電磁兼容性

       IEC 61000規范定義了一組電磁兼容性(EMC)抗擾度要求，適用于在住宅、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境中使用的電氣和電子設備。這套規范中有三個(gè)重要的高壓瞬變規范：
       IEC 61000-4-2 ESD
       IEC 61000-4-4 EFT
       IEC 61000-4-5浪涌耐受性
       所有這些規范都定義了測試方法，用以評估電子和電氣設備對指定現象的耐受性。

圖1.完整保護解決方案

過(guò)壓故障保護

       ADI公司高可靠性的故障防護開(kāi)關(guān)和多路復用器產(chǎn)品組合（ADG5208F和ADG5412F）提供高達±55 V的OVP功能。這些器件還有高達±55 V的掉電保護、過(guò)壓故障檢測、防閂鎖、高達5.5 kV的HBM ESD防護等級。除了實(shí)現業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性以外，這些具有OVP功能的開(kāi)關(guān)還保持了業(yè)界領(lǐng)先的模擬性能，可以應用于高阻抗以及低阻抗系統。

       斷電、熱插拔連接、電源時(shí)序問(wèn)題和接線(xiàn)錯誤是持續直流或瞬變過(guò)壓的常見(jiàn)原因。將具有OVP功能的模擬開(kāi)關(guān)放在系統的輸入或輸出節點(diǎn)，就可以保護系統輸入和輸出免受在有電或無(wú)電情況下高達±55 V的過(guò)壓影響。該類(lèi)模擬開(kāi)關(guān)會(huì )隔離故障，將輸入端與電路其余部分斷開(kāi)。還可以保護下游電路，因為故障不會(huì )通過(guò)箝位二極管傳導進(jìn)入系統。

      用于開(kāi)關(guān)、放大器、模數轉換器(ADC)和數模轉換器(DAC)等的傳統互補金屬氧化物半導體(CMOS)架構，在器件輸入端和輸出端上均有ESD保護二極管。圖2顯示了ADI公司具有OVP功能的模擬開(kāi)關(guān)的功能框圖。傳統輸入保護ESD二極管對被一個(gè)雙向ESD保護單元取代，其位于輸入端點(diǎn)(Sx)和內部開(kāi)關(guān)單元之間，觸發(fā)電壓約為70 V。因此在輸入端發(fā)生過(guò)壓時(shí)，開(kāi)關(guān)輸入端的電平不再箝位到供電軌，開(kāi)關(guān)輸入端可承受高達±55 V的電壓。雙向ESD保護單元提供高達5.5 kV HBM ESD防護能力。

圖2.具有OVP功能的模擬開(kāi)關(guān)功能框圖

       開(kāi)關(guān)內部故障檢測電路持續監控輸入端電平，并將其與故障基準電平（通常為V_DD和V_SS）相比較。當輸入檢測到過(guò)壓狀態(tài)時(shí)，受影響的通道約在500 ns后關(guān)閉，輸入端進(jìn)入高阻態(tài)，將故障與任何敏感的下游電路完全隔離。在開(kāi)關(guān)未作出反應的這500 ns期間，開(kāi)關(guān)輸出端的上下二極管對輸出電壓進(jìn)行箝位，同樣起到保護下游電路的作用。圖3顯示了該輸出電壓保護隨時(shí)間的變化。

圖3.輸出電壓隨時(shí)間的變化

該開(kāi)關(guān)的高可靠性表現為如下方面：

       ±55 V交流和持續直流過(guò)壓保護
      掉電保護高達±55 V
      過(guò)壓故障防護
      任何情況下都不會(huì )發(fā)生閂鎖
      5.5 kV HBM ESD額定值

系統級保護電路

       在系統層面，過(guò)壓保護、防閂鎖和EMC保護（ESD、EFT、浪涌）通常由一系列分立器件實(shí)現，由于信號路徑中存在的漏電流和額外電阻，所有這些器件都可能造成系統性能和精度下降。

       借助ADI公司過(guò)壓故障防護器件的高可靠性，并結合單個(gè)瞬變電壓抑制器(TVS)和一個(gè)低值電阻(≤30 Ω)，ADG5412F可以承受高達16 kV IEC ESD（氣隙放電）、8 kV IEC ESD（接觸放電）、4 kV EFT和4 kV浪涌的高壓瞬變。圖4顯示了該保護電路。

