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ADALM2000實(shí)驗:CMOS模擬開(kāi)關(guān)

發(fā)布時(shí)間:2022-02-17 來(lái)源:ADI 責任編輯:wenwei

【導讀】理想的模擬開(kāi)關(guān)不存在導通電阻,具有無(wú)窮大的關(guān)斷阻抗和零延時(shí),可以處理大信號和共模電壓。實(shí)際使用MOS晶體管構建的模擬開(kāi)關(guān)并不符合這些要求,但是如果我們了解模擬開(kāi)關(guān)的局限性,多數也是可以克服的。導通電阻是其中一項局限因素,本實(shí)驗活動(dòng)將嘗試表征此開(kāi)關(guān)規格。


本練習的目的是探討將互補型MOS晶體管用作模擬電壓開(kāi)關(guān)。


概念


理想的模擬開(kāi)關(guān)不存在導通電阻,具有無(wú)窮大的關(guān)斷阻抗和零延時(shí),可以處理大信號和共模電壓。實(shí)際使用MOS晶體管構建的模擬開(kāi)關(guān)并不符合這些要求,但是如果我們了解模擬開(kāi)關(guān)的局限性,多數也是可以克服的。導通電阻是其中一項局限因素,本實(shí)驗活動(dòng)將嘗試表征此開(kāi)關(guān)規格。


材料


●    ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習模塊

●    無(wú)焊面包板

●    跳線(xiàn)

●    一個(gè)CD4007 CMOS晶體管陣列

●    兩個(gè)NPN晶體管(2N3904或等效器件)

●    一個(gè)4.7 k?電阻


11.png

圖1.CD4007 CMOS晶體管陣列引腳排列。


NMOS說(shuō)明


構建圖2所示的測試電路。藍色框表示與ADALM2000上的連接器相連。NMOS和PMOS器件M1及M2均包含在CD4007封裝陣列中。所有未使用的引腳可浮空。要測量MOS晶體管的導通電阻(RON),我們首先需要讓已知電流流經(jīng)電阻,然后測量電阻兩端的電壓。兩個(gè)NPN器件Q1和Q2以及電阻R1將構成電流源,輸出電流約為1 mA。此電流的確切大小并不重要,因為源極/漏極上的電壓在正負電源范圍內變動(dòng),我們主要關(guān)注MOS器件的RON變化。


在第一個(gè)測試中,只有NMOS器件M1導通,PMOS器件M2關(guān)斷。


12.png

圖2.NMOS RON測試電路。


硬件設置


將圖2所示電路連接到面包板。


13.jpg

圖3.NMOS RON測試電路面包板連接。


程序步驟


將波形發(fā)生器1配置為生成具有9 V峰峰值幅度和500 mV失調的100 Hz三角波。這將使NMOS開(kāi)關(guān)晶體管具有+5 V至-4 V的電壓擺幅??紤]到NPN電流源Q2,電壓擺幅范圍不能到-5 V。確保先打開(kāi)外部用戶(hù)電源(Vp和Vn),然后運行波形發(fā)生器。在XY模式下配置示波器界面,X軸上為通道1,Y軸上為通道2(開(kāi)關(guān)上的電壓)。使用數學(xué)函數計算電阻(C2 / 1 mA)。注意:可通過(guò)測量R1兩端的電壓及其實(shí)際電阻來(lái)獲取更精確的電流源估算值。


配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。使用Scopy的XY波形示例如圖4所示。


14.jpg

圖4.NMOS RON XY跡線(xiàn)。 XY trace.


PMOS說(shuō)明


現在,將M1和M2的柵極均連接到負電源Vn,將電路修改為如圖5所示。在第二個(gè)測試中,只有PMOS器件M2導通,NMOS器件M1關(guān)斷。


15.png

圖5.PMOS RON測試電路。


硬件設置


將圖5所示電路連接到面包板。


16.jpg

圖6.PMOS RON測試電路面包板連接。


程序步驟


重復前面部分中的電壓掃描,并且僅繪制PMOS晶體管的導通電阻變化圖。


配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。使用Scopy的XY波形示例如圖7所示。


17.jpg

圖7.PMOS RON XY跡線(xiàn)。


CMOS說(shuō)明


現在,將M1的柵極連接到正電源Vp,將M2的柵極連接到負電源Vn,將電路修改為如圖8所示。在最后一個(gè)測試中,NMOS器件M1和PMOS器件M2均導通。


18.png

圖8.CMOS RON測試電路。


硬件設置


將圖8所示電路連接到面包板。


19.jpg

圖9.CMOS RON測試電路面包板連接。


程序步驟


重復前面部分中的電壓掃描,并繪制NMOS和PMOS晶體管組合的導通電阻變化圖。


配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。使用Scopy的XY波形示例如圖10所示。


20.jpg

圖10.CMOS RON XY跡線(xiàn)。


問(wèn)題:


●    對于圖2中的電路,NMOS器件關(guān)斷時(shí)的電壓為多少?

●    對于圖2中的電路,當NMOS晶體管關(guān)斷時(shí),漏源電壓會(huì )怎樣?

●    對于圖5中的電路,PMOS器件關(guān)斷時(shí)的電壓為多少?

●    對于圖5中的電路,當PMOS晶體管關(guān)斷時(shí),源漏電壓會(huì )怎樣?


您可以在 學(xué)子專(zhuān)區 博客上找到問(wèn)題答案。


來(lái)源:ADI



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