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教你如何設計出更智能纖薄的電源?

發(fā)布時(shí)間:2014-02-26 責任編輯:sherryyu

【導讀】如何設計出可提供高開(kāi)關(guān)能效,降低電磁干擾(EMI),簡(jiǎn)化電磁的屏蔽或抑制的更只能呢過(guò)更纖薄的電源呢?本文為大家介紹反激及功率因數校正(PFC)組合型控制器管理電源的詳細設計,看看其是如何提升功能集成度,增強開(kāi)關(guān)性能,令設計人員減少電源設計過(guò)程中的器件數量的。

隨著(zhù)個(gè)人計算機(PC)及電視機采用更纖薄優(yōu)雅的外形因數,電源必須降低厚度,超便攜計算機用的適配器也必須變成緊湊輕巧的旅行伴侶。

為了幫助符合此類(lèi)目標,準方波諧振(QR)電源提供高開(kāi)關(guān)能效,還幫助降低電磁干擾(EMI),能簡(jiǎn)化電磁的屏蔽或抑制。反激及功率因數校正(PFC)組合型控制器管理電源,令設計人員能夠減少器件數量。此外,通過(guò)在低負載/空載條件下關(guān)閉PFC,控制器還能提升待機能效。此類(lèi)器件的路線(xiàn)圖正趨向進(jìn)一步提升功能集成度,及增強開(kāi)關(guān)性能,用以降低可聽(tīng)噪聲。

組合型QR/PFC控制器

市場(chǎng)上存在多種包含PFC及準諧振反激反激控制功能、采用單個(gè)封裝的組合型器件。高壓集成電路(IC)技術(shù)容許采用經(jīng)過(guò)整流的交流線(xiàn)電路來(lái)直接啟動(dòng)。邏輯電路控制反激及PFC開(kāi)關(guān)波形,以及其它功能,如軟啟動(dòng),過(guò)流、過(guò)壓及過(guò)溫保護等保護功能,安全重啟,及退磁檢測。

在正常工作期間,PFC通將無(wú)功功率(reactive power)降至最低及防止線(xiàn)電壓失真來(lái)提升能效。電器在功率高于70 W時(shí)強制要求PFC;但功率等級低于70 W時(shí)則不要求PFC,其間PFC電路的能耗可能會(huì )降低能效。為了節省這些能耗,市場(chǎng)上某些反激/PFC組合控制器能夠在輕載時(shí)及關(guān)閉模式下關(guān)閉PFC電路,并因此提升能效。

安森美半導體的 NCP1937組合型PFC及準諧振反激控制器提供一項新穎的功能,令用戶(hù)可以根據輸出功率占滿(mǎn)載功率的百分比來(lái)設定PFC關(guān)閉閾值。內部電路產(chǎn)生跟輸出功率成正比例的電流,此電流使用外部電阻及電容來(lái)調節和平均,以產(chǎn)生與輸出功率成正比的電壓。此IC結合使用此電壓及集成的PFC關(guān)閉定時(shí)器和隨著(zhù)線(xiàn)電壓變化的參考電壓,以協(xié)調PFC的關(guān)閉和重新啟用。這就使PFC段能夠在低線(xiàn)電壓下25%至50%負載及高線(xiàn)電壓下50%至75%負載期間關(guān)閉。上電期間 PFC段也關(guān)閉,直至反激軟啟動(dòng)定時(shí)到期。此外,通斷開(kāi)反饋連接來(lái)關(guān)閉PFC所需的電路也集成在此器件中。傳統組合型器件要求包含MOSFET電路的外部反饋連接,以根據要求斷開(kāi)或閉合回路。圖1展示了PFC導通/關(guān)閉控制電路。

PFC導通/關(guān)閉控制集成電路

圖1. PFC導通/關(guān)閉控制集成電路。

此功能提供了一個(gè)示例,彰顯高壓IC技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)步如何使制造商能夠提供更高集成度的控制器,使電源設計人員能夠省去額外的外部電路,并進(jìn)一步提升完整負載范圍下的能效。帶有高壓功能的IC提供的數字功能通常有限。如今,更高端的高壓工藝配合更小的數字特征尺寸,容許增加額外的芯片內建功能,使設計人員能夠以比以往盡可能小的外形因子,構建更加智能及更高精度的電源方案。

