓撲也只要移相全橋和一些諧振的拓撲（比如LLC），至于題主提到的flyback,沒(méi)錯，我也聽(tīng)說(shuō)過(guò)有準諧振的flyback（但沒(méi)研究過(guò)），但即使有類(lèi)似的方案，對于能不能真正工程應用，題主也需要從我上面提到的幾個(gè)問(wèn)題去考量一下。
ps，對于小功率高頻電源，現在class E非?；?，我覺(jué)得它火的原因就是電路簡(jiǎn)單，所以才能被工業(yè)界接受，題主有興趣可以去研究下。
高頻化帶來(lái)的一系列問(wèn)題
假設上面的一系列問(wèn)題都解決了，真正做到高頻化還需要解決一系列工程上的問(wèn)題，比如在高頻下，電路的寄生參數往往會(huì )嚴重影響電源的性能（如變壓器原副邊的寄生電容，變壓器的漏感，PCB布線(xiàn)之間的寄生電感和寄生電容等等），造成一系列電壓電流波形震蕩和EMI的問(wèn)題，如何消除寄生參數的影響，甚至進(jìn)一步地，如何利用寄生參數為電路服務(wù)，都是有待研究的問(wèn)題。
ps，對于高頻化應用的實(shí)際工程應用的問(wèn)題，還有很重要的一塊是高頻驅動(dòng)電路的設計。
當然，隨著(zhù)新器件（SiC, GaN）的興起，開(kāi)關(guān)電源高頻化的研究方興未艾，開(kāi)關(guān)電源的高頻化一定是趨勢，而且有望給電力電子帶來(lái)又一次革命。讓我們拭目以待。
EMI和干擾，pcb布局難度增大
在我接觸EMI前，很多老工程師以他們有豐富的EMI調試經(jīng)驗來(lái)鄙視我們這些菜鳥(niǎo)，搞的我一直以為EMI是門(mén)玄學(xué)，也有很多人動(dòng)不動(dòng)就拿EMI出來(lái)嚇人。我想說(shuō)EMI確實(shí)很難理解，很難有精確的紙面設計，但是通過(guò)研究我們還是能知道大概趨勢指導設計，而不是一些工程嘴里完全靠trial and error的流程。我先給出結論，EMI確實(shí)和開(kāi)關(guān)頻率不成線(xiàn)性關(guān)系，某些開(kāi)關(guān)頻率下，EMI濾波器的轉折頻率較高，但是總體趨勢而言，是開(kāi)關(guān)頻率越高，EMI體積越??！
我知道很多人可能開(kāi)始噴我了，怎么可能，di/dt和dv/dt都大了，怎么可能EMI濾波體積還小了。我想說(shuō)一句，共模和差模濾波器的沒(méi)有區別，相同的截止頻率下，高頻的衰減更大！就算你高頻下共模噪聲越大，但是你的記住，這個(gè)頻率下LC濾波器的衰減更大，想想幅頻曲線(xiàn)吧。為了說(shuō)明這個(gè)結論，我給出一些定量分析結果。這些EMI分析均基于A(yíng)C/DC三相整流，拓撲為維也納整流。我分別給出了1Mhz和500Khz的共模噪聲，可以看出，500khz共模濾波器需要的截止頻率為19.2kHz，1MHz為31.2kHz。
這張圖給出了不同頻率下共模和差模濾波器轉折頻率的關(guān)系，可以看出，一些低頻點(diǎn)EMI濾波器體現出了非常好的特性。例如70Khz，140Khz。而這兩個(gè)開(kāi)關(guān)頻率是工業(yè)界常用的兩個(gè)開(kāi)關(guān)頻率，非常討巧，因為EMI噪聲測試是150KHz到30MHz。不過(guò)這個(gè)也與拓撲有關(guān)。
假設上述的功率器件損耗解決了，真正做到高頻還需要解決一系列工程問(wèn)題，因為在高頻下，電感已經(jīng)不是我們熟悉的電感，電容也不是我們已知的電容了，所有的寄生參數都會(huì )產(chǎn)生相應的寄生效應，嚴重影響電源的性能，如變壓器原副邊的寄生電容、變壓器漏感，PCB布線(xiàn)間的寄生電感和寄生電容，會(huì )造成一系列電壓電流波形振蕩和EMI問(wèn)題，同時(shí)對開(kāi)關(guān)管的電壓應力也是一個(gè)考驗。
小結
不是開(kāi)關(guān)頻率越高，功率密度就越高，目前這個(gè)階段來(lái)說(shuō)真正阻礙功率密度提高的是散熱系統和電磁設計（包括EMI濾波器和變壓器）和功率集成技術(shù)。
慎重選擇開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)關(guān)頻率會(huì )極大的影響整個(gè)變化器的功率密度，而且針對不同器件，拓撲，最佳的開(kāi)關(guān)頻率是變化的。
高頻確實(shí)產(chǎn)生很多很難解決的干擾問(wèn)題，往往要找到干擾回路，然后采取一些措施。
為了繼續維持電力電子變換器功率密度的增長(cháng)趨勢，高頻肯定是趨勢。只是針對高頻設計的電力電子技術(shù)很不成熟，相關(guān)配套芯片沒(méi)有達到要求，一些高頻的電磁設計理論不完善和精確，使用有限元軟件分析將大大增加開(kāi)發(fā)周期。
要提高開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度，首先考慮的是提高其開(kāi)關(guān)頻率，能有效減小變壓器、濾波電感、電容的體積，但面臨的是由開(kāi)關(guān)頻率引起的損耗，而導致溫升散熱設計難，頻率的提高也會(huì )導致驅動(dòng)、EMI等一系列工程問(wèn)題。
（來(lái)源：電子工程專(zhuān)輯）
免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
