反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？這是一個(gè)典型的問(wèn)題，本質(zhì)原因就是功率級寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現，當時(shí)我并沒(méi)有充分理解問(wèn)題，這位朋友所要了解的問(wèn)題其實(shí)應細化為：為什么會(huì )有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的？

 

如下為反激式電源實(shí)現方案，該方案采用初級側穩壓（PSR）技術(shù)，

Q1導通時(shí)，變壓器初級電感存儲能量，輸出續流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負載；

 

 

Q1關(guān)斷時(shí)，變壓器初級線(xiàn)圈釋放能量，輸出續流二極管正向偏置，向輸出端提供電能；

 

 

開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振，即：在MOS管開(kāi)通、關(guān)斷切換的過(guò)程中，寄生電感將能量傳遞給寄生電容進(jìn)行充電，充電結束后寄生電容又釋放電能給寄生電感儲能，如此循環(huán)往復。

 

 

群友發(fā)出的圖片中，有2次諧振，

 

 

第一次諧振

 

該諧振產(chǎn)生的時(shí)間點(diǎn)在MOS管關(guān)斷的瞬間，等效諧振電路如下：

Loop：初次級間的漏電感、初級勵磁電感、功率MOSFET封裝電感之和

Coss：MOS管寄生電容、線(xiàn)路寄生電容

 

 

第二次諧振

 

這是開(kāi)關(guān)電源DCM模式特有的一個(gè)振鈴現象，

 

此處你必須要了解開(kāi)關(guān)電源電感如下兩種模式：

 

CCM：連續導通模式，次級端反射電流在MOS通斷，變壓器線(xiàn)圈換相期間不會(huì )到達0；

DCM：斷續導通模式，次級端反射電流在MOS通斷，變壓器線(xiàn)圈換相期間到達0。

 

在DCM模式下，當MOS管關(guān)斷，且在次級反射電流消耗為0之前，次級線(xiàn)圈輸出相位的電壓高于實(shí)際輸出電壓；當反射電流消耗為0，即次級線(xiàn)圈電流消耗為0時(shí)，實(shí)際輸出電壓由輸出電容提供，此時(shí)次級輸出相位的電壓等于0，在次級輸出相位電壓由高于輸出電壓到等于0的變化過(guò)程中，會(huì )出現電壓的衰減振蕩，而該衰減振蕩會(huì )耦合到初級線(xiàn)圈并加載在MOS與線(xiàn)圈連接的開(kāi)關(guān)節點(diǎn)處。

 

 

由于該諧振給MOS管的寄生電容充電，若MOS在此時(shí)導通，則可能碰到寄生電容電位被充到較高的時(shí)刻，此時(shí)寄生電容所充電的能量若被直接導到GND會(huì )造成MOS管的導通損耗，針對該問(wèn)題，誕生出了準諧振技術(shù)，即：DCM模式下，初級側MOS在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)諧振電壓擺幅的谷底附近導通。