改進(jìn)的關(guān)鍵細節

安森美半導體的700 V高壓工藝還使此控制器能夠集成用于在A(yíng)C線(xiàn)電壓移除時(shí)對X2輸入濾波電容放電(一項安全機構標準要求的功能)的大多數電路。這就節省PCB空間及用于 X2電容放電之外部電阻網(wǎng)絡(luò )的能耗。NCP1937控制器包含兩個(gè)高壓?jiǎn)?dòng)電路,并且使用了一種新穎的方法來(lái)重新配置這些電路,從而在交流線(xiàn)電路移除的情況下對輸入濾波電容放電。

此高端工藝還能集成其它功能,幫助節省幾個(gè)外部器件;這些功能包括省電模式(PSM)功能,此功能將供電電流降至低于70 μA。傳統反激控制IC采用的典型方法是使用有源關(guān)閉(active-off)集成來(lái)啟用低功率模式,此方法要求額外的偏置電流來(lái)下拉次級端的光耦,降低了系統總能效。相比較而言,NCP1937包含內置電路,無(wú)須此類(lèi)偏置電流,因而在空載條件下提升系統能效。

增加的數字集成功能及高級的700 V高壓工藝,還支援芯片置建應用更多保護功能所要求的電路,如故障檢測、電流感測及過(guò)功率補償,降低了對外部器件的依賴(lài)。
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更佳用戶(hù)體驗

反激轉換器的QR工作目前在膝上型計算機電源適配器及電視中很流行,主要歸功于零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或谷底開(kāi)關(guān)技術(shù),此技術(shù)相較于硬開(kāi)關(guān)技術(shù)提升了開(kāi)關(guān)能效,且產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)更低。

QR 轉換器的開(kāi)關(guān)頻率本質(zhì)上會(huì )根據輸入及輸出負載條件而變化,而且往往會(huì )隨著(zhù)輸出負載下降而增加。在傳統QR轉換器中,自激(free-running)頻率通常鉗位在125 kHz,低于150 kHz的CISPR-22 EMI起點(diǎn)。因此,在輕載條件下,MOSFET無(wú)法在一檢測到谷底時(shí)就導通,但必須等候8 μs定時(shí)到期,因此導致某些谷底被略過(guò)。然而,如果輸出功率處于某個(gè)等級,以致于逐周期能量均衡所需的關(guān)閉時(shí)間下降到相鄰兩個(gè)谷底之間,兩個(gè)或三個(gè)周期的第一谷底開(kāi)關(guān)之后可能接續的是一個(gè)周期的第二谷底開(kāi)關(guān)。這種現象稱(chēng)作谷底跳頻,導致開(kāi)關(guān)頻率大幅變化,此變化被峰值電流的大幅變化補償,最終使變壓器出現可聽(tīng)噪聲。

跳周期或頻率反走工作通常用于在實(shí)現頻率鉗位后降低開(kāi)關(guān)頻率。這在提升輕載能效方面很有效,但不會(huì )防止谷底跳頻。這種方法的另一項缺點(diǎn)是要求的開(kāi)關(guān)頻率相對較低,通常在30 kHz左右,需要更大的變壓器。

安森美半導體具有專(zhuān)利的谷底鎖定(Valley Lockout)技術(shù)省去谷底跳頻,憑借的是將轉換器鎖定在它選擇的谷底,直至檢測到輸出功率明顯變化。就NCP1937而言,此器件通過(guò)使用一些比較器來(lái)監測反饋接腳上的電壓并將此信息饋送給計數器來(lái)實(shí)現此功能。每個(gè)比較器上的遲滯鎖定工作谷底。此外,以壓控振蕩器(VCO)為基礎的頻率反走電路隨著(zhù)輸出功率下降而降低開(kāi)關(guān)頻率,進(jìn)一步提升了輕載能效。

安森美半導體的谷底鎖定檢測電路

圖2. 安森美半導體的谷底鎖定檢測電路。

此項創(chuàng )新提供更優(yōu)異的能效及更佳的用戶(hù)體驗,還結合了反激/PFC組合控制器恰當工作所必需的更高芯片內置功能集成度,使設計人員能夠符合當今消費及商業(yè)電子市場(chǎng)的要求。

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