       正常工作條件下，TVS器件具有很高的對地阻抗。當在系統輸入端存在一個(gè)大于TVS擊穿電壓的瞬變電壓時(shí)，TVS被擊穿并提供低阻抗接地路徑，將瞬變電流從開(kāi)關(guān)輸入端轉移到地，從而輸入端電壓被箝位。TVS器件的重要參數包括：工作峰值反向電壓，低于此電壓便不會(huì )發(fā)生明顯的導通；擊穿電壓，在該電壓時(shí)發(fā)生一定程度的導通；以及最大箝位電壓，這是傳導額定最大電流時(shí)器件上的最大電壓。

圖4.保護電路圖

      此電路依照IEC61000-4-2、IEC61000-4-4和IEC61000-4-5標準進(jìn)行測試，發(fā)現ADG5412F器件能夠承受非常高的IEC ESD、EFT和浪涌瞬變。

      表1顯示了ADG5412F結合TVS器件和電阻的不同組合所測得的結果。

      表1.TVS器件和電阻的不同組合的測試結果

       ESD和EFT的激勵信號具有非?？焖俚纳仙龝r(shí)間，經(jīng)過(guò)初始過(guò)沖后，瞬變被TVS器件箝位。引起過(guò)沖的原因是TVS對上升時(shí)間非?？斓腅SD/EFT脈沖的響應速度不夠快，因此需要一個(gè)小電阻來(lái)提高ESD/EFT防護水平，如表1所示。

TVS選擇

       選擇TVS器件時(shí)，務(wù)必確保其最大工作電壓既大于要保護的引腳的正常工作電壓，又大于接線(xiàn)錯誤引起的任何可能存在的已知系統過(guò)壓。TVS最大工作電壓與ADG5412F具有的±55 VOVP性能相結合，為T(mén)VS選擇提供了一個(gè)很寬的設計窗口。

圖5.TVS設計窗口

       圖5顯示了一個(gè)與外部接口的系統輸入端的工作區域。最左邊的區域表示正常工作區間，輸入電壓位于電源電壓范圍以?xún)?。左起第二個(gè)區域表示輸入端可能存在持續直流或長(cháng)時(shí)間交流過(guò)壓的范圍，原因是斷電、接線(xiàn)錯誤或短路。另外，圖中最右側是ADG5412F內部ESD保護二極管的觸發(fā)電壓。

       TVS設計窗口區域取決于開(kāi)關(guān)的±55 V過(guò)壓保護區間。該窗口由OVP開(kāi)關(guān)的最大關(guān)態(tài)電壓與系統中可能存在的最大過(guò)壓之差決定。為保護系統輸入和敏感下游電路達到IEC標準的抗干擾要求，同時(shí)為了始終處在OVP開(kāi)關(guān)的工作范圍以?xún)?，應選擇擊穿電壓在TVS設計窗口之內的TVS。此設計窗口概念使得系統設計人員可以靈活選擇TVS，只要其擊穿電壓在這個(gè)很寬的電壓范圍以?xún)燃纯伞?br style="padding: 0px; margin: 0px auto;" />
       選擇TVS器件時(shí)，另一個(gè)要考慮的參數是其最大箝位電壓。在浪涌事件期間，當越來(lái)越大的電流流過(guò)TVS器件時(shí)，TVS的箝位電壓可以升高到最大箝位電壓。對于TVS，此最大箝位電壓高于擊穿電壓。高擊穿電壓（如54 V）TVS的最大箝位電壓大于A(yíng)DG5412F數據手冊中針對源極引腳規定的±55 V直流絕對最大額定值。但是，“浪涌測試，IEC61000-4-5”部分證明，在浪涌瞬變持續時(shí)間內，ADG5412F可以承受大于直流最大額定值的電壓。這是因為浪涌瞬變的上升時(shí)間比ESD脈沖慢得多，故在浪涌瞬變持續時(shí)間內，ADG5412F內部ESD保護不會(huì )觸發(fā)。

