【導讀】在逆變器電路中，開(kāi)關(guān)器件的反向恢復時(shí)間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”進(jìn)行仿真，以確認trr對逆變器電路的影響。
逆變器電路的優(yōu)化
● 在選擇逆變器電路中的開(kāi)關(guān)器件時(shí)，要選擇trr小的產(chǎn)品，這一點(diǎn)很重要。
● 如果逆變器電路中的開(kāi)關(guān)器件的trr大，則開(kāi)關(guān)損耗會(huì )增加。
● 如果逆變器電路中的開(kāi)關(guān)器件是MOSFET，請仔細確認內部二極管的trr特性。
01 反向恢復時(shí)間trr對逆變器電路的影響
在逆變器電路中，開(kāi)關(guān)器件的反向恢復時(shí)間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用“ROHM Solution Simulator”的“Power Device Solution Circuit”進(jìn)行仿真，以確認trr對逆變器電路的影響。
02 仿真所用的逆變器電路
作為示例，我們使用上一篇文章中給出的Power Device Solution Circuit一覽表中的逆變器電路“B-6. 3-Phase 3-Wire Inverter Vo=200V Po=5kW”（圖1）。更改該逆變器電路的開(kāi)關(guān)器件（黃色框）并進(jìn)行仿真，以確認trr的影響。
圖1：Power Device Solution Circuit逆變器電路B-6. 3-Phase 3-Wire Inverter Vo=200V Po=5kW
03 trr特性在逆變器電路中的重要性
圖2顯示了圖1的逆變器電路中開(kāi)關(guān)時(shí)的電流路徑。
在逆變器電路中，為了調整供給的功率，通過(guò)PWM和PFM等的控制，使High side（高邊）和Low side（低邊）的器件交替ON/OFF。圖2中的①～⑤表示其工作過(guò)程，并反復進(jìn)行該工作過(guò)程。
著(zhù)眼點(diǎn)在于從④到⑤的工作中，由于反向恢復電流在High side從OFF變?yōu)镺N的時(shí)間點(diǎn)流過(guò)Low side的內部二極管，因此，直通電流會(huì )從High side流向Low side（紅色所示）。
圖2：開(kāi)關(guān)時(shí)的電流路徑
該反向恢復電流對續流側器件（Low side）本身的損耗影響很小，但如圖3所示，對于開(kāi)關(guān)側器件（High side），由于在VDS變化之前這種反向恢復電流會(huì )疊加在正常的開(kāi)關(guān)電流中，從而會(huì )造成非常大的導通損耗。因此，在逆變器電路中，要選擇trr小的開(kāi)關(guān)器件，這一點(diǎn)很重要。
圖3：開(kāi)關(guān)側器件（High side）的導通波形示例以及trr的大小與開(kāi)關(guān)損耗之間的關(guān)系
04 trr特性差異帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗比較
圖4是在圖1的逆變器電路中，使用面向普通開(kāi)關(guān)應用的超級結MOSFET R6047KNZ4作為開(kāi)關(guān)器件時(shí)，以及使用以?xún)戎枚O管的高速trr著(zhù)稱(chēng)的PrestoMOS? R6050JNZ4時(shí)（圖1的黃色框）的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)波形仿真結果。
圖4：不同trr特性的開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)損耗和波形比較（仿真）
如仿真波形所示，由于trr特性的差異，導通損耗存在顯著(zhù)差異。與R6047KNZ4相比，內部二極管具有高速trr特性的R6050JNZ4的導通損耗降低至約1/5。順便提一下，R6047KNZ4的內部二極管的trr為700ns（Typ.），R6050JNZ4為120ns（Typ.），不到1/5。
此外，在分析整個(gè)逆變器電路工作期間開(kāi)關(guān)器件（MOSFET）的損耗時(shí)，如圖5所示，可以看出trr對損耗具有很大影響。
圖5：普通開(kāi)關(guān)MOSFET和高速trr MOSFET的損耗分析
根據該結果，可以說(shuō)在選擇逆變器電路中的開(kāi)關(guān)器件時(shí)，要選擇內部二極管具有高速trr的產(chǎn)品，這一點(diǎn)很重要。
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