我們已聽(tīng)到我們的行業(yè)代言人宣布，“GaN將迎來(lái)黃金發(fā)展時(shí)間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準備好出現在廣大聽(tīng)眾、用戶(hù)或為數眾多的應用面前。這也表明，GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟，不能認為它是一個(gè)有問(wèn)題的技術(shù)。我會(huì )讓您自己決定哪些東西是正確的。

 

因此，當我說(shuō)“GaN已為數字電源控制做好準備”時(shí)，您懂我的意思嗎？測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開(kāi)發(fā)過(guò)程。多數情況下，電源設計人員使用數字控制來(lái)演示GaN應用。這可能是因為數字化控制的靈活性較好，能夠讓設計人員精確控制開(kāi)關(guān)波形。也可能是數字控制可以提供克服任意GaN缺點(diǎn)的多個(gè)控制回路和保護電路。

 

我認為，“GaN已為數字電源控制做好準備”的含義比我上述提到的更豐富，但它也意味著(zhù)數字控制也做好準備迎接GaN。對于做好準備迎接GaN的數字電源控制來(lái)講，它需要時(shí)間基分辨率、采樣分辨率和計算馬力用于更高的開(kāi)關(guān)頻率、更窄的占空比和精確的死區時(shí)間控制。圖1和2所示為硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時(shí)間。圖中數字顯示死區時(shí)間存在兩倍的差異，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線(xiàn)性。這些屬性使得更精細的邊緣控制非?？扇?。

 

GaN可在無(wú)需支付后續費用的情況下增大開(kāi)關(guān)頻率。利用這一優(yōu)點(diǎn)，可以在功率級中縮小無(wú)源元件尺寸，并加快瞬變響應速度。但是，要對這些較高頻率進(jìn)行所需的控制，控制電路速度必須更快。例如，采樣和轉換時(shí)間需要足夠快，才不會(huì )限制占空比寬度或相位延遲。此外，接下來(lái)針對控制工作的計算需要足夠快，以不限制開(kāi)關(guān)速度。對于如今頻率大于1MHz的開(kāi)關(guān)電源，需要在少數100ns中完成采樣和轉換。計算延遲也必須處于這一范圍。

 

幸運的是，多年來(lái)，我們生產(chǎn)的數字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數字電源控制器都能滿(mǎn)足這些需求，但是至少電源設計人員有選擇權。

 

因此，GaN為數字電源控制做好準備了嗎？我們得到的答案更多是數字電源控制已準備好迎接GaN。因此，隨著(zhù)GaN繼續開(kāi)發(fā)，并應用于高密度和高性能電源解決方案，我們不必等待開(kāi)發(fā)控制器時(shí)要借助GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢。因此，這就是“準備就緒”的含義：它是指“現在就開(kāi)始”。

 

您對這個(gè)問(wèn)題有什么看法呢？

 

圖1：諧振LLC硅MOSFET死區時(shí)間

 

圖2：LLC GaN MOSFET死區時(shí)間

 

 

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。

 

推薦閱讀：