系統級保護

       在圖4所示電路中，分立TVS和電阻保護ADG5412F免受IEC ESD、EFT和浪涌事件影響。ADG5412F可保護電路免受過(guò)壓故障、閂鎖和熱插拔事件的影響。為了全面保護系統輸入免受ESD、EFT和浪涌事件影響，不僅要確保OVP器件(ADG5412F)能承受瞬變電壓，而且要確保充分抑制ADG5412F漏極(Dx)上離開(kāi)開(kāi)關(guān)的能量水平，避免下游器件受損。

       圖6顯示了在IEC ESD、EFT和浪涌事件期間，用于量化ADG5412F輸出端輸出的能量水平的設置。

       測試設置復制了一個(gè)典型系統，其中ADG5412F保護下游器件的輸入。上下二極管代表任何下游電路（如放大器或ADC）中存在的輸入ESD保護二極管。在瞬變事件期間，ADG5412F能夠有效降低到達下游器件的能量，下一部分中的數據證明了這一點(diǎn)。下游器件的輸入ESD保護二極管消除保護電路輸出端殘留的微小能量，就像在HBM ESD事件期間所做的一樣。

圖6.測試設置

靜電放電(ESD)

       ESD是指靜電荷在不同電位的實(shí)體之間的突然傳輸，由靠近接觸或電場(chǎng)感應引起。其特征是在短時(shí)間內有高電流流過(guò)。

       IEC 61000-4-2測試的主要目的是確定系統在工作過(guò)程中對系統外部ESD事件的抗擾度。IEC 61000-4-2規定要使用兩種耦合方法測試：接觸放電和氣隙放電。接觸放電是指放電槍直接與受測裝置相連。氣隙放電使用更高的測試電壓，但不會(huì )直接接觸受測裝置。

在氣隙放電測試期間，放電槍的充電電極朝向受測單元移動(dòng)，直到氣隙上發(fā)生電弧放電。放電槍不與受測裝置直接接觸。氣隙測試的結果和可重復性會(huì )受到多種因素的影響，包括濕度、溫度、氣壓、距離和放電槍逼近受測裝置的速率。與接觸放電方法相比，氣隙放電方法能夠更好地反映實(shí)際ESD事件，但可重復性較差。
 
       圖7顯示了規范所述的8 kV接觸放電電流波形。需要注意的關(guān)鍵波形參數是不到1 ns的快速上升時(shí)間、大約60 ns的短脈沖寬度和30 A的峰值電流。

圖7.IEC 61000-4-2 ESD波形(8 kV)

      該測試是按單次放電進(jìn)行的。測試點(diǎn)可能承受至少10次正極放電和10次負極放電。推薦的放電間隔為1秒。

      將ESD脈沖施加于保護電路輸入端時(shí)，經(jīng)過(guò)初始過(guò)沖后，輸入端電壓由TVS器件(SMAJ54CA)箝位在54 V。由于脈沖持續時(shí)間非常短（大約60 ns），所以ADG5412F內部OVP電路沒(méi)有時(shí)間作出反應，將下游電路與ESD事件隔離開(kāi)來(lái)。但是，ADG5412F輸出端的內部保護二極管變?yōu)檎?，將ADG5412F的輸出電壓箝位在V_DD + 0.7 V。

      輸出端的這些內部二極管可靠性很高，足以帶走大部分電流，從而保護下游器件，使系統免受初始8 kV ESD事件影響。

靜電放電測試，IEC61000-4-2

      圖8顯示了IEC瞬變事件期間通過(guò)電路的電流路徑。大部分電流通過(guò)TVS器件分流到地（路徑I₁）。路徑I₂顯示了開(kāi)關(guān)斷開(kāi)所需的500 ns時(shí)間內消散的電流。最后，路徑I₃中的電流是下游器件必須承受的電流水平。

圖8.ESD事件期間的電流路徑

       圖9顯示了在開(kāi)關(guān)輸出端測得的電流，條件是將±8 kV IEC ESD接觸放電脈沖施加于A(yíng)DG5412F輸入端，采用54 V TVS (Bourns SMAJ54CA)和30 Ω串聯(lián)電阻。在TVS箝位瞬變電壓之前有一個(gè)初始過(guò)沖（參見(jiàn)“TVS選擇”部分），以免觸發(fā)ADG5412F內部ESD保護（需要30 Ω電阻）。在IEC ESD事件期間，在A(yíng)DG5412F輸出端(Dx)測得的峰值電流僅有678 mA。

