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書(shū)本上學(xué)不來(lái)的關(guān)于齊納二極管的使用經(jīng)驗

發(fā)布時(shí)間:2019-05-24 責任編輯:wenwei

【導讀】齊納二極管(Zener diode),又叫穩壓二極管,利用PN結反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變,因此,常用來(lái)制成起穩壓作用的二極管。很多初學(xué)者常常不能從根本上很好地理解其工作過(guò)程,因此,在應用上帶來(lái)困惑。
 
在通常情況下,反向偏置的PN結中只有一個(gè)很小的電流。這個(gè)漏電流一直保持一個(gè)常數,直到反向電壓超過(guò)某個(gè)特定的值,超過(guò)這個(gè)值之后PN結突然開(kāi)始有大電流導通(圖1)。這個(gè)突然的意義重大的反向導通就是反向擊穿,如果沒(méi)有一些外在的措施來(lái)限制電流的話(huà),它可能導致器件的損壞。
 
反向擊穿通常設置了固態(tài)器件的最大工作電壓。然而,如果采取適當的預防措施來(lái)限制電流的話(huà),反向擊穿的結能作為一個(gè)非常穩定的參考電壓。 
 
書(shū)本上學(xué)不來(lái)的關(guān)于齊納二極管的使用經(jīng)驗
圖1. PN結二極管的反向擊穿
 
導致反向擊穿的一個(gè)機制是avalanche multiplication(雪崩倍增)??紤]一個(gè)反向偏置的PN結。耗盡區隨著(zhù)偏置上升而加寬,但還不夠快到阻止電場(chǎng)的加強。強大的電場(chǎng)加速了一些載流子以非常高的速度穿過(guò)耗盡區。當這些載流子碰撞到晶體中的原子時(shí),他們撞擊松的價(jià)電子且產(chǎn)生了額外的載流子。因為一個(gè)載流子能通過(guò)撞擊來(lái)產(chǎn)生額外的成千上外的載流子就好像一個(gè)雪球能產(chǎn)生一場(chǎng)雪崩一樣,所以這個(gè)過(guò)程叫avalanche multiplication。
 
反向擊穿的另一個(gè)機制是tunneling(隧道效應)。Tunneling是一種量子機制過(guò)程,它能使粒子在不管有任何障礙存在時(shí)都能移動(dòng)一小段距離。如果耗盡區足夠薄,那么載流子就能靠tunneling跳躍過(guò)去。Tunneling電流主要取決于耗盡區寬度和結上的電壓差。Tunneling引起的反向擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。
 
結的反向擊穿電壓取決于耗盡區的寬度。耗盡區越寬需要越高的擊穿電壓。就如先前討論的一樣,摻雜的越輕,耗盡區越寬,擊穿電壓越高。當擊穿電壓低于5伏時(shí),耗盡區太薄了,主要是齊納擊穿。當擊穿電壓高于5伏時(shí),主要是雪崩擊穿。
 
設計出的主要工作于反向導通的狀態(tài)的PN二極管根據占主導地位的工作機制分別稱(chēng)為齊納二極管或雪崩二極管。齊納二極管的擊穿電壓低于5伏,而雪崩二極管的擊穿電壓高于5伏。通常工程師們不管他們的工作原理都把他們稱(chēng)為齊納管。因此主要靠雪崩擊穿工作的7V齊納管可能會(huì )使人迷惑不解。
 
實(shí)際上,結的擊穿電壓不僅和它的摻雜特性有關(guān)還和它的幾何形狀有關(guān)。以上討論分析了一種由兩種均勻摻雜的半導體區域在一個(gè)平面相交的平面結。盡管有些真正的結近似這種理想情況,大多數結是彎曲的。曲率加強了電場(chǎng),降低了擊穿電壓。曲率半徑越小,擊穿電壓越低。這個(gè)效應對薄結的擊穿電壓有很大的影響。大多數肖特基二極管在金屬-硅交界面邊緣有一個(gè)很明顯的斷層。電場(chǎng)強化能極大的降低肖特基二極管的測量擊穿電壓,除非有特別的措施能削弱Schottky barrier邊緣的電場(chǎng)。
 
圖2是以上所討論的所有的電路符號。PN結用一根直線(xiàn)代表陰極,而肖特基二極管和齊納二極管則對陰極端做了一些修飾。在所有這些圖例中,箭頭的方向都表示了二極管正向偏置下的電流方向。在齊納二極管中,這個(gè)箭頭可能有些誤導,因為齊納管通常工作在反向偏置狀態(tài)下。對于casual observer來(lái)說(shuō),這個(gè)符號出現時(shí)旁邊應該再插入一句“方向反了”。 
 
書(shū)本上學(xué)不來(lái)的關(guān)于齊納二極管的使用經(jīng)驗
圖2  PN結,肖特基,和齊納二極管的電路圖符號。有些電路圖符號中箭頭是空心的或半個(gè)箭頭
 
