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揭曉:線(xiàn)性穩壓電源被單片機電源取代設計方案

發(fā)布時(shí)間:2014-10-02 責任編輯:echolady

【導讀】開(kāi)關(guān)電源以其穩壓、高效、體積小、重量輕的特點(diǎn)廣泛應用于通信領(lǐng)域、航空航天技術(shù)、以及家電中,取代線(xiàn)性穩壓電源的勢頭高漲。電路的集成化是開(kāi)關(guān)電源的關(guān)鍵因素。單片集成化的實(shí)現是中小功率開(kāi)關(guān)電源的追求。電路保護、控制電路、功率開(kāi)關(guān)管集成于一個(gè)芯片才能構成開(kāi)關(guān)集成穩壓器,也稱(chēng)單片開(kāi)關(guān)電源。
 
高頻變壓器設計
 
對于單片開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō),高頻變壓器采用開(kāi)關(guān)電源計算機輔助設計軟件來(lái)設計。
 
圖1是用該軟件設計的變壓器的結構。
圖1:用該軟件設計的變壓器的結構
 
用TOPswitch—GX設計的250W開(kāi)關(guān)電源
 
TOPSwitch—GX設計的250W開(kāi)關(guān)電源電路如圖2所示。直流電壓經(jīng)變壓器的原邊加到TOPSwitch—GX的漏極D;頻率選擇端F和極限電流設定端X與源極S相連,則該兩端的功能都沒(méi)用,即不從外部設定極限電流,內部自動(dòng)設定自保護電流ILIMIT,開(kāi)關(guān)工作頻率為132K;控制極和光耦LTV817相連,接受反饋信號以實(shí)現對內部集成的高壓功率MOS管占空比的控制;線(xiàn)路檢測端L通過(guò)一2MΩ的電阻和直流高壓輸入的正端相連以實(shí)現過(guò)壓、欠壓線(xiàn)電壓前饋的線(xiàn)電壓檢測。

整個(gè)電路為單端反激式,TOPSwitch—GX為開(kāi)關(guān)集成穩壓器,反饋電路主要有光耦LTV817和與之串連的三個(gè)穩壓二極管構成。電容C1為高頻濾波電容;瞬態(tài)電壓抑制器P6KE200和超快恢復二極管BYV26C構成鉗位電路,并在其中串入RC吸收電路(由R2,R3和C6組成),這樣除了可以吸收部分漏感中的能量以外,還可將電壓鉗位在200V,可使開(kāi)關(guān)電源在啟動(dòng)或過(guò)載的情況下TOPSwitch—GX內部集成MOS管的漏極電壓不超過(guò)700V;光耦LTV817和穩壓二極管(VR2~VR4)構成反饋電路,R6是光耦中LED的限流電阻,它還決定控制環(huán)路的增益,輸出電壓變化時(shí)則流過(guò)光耦中LED的電流相應變化,從而光送到芯片控制極C的電流也相應變化,芯片內部據此產(chǎn)么的PWM信號占空比發(fā)生變化最終使輸出電壓穩定;高頻變壓器T1的副邊輸出經(jīng)過(guò)MURl640CT整流和C9,C10和C11濾波,再經(jīng)過(guò)磁珠L(cháng)1和C12濾掉開(kāi)關(guān)噪聲后,得到輸出電壓;VD4和C14構成軟啟動(dòng)電路。
 
揭曉:線(xiàn)性穩壓電源被單片機電源取代設計方案
圖2:TOPSwitch—GX設計的250W開(kāi)關(guān)電源電路
 
測試結果
 
該電源輸出功率為250W,效率至少為85%,負載調整率為±5%,紋波電壓峰一峰值小于100mV,空載功耗不大于1.4W。
本方案選用TOP249Y設計,輸出功率250W時(shí)工作于其上限功率,故要保持良好的散熱條件(芯片溫度要保持在110℃以下),也可用TOP250Y替換該元件。

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