       輸出端測得的峰值電流脈沖寬度大約為60 ns，可以與HBM ESD事件相比較。1 kV HBM ESD電擊的峰值電流約為660 mA，持續時(shí)間為500 ns。因此，在圖4所示的配置中使用ADG5412F時(shí)，8 kV IEC ESD電擊被衰減為不到1 kV的HBM ESD事件。這可以與下游器件的HBM ESD額定值相比較。

圖9.8 kV事件期間的漏極電壓和漏極(Dx)輸出電流

        類(lèi)似地，圖10顯示了在開(kāi)關(guān)輸出端測得的電流，條件是將±16 kV IEC ESD氣隙放電脈沖施加于A(yíng)DG5412F輸入端，采用54 V TVS (Bourns SMAJ54CA)和30 Ω串聯(lián)電阻。

圖10.16 kV氣隙放電事件期間的漏極電壓和漏極(Dx)輸出電流

        在IEC ESD事件期間，在A(yíng)DG5412F輸出端測得的峰值電流僅有680 mA，這幾乎與8 kV接觸放電測試結果相同。

電快速瞬變脈沖群(EFT)

        EFT測試涉及將快速的瞬變脈沖群耦合到信號線(xiàn)上，以表征與外部開(kāi)關(guān)電路關(guān)聯(lián)的瞬變干擾，這類(lèi)電路能夠以容性方式耦合至信號線(xiàn)。這種測試反映了開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)抖動(dòng)，或者因為感性或容性負載切換而產(chǎn)生的瞬變，而所有這些在工業(yè)環(huán)境中都很常見(jiàn)。IEC 61000-4-4中定義的EFT測試嘗試模擬因為這些類(lèi)型的事件產(chǎn)生的干擾。

        圖11顯示了EFT波形。輸出波形由重復的5 kHz高電壓瞬變突波組成。突波間隔300 ms，每個(gè)突波持續時(shí)間為15 ms。每個(gè)脈沖具有5 ns的上升時(shí)間(t_R)和50 ns的持續時(shí)間(t_D)，這些時(shí)間在波形的上升和下降沿的50%點(diǎn)之間測量。與ESD瞬變類(lèi)似，單個(gè)EFT脈沖的特性也是快速上升時(shí)間和短脈沖寬度。單次脈沖的總能量類(lèi)似于ESD脈沖。

        IEC 61000-4-4規定這些快速突發(fā)瞬變通過(guò)容性箝位器耦合到輸入線(xiàn)路。EFT通過(guò)箝位器容性耦合到輸入線(xiàn)路，而不是直接接觸。為了在系統級測試中復制此耦合板，將一個(gè)0.5 μF耦合電容連接到IC輸入端。這是依照IEC 62215標準，它是IEC61000-4-4標準的IC級版本。

       將這些EFT脈沖施加于保護電路輸入端時(shí)，會(huì )以類(lèi)似ESD事件的方式抑制電流。經(jīng)過(guò)初始過(guò)沖后，4 kV EFT電壓被54 V TVS器件箝位，未導向TVS的大部分殘留電流被ADG5412F輸出端內部的高可靠性的二極管帶走。對于每個(gè)突波中的每個(gè)脈沖，都會(huì )重復這個(gè)保護動(dòng)作。

圖11.IEC 61000-4-4 EFT波形

EFT測試，IEC61000-4-4

       圖12顯示將±4 kV IEC EFT脈沖施加于A(yíng)DG5412F器件輸入端，采用54 V TVS和30 Ω串聯(lián)電阻。在EFT突波的一個(gè)脈沖期間，輸出端測得的峰值電流僅有420 mA。

       類(lèi)似于ESD事件，該峰值電流脈寬大約60 ns，可以與HBM ESD事件相比較。750 V HBM ESD電擊的峰值電流約為500 mA，持續時(shí)間為500 ns。因此，在圖5所示的配置中使用ADG5412F時(shí)，可將4 kV IEC EFT電擊衰減為不到750 V的HBM ESD事件，這是大部分現代IC都能承受的。