經(jīng)??吹接袉?wèn)關(guān)于穩壓管(齊納管)的問(wèn)題,所以略做總結:
 
齊納管一般有兩種用法(以下IZ為工作電流,UZ為標稱(chēng)穩壓電壓,UW為實(shí)際工作電壓):1 正常工作時(shí)處于"導通"狀態(tài),IZ≥0.1mA量級,此時(shí)齊納管起穩壓作用,UW≈UZ。2 正常工作時(shí)處于"截止"狀態(tài),即UW
 
其實(shí)常用齊納管主要分兩類(lèi),一類(lèi)就是通常所謂的"穩壓管",另一類(lèi)是TVS類(lèi)器件。前者通常是第一種用法,后者通常是第二種用法。但也不絕對,兩者只是特性參數各有特點(diǎn)。普通的穩壓管同樣可以用作保護器件,只是響應速度差一些,不適合需要抑制極高速度脈沖干擾的場(chǎng)合。TVS也可以拿來(lái)當穩壓管用,當然也有不合適的。
 
總結一下,初學(xué)者常犯如下幾種錯誤: 
 
1. 把齊納管特性想得太美好:當UW7V),那曲線(xiàn)還湊合,換個(gè)低壓的,例如3V的,那實(shí)際曲線(xiàn)真是夠"柔美"的,1.5V電壓時(shí)就有很大電流了,直到IZ增加到數十mA,UZ才懶洋洋地達到標稱(chēng)值,簡(jiǎn)直就是個(gè)拋物線(xiàn)嘛。
 
2. 用齊納管做保護的,一不懂世間萬(wàn)事皆有代價(jià),這里的代價(jià)就是漏電流IR("截止"狀態(tài)下的IZ):IR>0;二不懂世間萬(wàn)事皆須留有余地,這里的余地就是確保"截止"的電壓余量UM:UM=UZ-UW>0(IR→很?。?;三不懂世間萬(wàn)事皆有彈性(讓步),這里的彈性就是導通狀態(tài)下UW隨著(zhù)IZ增加的增量UP:UP=UW-UZ>0(IR→很大)。而且即使留了余地,付出了代價(jià),仍然要做讓步。要減小IR,就要提高ΔU,也就是選高UZ的管子,但這樣又會(huì )降低保護的"力度"。
 
3. 不明白齊納管動(dòng)態(tài)內阻dV/dI>0,即UZ會(huì )隨IZ增加。這就不多說(shuō)了。
 
4. 不明白齊納管的反應是比較遲鈍的,UW變化了,IZ并不會(huì )立即跟著(zhù)變,而是有延遲。而且有結電容,而且結電容有時(shí)還相當大。按教科書(shū)上的電路圖,把齊納管接到運放反饋臂上做限幅,還為自己能靈活運用運放的負反饋技術(shù)而沾沾自喜。但輸入個(gè)幾MHz的方波后,發(fā)現輸出全不是那么回事,就懵了。
 
 從這幾條可以總結出一些原則:
 
1. 盡量避免使用低壓齊納管。
2. 用齊納管做保護要合理選擇UZ,使UWMAX+UM
3. 設計電路要有"動(dòng)態(tài)"的概念,電路跟人,跟一切機器一樣都有反應遲鈍的問(wèn)題,區別只在于"更遲鈍"和"更不遲鈍"。
4. 記住墨菲定律:"事情凡是能夠更糟糕的,就一定會(huì )更糟糕"。
 
附:穩壓管典型穩壓電路分析
 
下圖中D1為穩壓二極管,與負載R2并聯(lián),R1為限流電阻。 
 
書(shū)本上學(xué)不來(lái)的關(guān)于齊納二極管的使用經(jīng)驗
 
若電網(wǎng)電壓升高,即電路的輸入電壓Vin也隨之升高,引起負載電壓Vout升高。由于穩壓管D1與負載R2并聯(lián),Vin只要有一點(diǎn)增長(cháng),就會(huì )使流過(guò)穩壓管的電流急劇增加,使得I也增大,限流電阻R1上的電壓降增大,從而抵消了Vout的升高,保持負載電壓Vout基本不變。反之,若電網(wǎng)電壓降低,引起Vin下降,造成Vout 也下降,則穩壓管中的電流急劇減小,使得I減小,R1上的壓降也減小,從而抵消了Vin的下降,保持負載電壓Vout基本不變。 若Vin不變而負載電流增加,則R1上的壓降增加,造成負載電壓Vout下降。Vout只要下降一點(diǎn)點(diǎn),穩壓管中的電流就迅速減小,使R1上的壓降再減小下來(lái),從而保持R1上的壓降基本不變,使負載電壓Vout得以穩定??梢钥闯?,穩壓管起著(zhù)電流的自動(dòng)調節作用,而限流電阻起著(zhù)電壓調整作用。綜上可見(jiàn)穩壓管的動(dòng)態(tài)電阻越小,限流電阻越大,輸出電壓的穩定性越好。
 
 
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