【導讀】本文章繼續此系列，將聚焦“低壓降”的含義，并介紹安森美半導體低壓降和極低壓降值的LDO產(chǎn)品和方案。您的應用需要低壓降的LDO嗎？我們將講解壓降的含義，如何測量以及具有標準壓降和極低壓降的LDO之間的差異。
之前在文章中，我們探討了“現實(shí)中的電源抑制比(PSRR) - 第四部分”，通過(guò)示例講解PSRR參數。
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什么是 PSRR？- 第三部分
本文章繼續此系列，將聚焦“低壓降”的含義，并介紹安森美半導體低壓降和極低壓降值的LDO產(chǎn)品和方案。您的應用需要低壓降的LDO嗎？我們將講解壓降的含義，如何測量以及具有標準壓降和極低壓降的LDO之間的差異。
LDO必須具有比壓降參數更高的裕量VIN – VOUT。壓降是LDO正常運行的最關(guān)鍵參數之一。壓降是LDO需要適當調節的VDO = VIN – VOUT,NOM的差。VOUT,NOM是LDO處于穩壓狀態(tài)時(shí)在輸出端的輸出電壓標稱(chēng)值。
壓降值通常在VOUT低于標稱(chēng)值（約3％）或100 mV時(shí)測量。當VOUT下降時(shí)，如約100mV，很容易測量該值。通常針對標稱(chēng)輸出電流測量壓降參數，因為壓降是在VOUT下降（比VOUT,NOM低約3％）時(shí)測量的。
因此，必須在灌電流模式下將輸出連接到電流源，例如，將有源負載連到恒定灌電流。如果電阻連接到輸出，則負載輸出電流將減小，并且測量無(wú)效，請參見(jiàn)下圖。
圖1 (壓降區域和穩壓區域)
圖2 (壓降值的測量)
LDO應該在VIN和VOUT有一個(gè)電壓差，并具有較高的VDO 壓降值，以實(shí)現好的動(dòng)態(tài)性能。
大多數LDO有導通器件P溝道MOSFET(PMOS)，這對于較低的輸出電壓來(lái)說(shuō)有點(diǎn)不利。當標稱(chēng)輸出電壓VOUT,NOM較低時(shí)，帶PMOS導通器件的LDO的壓降VDO會(huì )增加。
舉例來(lái)說(shuō)，請看下表，假設我們正在使用NCP161。您可以看到1.8 V選項的壓降值遠高于3.3 V選項。
PMOS器件LDO有缺點(diǎn)，因為它們具有相當高的最小輸入電壓VIN,MIN110也是PMOS器件LDO，VIN低。VIN,MIN = 1.1V。NCP110的最低輸出電壓選項0.6 V的壓降值為500 mV。
如果要求非常低的壓降或接近0 V的輸出電壓選項，則可以使用偏置軌LDO。這種LDO有導通器件N溝道MOSFET（NMOS），它需要連接比VOUT高約1 V – 2 V的輔助電源VBIAS，以實(shí)現極低的壓降。
偏置軌LDO與普通LDO的結構相同，但內部模塊（除導通器件的所有器件）的電源未連接至VIN。它單獨作為次級電源。
這些器件的一些示例是NCP130、NCP134、NCP137和NCP139。與帶PMOS導通器件的LDO相比，帶NMOS導通器件的LDO具有幾乎不受輸出電壓影響的壓降。
這些器件在額定輸出電流下的VDO壓降值在40 mV?150 mV范圍內。但是必須如上所述連接VBIAS電壓，否則由于伏特單位，壓降會(huì )高得多。
在下圖中，您可以看到當VBIAS - VOUT差減小時(shí)，NCP134的壓降會(huì )怎樣，這樣，VBIAS電壓不夠高。
圖3 (NCP134的壓降取決于VBIAS - VOUT)
也可以使LDO帶導通器件NMOS但不提供VBIAS電源。有一個(gè)電荷泵用于為內部模塊供電。電荷泵器件從VIN電源產(chǎn)生高兩倍的內部VBIAS電壓。
圖4(NCP134和NCP161的壓降差)
在圖4中，您可看到帶PMOS導通器件的LDO和帶NMOS導通器件的LDO的壓降差。帶PMOS導通器件的LDO通常在零輸出電流時(shí)具有非零壓降值。LDO壓降的這一部分是內部參考電壓的壓降。
第二部分是通過(guò)導通器件的尺寸設置的壓降。帶NMOS導通器件的LDO具有由VBIAS電壓提供的內部基準。因此，它沒(méi)有第一部分。帶NMOS導通器件的LDO壓降僅通過(guò)導通器件的尺寸設置。
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