圖12.單次脈沖的EFT電流

浪涌

       浪涌瞬變通常由開(kāi)關(guān)操作造成的過(guò)壓情況或雷擊造成。開(kāi)關(guān)瞬變的起因可能是電力系統切換、配電系統中的負載變化或各種系統故障（例如安裝時(shí)與接地系統形成短路和電弧故障）。雷電瞬變的原因可以是附近的雷擊將高電流和電壓注入電路中。IEC 61000-4-5定義了在容易受到這些浪涌現象影響的情況下用于評估電子電氣設備抗擾度的波形、測試方法和測試級別。

       標準的波形由波形發(fā)生器產(chǎn)生，用于表征開(kāi)路電壓和短路電流事件。標準描述了兩種波形。10 μs/700 μs組合波形用于測試要連接到對稱(chēng)通信線(xiàn)路（如電話(huà)交換線(xiàn)路）的端口。1.2 μs/50 μs組合波形用于所有其他情形，特別是短距離信號連接。

圖13.IEC 61000-4-5浪涌1.2 μs/50 μs波形

        圖13顯示1.2 μs/50 μs浪涌瞬變波形。ESD和EFT擁有類(lèi)似的上升時(shí)間、脈沖寬度和能量級別。但是，浪涌脈沖的上升時(shí)間要慢得多(1.2 μs)，持續時(shí)間要長(cháng)得多，脈沖寬度為50 μs，這兩個(gè)值均遠大于ESD脈沖和EFT的單個(gè)脈沖。浪涌脈沖的能量級別可以比ESD或EFT脈沖能量級別高出三到四個(gè)數量級。因此，浪涌瞬變被認為是最嚴苛的EMC瞬變規范。在浪涌事件期間，輸入端電壓被TVS器件箝位。由于浪涌事件持續時(shí)間為50 μs，因此具有OVP功能的開(kāi)關(guān)有充足的時(shí)間作出反應，隔離下游電路。僅僅經(jīng)過(guò)500 ns，ADG5412F的OVP功能便將下游器件與瞬變隔離。事實(shí)上，這是將50 μs浪涌輸入變成500 ns脈沖，顯著(zhù)降低傳輸到下游器件的能量。

浪涌測試，IEC61000-4-5

        將±4 kV浪涌脈沖施加于A(yíng)DG5412F輸入端時(shí)（采用54 V TVS和30 Ω串聯(lián)電阻），輸出端測得的峰值電流為616 mA。
圖4所示的保護電路將具有潛在破壞性的長(cháng)時(shí)間高電流浪涌事件衰減成持續不到500 ns、峰值電流為608 mA的短時(shí)間事件。相比之下，1 kV HBM ESD事件的峰值電流約為660 mA，持續時(shí)間為500 ns。
圖14顯示了500 ns后的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，將漏極與浪涌事件隔離。

圖14.浪涌事件期間OVP工作原理

結論

       本文討論的保護架構顯示了如何利用ADG5412F并結合單個(gè)TVS器件和低值串聯(lián)電阻，保護系統輸入或輸出節點(diǎn)免受高達16 kV IEC ESD、4 kV EFT和4 kV浪涌瞬變電壓的影響。本應用筆記還討論了所述的保護架構如何將下游電路的保護需求降至僅相當于1 kV HBM ESD的水平。此信息為系統設計人員提供了設計系統輸入輸出保護電路并實(shí)現下列優(yōu)勢所需的知識：

       簡(jiǎn)化保護設計。
       加速產(chǎn)品上市。
       提高保護電路性能，因為所需的分立元件減少。
       減小信號路徑中的串聯(lián)電阻阻值。
       由于TVS設計窗口很寬，TVS選擇更方便。

達到下列標準的系統級保護：

      IEC61000-4-2 16 kV氣隙放電。
      IEC61000-4-2 8 kV接觸放電。
      IEC61000-4-4 4 kV。
      IEC61000-4-5 4 kV。
     交流和持續直流過(guò)壓保護高達±55 V。
     掉電保護高達±55 V。





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