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42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器

發(fā)布時(shí)間:2018-11-05 責任編輯:wenwei

【導讀】LT8640S/LT8643S是42 V、6 A連續電流/7 A峰值電流單片式降壓型穩壓器,采用第二代Silent Switcher® 2架構。Silent Switcher穩壓器通過(guò)將高頻環(huán)路一分為二來(lái)抑制EMI輻射,分離環(huán)路產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消。單片式降壓型穩壓器LT8640S和LT8643S集緊湊布局、高效率和超低EMI于一體,非常適合汽車(chē)環(huán)境應用。
 
易于布局、超低EMI、高效率的Silent Switcher 2
 
LT8640S/LT8643S是42 V、6 A連續電流/7 A峰值電流單片式降壓型穩壓器,采用第二代Silent Switcher® 2架構。Silent Switcher穩壓器通過(guò)將高頻環(huán)路一分為二來(lái)抑制EMI輻射,分離環(huán)路產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消。第二代Silent Switcher 2在封裝內集成了旁路陶瓷電容。這些電容位于快速交流環(huán)路(VIN、BST和INTVCC)內,因此需要精密且可重復的PCB布局才能確保EMI性能。集成這些電容大大簡(jiǎn)化了PCB布局和制造要求。即使是低成本的雙層電路板,現在也能具有出色的EMI性能。
 
在汽車(chē)應用中,設計人員偏向于使用2 MHz或更高開(kāi)關(guān)頻率的電源,以避開(kāi)AM頻段并使解決方案尺寸最小化。遺憾的是,高開(kāi)關(guān)頻率通常意味著(zhù)更低的效率和更高的功耗,迫使設計人員要在小尺寸和低EMI性能與效率之間進(jìn)行權衡。LT8640S和LT8643S消除了這種權衡:得益于可控且快速的開(kāi)關(guān)邊沿,即使在高開(kāi)關(guān)頻率下,它們仍能以高效率和低功耗運行。
 
圖1顯示了一個(gè)超低EMI且高效率的LT8640S 12 V至5 V/6 A設計。內部穩壓器由5 V輸出通過(guò)BIAS引腳供電,以降低功耗。該設計的開(kāi)關(guān)頻率設置為2 MHz。使能展頻模式(SYNC/MODE = INTVCC),使得開(kāi)關(guān)頻率在3 kHz三角調制下可以從2 MHz變化到2.4 MHz。
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖1.展頻模式的超低EMI LT8640S 5 V/6 A降壓轉換器
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖2.采用圖1所示設計,2層和4層板的CISPR 25 EMI輻射比較
 
圖2比較了采用圖1所示設計的2層和4層板的EMI輻射。兩塊電路板均符合嚴苛的汽車(chē)級CISPR 25 Class 5輻射EMI要求,僅需在輸入側使用鐵氧體磁珠。圖3顯示了效率。在高達2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率下,LT8640S 12 V輸入的峰值效率達到95%,24 V輸入的峰值效率達到92%。
 
多個(gè)LT8643S器件可以并聯(lián),以支持7 A(峰值)以上的輸出電流。LT8643S利用電流模式控制和外部補償實(shí)現平衡均流——這在并聯(lián)配置中非常重要。將所有誤差放大器的輸出VC引腳連接在一起,便可自然地實(shí)現均流。無(wú)需額外的時(shí)鐘器件,CLKOUT和SYNC/MODE引腳即可實(shí)現頻率同步。
 
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖3.采用圖1所示設計的LT8640S 5 V/6 A輸出效率(fSW = 2 MHz)
 
圖4顯示了9 V輸出的LT8640S設計。圖5顯示了5 A負載時(shí)的熱結果。在45 W輸出功率和1 MHz開(kāi)關(guān)頻率下,由于采用了增強散熱技術(shù),LT8640S 4 mm×4 mm LQFN封裝的溫升低于50°C。
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖4設計(fSW = 1 MHz,TA = 25°C)
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖5.LT8640S 24 V至9 V/5 A熱圖像,采用圖4設計(fSW = 1 MHz,TA = 25°C)
 
圖6顯示了12 V至3.3 V/12 A LT8643S并聯(lián)設計的簡(jiǎn)潔性。上方LT8643S通過(guò)讓SYNC/MODE引腳浮空而設置為強制連續模式,其CLKOUT信號驅動(dòng)下方LT8643S SYNC/MODE引腳以實(shí)現同步。圖7顯示了該設計的效率,而圖8顯示了8 A階躍瞬態(tài)響應。
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖6.使用兩個(gè)LT8643S器件的并聯(lián)3.3 V/12 A降壓轉換器
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖7.LT8643S 12 V至3.3 V、8 A階躍負載瞬態(tài)響應,采用圖6所示并聯(lián)設計(fSW = 1 MHz)
 
42 V、6 A(峰值7 A)、超低EMI輻射、高效率降壓型穩壓器
圖8.LT8643S 12 V至3.3 V/12 A效率,采用圖6所示并聯(lián)設計(fSW = 1 MHz)
 
結論
 
LT8640S和LT8643S是6 A(峰值7 A)、超低EMI單片同步開(kāi)關(guān)穩壓器,采用小型4 mm×4 mm LQFN封裝。已獲專(zhuān)利的Silent Switcher 2架構可確保EMI輻射極低。集成環(huán)路電容消除了PCB布局敏感性,有助于節省設計工作量和解決方案成本。同步設計和快速開(kāi)關(guān)邊沿可提高重載時(shí)的效率,而低靜態(tài)電流對輕載效率有利。3.4 V至42 V的寬輸入范圍和低壓差使LT8640S和LT8643S能夠滿(mǎn)足汽車(chē)冷啟動(dòng)或負載切斷情況下的要求。
 
 
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