【導讀】近年來(lái)，為了實(shí)現“碳中和”等減輕環(huán)境負荷的目標，需要進(jìn)一步普及下一代電動(dòng)汽車(chē)（xEV），從而推動(dòng)了更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)系統的開(kāi)發(fā)。尤其是在電動(dòng)汽車(chē)（EV）領(lǐng)域，為了延長(cháng)續航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動(dòng)核心作用的電控系統的效率已成為一個(gè)重要課題。SiC（碳化硅）作為新一代寬禁帶半導體材料，具備高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨特優(yōu)勢。因此，業(yè)內對碳化硅功率元器件在電動(dòng)汽車(chē)上的應用寄予厚望。
羅姆第4代SiC MOSFET應用于“三合一”電橋
近日，上汽大眾與臻驅科技聯(lián)合開(kāi)發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。據悉，對比現有電橋產(chǎn)品，這款SiC“三合一”電橋在能耗表現方面非常搶眼，每百公里可節約0.645kW·h電能。以上汽大眾在ID 4X車(chē)型上的測試結果為例，對比傳統的IGBT方案，整車(chē)續航里程提升了4.5%。由此可知，SiC電橋方案的優(yōu)勢非常明顯。但作為一種新技術(shù)，SiC電控系統還存在一些開(kāi)發(fā)難點(diǎn)，比如SiC模塊的本體設計，以及高速開(kāi)關(guān)帶來(lái)的系統EMC應對難題。值得一提的是，臻驅科技此次完成試制的“三合一”電橋采用的是羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片，充分發(fā)揮了碳化硅器件的性能優(yōu)勢。
羅姆于2020年完成開(kāi)發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現業(yè)內超低導通電阻的產(chǎn)品。該產(chǎn)品用于車(chē)載主驅逆變器時(shí)，效率更高，與使用IGBT時(shí)相比，效率顯著(zhù)提升，因此非常有助于延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程，并減少電池使用量，降低電動(dòng)汽車(chē)的成本。
圖 | 第4代SiC MOSFET和IGBT的逆變器效率比較
羅姆第4代SiC MOSFET的獨特優(yōu)勢
羅姆作為碳化硅領(lǐng)域的深耕者，從2000年就開(kāi)始了相關(guān)的研發(fā)工作，并在2009年收購碳化硅襯底供應商SiCrystal后，于2010年率先推出了商用碳化硅MOSFET，目前產(chǎn)品涵蓋SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模組，其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供貨。羅姆在2015年發(fā)布了第3代也是第一款商用溝槽結構的SiC MOSFET產(chǎn)品，支持18V驅動(dòng)。2020年，羅姆又推出了第4代SiC MOSFET。目前，不僅可供應裸芯片，還可供應分立封裝的產(chǎn)品。分立封裝的產(chǎn)品已經(jīng)完成了面向消費電子設備和工業(yè)設備應用的產(chǎn)品線(xiàn)開(kāi)發(fā)，后續將逐步開(kāi)發(fā)適用于車(chē)載應用的產(chǎn)品。
對比羅姆的第3代SiC MOSFET產(chǎn)品，第4代SiC MOSFET具有導通電阻更低的特點(diǎn)。根據測試結果顯示，在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下，羅姆采用改進(jìn)的雙溝槽結構，使得MOSFET的導通電阻降低了約40％，傳導損耗相應降低。此外，從RDS(on)與VGS的關(guān)系圖中，我們可以發(fā)現第4代SiC MOSFET在柵極電壓處于+15V和+18V之間時(shí)具有更平坦的梯度，這意味著(zhù)第4代SiC MOSFET的驅動(dòng)電壓范圍可拓展至15V-18V。
圖 | 第3代和第4代SiC MOSFET導通電阻測試結果示意圖
同時(shí)，第4代SiC MOSFET還改善了開(kāi)關(guān)性能。通常，為了滿(mǎn)足更大電流和更低導通電阻的需求，MOSFET存在芯片面積增大、寄生電容增加的趨勢，因而存在無(wú)法充分發(fā)揮碳化硅原有的高速開(kāi)關(guān)特性的課題。第4代SiC MOSFET，通過(guò)大幅降低柵漏電容（Cgd），成功地使開(kāi)關(guān)損耗比以往產(chǎn)品降低約50％。
圖 | 第3代和第4代SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗測試結果示意圖
此外，羅姆還對第4代SiC MOSFET進(jìn)行了電容比的優(yōu)化，大大提高了柵極和漏極之間的電容（CGD）與柵極和源極之間的電容（CGS）之比，從而減少了寄生電容的影響。比如，可以減小在半橋中一個(gè)快速開(kāi)關(guān)的SiC MOSFET施加在另一個(gè)SiC MOSFET上的高速電壓瞬變（dVDS/dt）對柵源電壓VGS的影響。這將降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生導通的可能性，以及可能損壞SiC MOSFET的負VGS尖峰出現的可能性。
支持工具
羅姆在下面官網(wǎng)的SiC介紹頁(yè)面中，介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等碳化硅功率半導體的概要，同時(shí)，還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持內容，供用戶(hù)參考。
SiC介紹頁(yè)面網(wǎng)址：
http://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices
第4代SiC MOSFET的支持內容：
?概要介紹視頻、產(chǎn)品視頻
?應用指南（產(chǎn)品概要和評估信息、主驅逆變器、車(chē)載充電器、SMPS）
?設計模型（SPICE模型、PLECS模型、封裝和Foot Print等的3D CAD數據）
?主要應用中的仿真電路（ROHM Solution Simulator）
?評估板信息 ※如需購買(mǎi)評估板，請聯(lián)系羅姆的銷(xiāo)售部門(mén)。
總結
綜上，羅姆通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)自有的雙溝槽結構，使第4代SiC MOSFET具有低導通電阻、優(yōu)秀的短路耐受時(shí)間、低寄生電容、低開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)點(diǎn)。憑借高性能元器件以及豐富的支持工具，羅姆將助力設計人員為未來(lái)的電力電子系統創(chuàng )建可行且節能的解決方案。更多詳情，請查看：http://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices
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