ST超高速串聯(lián)二極管自問(wèn)世以來(lái)一直深受市場(chǎng)歡迎，至今出貨量已超過(guò)5千萬(wàn)顆。為了讓設計人員以更高成本效益提升電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)交通工具充電樁的能效，意法半導體（ST）推出了第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管（tandem diodes）。與ST第一代產(chǎn)品相比，新的超高速串聯(lián)二極管產(chǎn)品降低了反向恢復電荷(QRR，reverse-recovery charge)，從而能夠最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗，能效優(yōu)勢高于標準超高速二極管。QRR 參數變低還有助于加快電路設計的微調速度，縮短設備廠(chǎng)商的新產(chǎn)品上市時(shí)間。

第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管性能在開(kāi)關(guān)頻率高達100KHz和結溫低于100攝氏度時(shí)，可與碳化硅二極管相媲美，但價(jià)格比碳化硅二極管低至少30%。SiC二極管的性能不受結溫的影響，在結溫高于100攝氏度時(shí)，SiC二極管性能高于超高速串聯(lián)二極管。目前ST已開(kāi)發(fā)出650V、20A的SiC二極管，使得其SiC二極管產(chǎn)品系列支持正向電流為4A、6A、8A、12A和20A的不同應用。

ST第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管包括平均正向電流為8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI與 12A的STTH12T06DI，屬于意法半導體600V串聯(lián)二極管系列。新產(chǎn)品的正向涌流峰值與超高速二極管相同，確保穩健性和可靠性，工作結溫范圍寬達 -40°C到 175°C。

這三款器件現已全部投入量產(chǎn)，采用TO-220AC絕緣散熱柱型封裝。