本系列文章以反激電源設計為切入點(diǎn)，深究這種電源的設計手法并對其中的原理進(jìn)行細致的講解，對良好的設計習慣進(jìn)行培養。

 

為了達到較為明顯的演示效果，本篇文章當中使用的參數規格都是比較夸張的。輸入要求：AC90~275V，輸出5V~40A。 一個(gè)200W的反激式電源，（這么大的電源不一定能夠通過(guò)EMC，因為漏感和反激式的工作模式問(wèn)題使大功率反激式EMC比較難過(guò)）。 因為這個(gè)電源電壓不高，電流大，次級整流的損耗大，估計按照此方法設計出來(lái)效率90%，一般輸出電壓越高的效率越好。

 

 

1.SMPS Cal： 這是一款電源計算工具，用來(lái)做綜合評估，比如選擇什么拓補結構，需要用多大磁芯，電容容量，電流有效值，峰值這些。先讓自己心里有個(gè)大概。

 

2.saber 2007 這個(gè)是一款仿真軟件，設計電源的時(shí)候用這個(gè)來(lái)仿真原理性問(wèn)題，仿真的最多的是開(kāi)環(huán)性仿真。

 

3.PExprt：這是一款ansys里面的變壓器設計軟件，比較好用，和實(shí)際的吻合度高。

 

本篇文章主要對電解電容進(jìn)行講解，并且使用saber來(lái)進(jìn)行適當的輔助講解。后期的難點(diǎn)將會(huì )是變壓器部分。

 

芯片選用BO5269D，這款芯片頻率是65K，我們先用工具來(lái)看下需要多大磁芯，因為沒(méi)有特殊要求，用EE磁芯來(lái)設計這款電源。

 

計算出來(lái)是30000立方毫米，這個(gè)是參考設計，不是真正的定型，所以我們初選黃色標中的3款磁芯，自己心里面現在對磁芯有個(gè)大概的了解了。

然后我們打開(kāi)反激式算法面，輸入相關(guān)參數，再來(lái)看看電路部分，變壓器部分是個(gè)大概什么情況，讓自己心里面對這款即將設計的電源有個(gè)了解。但是不是按照這個(gè)參數來(lái)設計，不然這個(gè)產(chǎn)品設計出來(lái)都不知道怎么死的。到這里，都是沒(méi)什么技術(shù)含量的事情，但是卻是整個(gè)設計的基礎和宏觀(guān)架構。

初級的電解電容是儲能電容，用于在電源工作時(shí)提供能量，因此在市電正弦波上升的時(shí)候給電容充電，下降沿的時(shí)候靠電容給變壓器提供能量。這時(shí)候就涉及到一個(gè)電容的波谷電壓。電源就是通過(guò)這個(gè)波谷電壓來(lái)選擇電容容量的。

圖1

通過(guò)波谷電壓來(lái)算電容容量算是設計上的一種習慣，一般波谷電壓取100V電壓溫升不會(huì )超過(guò)40度（溫升是電容溫度-室溫）。但是也有選擇70V甚至60V的，電容溫度一般都跑到了90度以上（此處不是指溫升）。波谷電壓也是計算變壓器的最小電壓?；旧贤粋€(gè)電路電容波谷電壓月底，電容溫升越高。電解電容的壽命現在基本上都按照比標準溫度降低10度，電容壽命增加一倍來(lái)估計電解電容壽命。實(shí)際工作中用這個(gè)方法是可行的。電容的計軟結果：

 

現在用saber來(lái)仿真電容的ESR參數特性，目前只仿出來(lái)了電容的ESR濾波特性，先看理想電容的頻率特性：

圖2

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加入電容寄生電感后特性（包含PCB線(xiàn)路所產(chǎn)生的電感，設計時(shí)需要考慮），電容濾波就是靠這個(gè)特性的。后面會(huì )在仿真下數字電路和電源電路ESR的影響。

圖4

圖5

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電解電容的ESR數電和模電中的特性不多說(shuō)，直接來(lái)說(shuō)ESR在電源中展現出來(lái)的特性。在電源中ESR絕對不是正切值計算出來(lái)那么簡(jiǎn)單的，展現出來(lái)的特性是比較復雜的。還是用saber來(lái)把ESR的特性仿真出來(lái)。下面的圖中給出理想電容仿真結果，以便對比。理想電容的波形是很漂亮的。

圖6

圖7

圖8

圖9

圖10

圖11

 

圖10是整流二極管的電流特性，圖11是ESR的仿真原理圖，最后總結下ESR特性。

圖12

 

另外，現在有些電源要測試連接電源時(shí)的沖擊電流，660uf電容的沖擊電流見(jiàn)圖12，達到了90A，實(shí)際做方案的時(shí)候需要考慮做開(kāi)機啟動(dòng)。

 

通過(guò)上面的仿真，總結出來(lái)電解電容在電源中特性：

 

二極管給電容充電時(shí)的損耗（主要是寄生電阻損耗）：從圖12看出，市電在超過(guò)電解電容谷底電壓時(shí)充電，充電電流集中在這一段區域，電流很大，頻率低而且是正弦波，寄生電感可以忽略；

 

mos開(kāi)啟寄生電阻損耗：這個(gè)損耗就是在對變壓器儲能的時(shí)候，寄生電阻對電流損耗；

 

mos開(kāi)啟寄生電感儲能損耗：這個(gè)損耗就是在對變壓器儲能的時(shí)候，整個(gè)回路的電感都會(huì )儲能；

 

mos關(guān)斷寄生電感能量釋放：這個(gè)能量釋放會(huì )產(chǎn)生噪音，影響EMC，所以很多電源電解電容旁邊并聯(lián)個(gè)麥拉電容吸收這個(gè)能量；

 

所以電解電容在電源中叫濾波電容是針對市電而言的，對變換器來(lái)講，電容卻變成了一個(gè)損耗器件并會(huì )產(chǎn)生諧波。關(guān)于整流二極管的損耗，這里順便說(shuō)一下，0.7V是指PN結的門(mén)檻電壓，不是指二極管導通的時(shí)候總電壓，兩邊的硅半導體依然有其電阻率，所以二極管的電壓是0.7V+I^2R（R為引腳電阻和硅半導體電阻）。因此選用電流更大的二極管其寄生電阻更?。ㄒ驗楣璋雽w寬度變寬）。

 

至于saber的仿真，其實(shí)是在仿真例子電源。5V40A做到90%效率難度是高的，所以必須的掌控好電源的每一個(gè)細節才能做到。只要把器件的寄生參數設計的合理，整個(gè)電源的效率在仿真階段就可以檢討了。

 

在對高效率設計不斷地追求過(guò)程中，其實(shí)更多的是在尋找一種全新的設計手法，重視從實(shí)際產(chǎn)品入手，憑借經(jīng)驗逐步進(jìn)行調試來(lái)完成設計。這樣的設計方式比死磕書(shū)本和用公式推算來(lái)的有效率，并且隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，在未來(lái)將有更多的工具誕生來(lái)輔助我們進(jìn)行設計和定位。