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NTSxxx100CTG:安森美100伏溝槽型低正向壓降肖特基整流器

發(fā)布時(shí)間:2011-12-14 來(lái)源:安森美半導體

產(chǎn)品特性:

  • 采用溝槽拓撲結構
  • 提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流

應用范圍:


應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR),用于筆記本適配器或平板顯示器的開(kāi)關(guān)電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓撲結構,提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流,因而導電損耗低及大幅提升的電路能效,幫助設計工程師符合高能效標準規范要求,不會(huì )增加復雜度,例如無(wú)須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構,在正向偏置條件下提供更大的導電區,因而顯著(zhù)降低正向壓降。在反向偏置條件下,此結構產(chǎn)生“夾斷”(pinch-off)效應,從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同,安森美半導體的溝槽型LVFR的開(kāi)關(guān)性能在-40 °C至+150 °C的整個(gè)工作結點(diǎn)溫度范圍內都很優(yōu)異。

為了證明LVFR的優(yōu)勢,安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進(jìn)行比較?;?5 W電源適配器測試的數據顯示,使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著(zhù)的能效提升使電源設計人員能夠符合規范要求,同時(shí)不增加方案的復雜度及成本,例如無(wú)須同步整流。

安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經(jīng)理John Trice說(shuō):“我們的客戶(hù)力求其產(chǎn)品設計更高能效,面市已久的平面型肖特基整流器根本無(wú)法高性?xún)r(jià)比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度范圍內提供優(yōu)異正向壓降及反向漏電流性能,超出我們客戶(hù)提升電源能效的嚴格規格。”

安森美半導體新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示:

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