【導讀】東芝推出新款N溝道低導通電阻MOSFET，可用于鋰離子電池保護電路和手機電源管理開(kāi)關(guān)。采用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能和高抗雪崩性能。
東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產(chǎn)品采用最新的第八代工藝打造，可用于鋰離子電池保護電路和手機電源管理開(kāi)關(guān)。其他兩款第八代產(chǎn)品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到該產(chǎn)品系列中，成為現有型號的換代產(chǎn)品。所有三款產(chǎn)品均有助于降低設備厚度和總體尺寸，并可提高效率。
應用
鋰離子電池保護電路
手機電源管理開(kāi)關(guān)
主要特點(diǎn)
由于采用了最新的第八代工藝，因此產(chǎn)品的導通電阻比現有的東芝產(chǎn)品要低。
采用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能。
高抗雪崩性能。
