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電容耦合放電可以作為射頻系統的可調阻抗元件?

發(fā)布時(shí)間:2020-11-18 責任編輯:wenwei

【導讀】當前和未來(lái)的通信必須處理日益擁擠的電磁頻譜,如果某個(gè)頻率或整個(gè)頻帶被占用,在頻譜中找到一個(gè)“打開(kāi)的窗口”是至關(guān)重要的。為此,下一代射頻系統應該能夠快速重新配置或頻率捷變,即能夠根據需要快速改變載波頻率??勺儫o(wú)源電抗元件是可重構射頻系統的關(guān)鍵組件:可調電容和電感廣泛用于調諧諧振頻率。這種可變電抗通常是機械、半導體或微機電系統元件。
 
然而,后兩種技術(shù)局限于低功率應用,并且具有其他固有的缺點(diǎn),例如非線(xiàn)性行為以及對溫度和輻射的敏感性。當需要調諧和傳輸大功率信號時(shí),目前使用機械控制的可變電容器和電感器。這種機械解決方案包括電動(dòng)機,其機械地旋轉和/或移動(dòng)一組可變電容器和/或電感器或開(kāi)關(guān)電容器和/或電感器組。因此,這些系統體積大且相當慢。
 
研究?jì)热?/div>
 
使用等離子體作為可調諧射頻元件的概念有許多優(yōu)點(diǎn)。等離子體可以快速(電子)打開(kāi)和關(guān)閉,其性質(zhì)在很大范圍內變化;等離子體可以處理比半導體更高的射頻功率、溫度和輻射。此外,冷等離子體放電對于可重構射頻電子器件來(lái)說(shuō)有一個(gè)獨特的特性:能夠將其阻抗從電容性改變?yōu)殡姼行?,普渡大學(xué)的研究人員對此繼續了研究。
 
實(shí)驗方法
 
他們的概念是通過(guò)改變等離子體激勵信號的頻率和/或功率來(lái)控制弱探測射頻或微波信號所經(jīng)歷的阻抗。但是直到現在還沒(méi)有實(shí)驗研究。通過(guò)在一個(gè)頻率范圍內改變強射頻激勵信號,可以改變等離子體的性質(zhì),而弱射頻探測信號將在不同的頻率范圍內,并且它將作為可調阻抗元件進(jìn)入等離子體單元。當等離子體單元比探測信號波長(cháng)小得多時(shí),放電可以用分布參數等效電路表示。其參數可以從在很寬的頻率范圍內通過(guò)探測測得的總阻抗中推斷出來(lái)。通過(guò)均勻模型可以對放電行為進(jìn)行特別簡(jiǎn)單的解釋?zhuān)撃P图僭O離子密度在任何地方都是恒定的,包括電極附近的振蕩鞘層,其中電子數密度幾乎為零。在這種情況下,可以從從多頻探測推斷出的集總參數值中計算出等離子體特性。在本文中,他們在對具有非常不同尺寸的等離子體單元的實(shí)驗研究中進(jìn)一步發(fā)展了這一思想。
 
電容耦合放電可以作為射頻系統的可調阻抗元件?
 
使用電容耦合等離子體作為弱射頻或微波信號的可調阻抗元件的概念。
 
電容耦合放電可以作為射頻系統的可調阻抗元件?
 
射頻實(shí)驗裝置。
 
電容耦合放電可以作為射頻系統的可調阻抗元件?
 
傳輸系數(S21),說(shuō)明系統中射頻路徑的衰減。
 
電容耦合放電可以作為射頻系統的可調阻抗元件?
 
GDT阻抗可調諧等離子體:功率以200 MHz的恒定激勵頻率變化。
 
結論
 
電容耦合放電表現為廣泛可調的阻抗元件,通過(guò)改變等離子體激勵信號的頻率和/或功率,可以改變弱探測信號所經(jīng)歷的阻抗和電抗。對于一個(gè)大的等離子體裝置,例如在這項工作中研究的直徑為5厘米的電極,結果的解釋需要電磁建模。較小器件的結果,例如這里研究的具有1 cm直徑電極的器件,可以用簡(jiǎn)單的集總參數等效電路來(lái)解釋?zhuān)⑶铱梢酝茢喑鲫P(guān)鍵的等離子體參數??偟膩?lái)說(shuō),這項工作表明,不僅放電的有效電容可以變化很大,而且電抗可以從電容性變?yōu)殡姼行?,這是傳統的可變電容器和電感器無(wú)法實(shí)現的。另一方面,等離子體的耗散特性將阻礙其作為可調電抗元件的應用,歐姆電阻的最小化應在未來(lái)進(jìn)行研究。
 
 
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