另外，引線(xiàn)框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架，因此，還非常適用于車(chē)載設備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售，計劃從2014年3月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售。
＜背景＞
在中小容量SDRAM的用途之一車(chē)載設備系統中，工作時(shí)發(fā)生的輻射噪聲會(huì )對高頻段等產(chǎn)生影響，因此，對于提升系統品質(zhì)來(lái)說(shuō)，降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著(zhù)眼于該課題，為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數據輸出波形的特性，早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開(kāi)始搭載按3級改變讀取數據輸出時(shí)的電流驅動(dòng)能力的輸出驅動(dòng)能力調節功能。該功能在車(chē)載領(lǐng)域獲得極高好評，為擴大在需要更大容量SDRAM的用途中的應用范圍，LAPIS Semiconductor開(kāi)發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。
另外，DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展，中小容量SDRAM的供應越來(lái)越不穩定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統DRAM注1，作為唯一可長(cháng)期供貨的日本國內制造商，不僅面向車(chē)載用途市場(chǎng)，而且面向更廣闊的工業(yè)設備市場(chǎng)，正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。
＜新產(chǎn)品詳情＞
1．搭載輸出驅動(dòng)能力調節功能
為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數據輸出波形的特性，搭載變更讀取數據輸出時(shí)的電流驅動(dòng)能力的輸出驅動(dòng)能力調節功能。通過(guò)擴展模式寄存器配置可設定4級驅動(dòng)能力。
本功能有助于實(shí)現適合用戶(hù)系統的電流驅動(dòng)能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對策零部件數量。另外，可按出貨時(shí)固定規格的驅動(dòng)能力設定供貨，即使使用已有的SDRAM控制器無(wú)需配置擴展模式寄存器，即可使用最佳的輸出驅動(dòng)能力設定的產(chǎn)品。
2．采用銅引線(xiàn)框架
為滿(mǎn)足車(chē)載設備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求，本產(chǎn)品采用連接可靠性?xún)?yōu)異的銅(Cu)引線(xiàn)框架。與以往的42合金引線(xiàn)框架相比，其與PCB板的熱膨脹系數更相近，因此，提高了焊接連接可靠性，滿(mǎn)足了汽車(chē)廠(chǎng)家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹循環(huán)標準。另外，還同時(shí)抑制了錫晶須不良的發(fā)生。
3．滿(mǎn)足車(chē)載品質(zhì)
為實(shí)現高品質(zhì)，支持定制符合客戶(hù)要求品質(zhì)的測試工序。
4．芯片銷(xiāo)售遵循KGD(Known Good Die)保證
從晶圓級保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì)，通過(guò)與客戶(hù)的使用方法相匹配的測試工序，提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。
LAPIS Semiconductor今后也會(huì )以不斷推出客戶(hù)放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長(cháng)期穩定供應為目標，進(jìn)一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不斷擴充傳統DRAM注1產(chǎn)品的陣容。
【銷(xiāo)售計劃】
?產(chǎn)品名 ：MD56V72160C / MD56V82160A
?包裝形態(tài) ：托盤(pán)1080個(gè)
?樣品出售時(shí)間 ：樣品出售中
?樣品價(jià)格（參考）：MD56V72160C 360日元（不含稅）
MD56V82160A 520日元（不含稅）
?量產(chǎn)出售計劃 ：2014年3月開(kāi)始
【產(chǎn)品概要/特點(diǎn)】
?規格 ：滿(mǎn)足JEDEC標準規格
?存儲器結構 ：4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C) 4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)
?地址大小 ：4,096行 × 512列(MD56V72160C) 8,192行 × 512列(MD56V82160A)
?工作頻率 ：166MHz(max.)
?接口 ：LVTTL兼容
?功能 ：通用SDRAM指令接口
?電源電壓 ：3.3V±0.3V
?工作溫度范圍 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃
?刷新 ：自動(dòng)刷新時(shí) 4,096次/64msec(MD56V72160C) 8,192次/64msec(MD56V82160A) 自刷新
?消耗電流(Typ.) ：工作時(shí)(166MHz) 100mA (MD56V72160C) 150mA (MD56V82160A)
待機時(shí)(動(dòng)態(tài)待機時(shí)) 50mA (MD56V72160C) 65mA (MD56V82160A) 關(guān)機時(shí) 3mA
?封裝 ：54Pin TSOP 銅引線(xiàn)框架、滿(mǎn)足RoHS指令、無(wú)鉛、無(wú)鹵
