中心議題：

• IGBT保護電路設計必備知識

解決方案：

• 過(guò)流保護
• 過(guò)壓保護
• 過(guò)熱保護

本文論述了IGBT的過(guò)流保護、過(guò)壓保護與過(guò)熱保護相關(guān)問(wèn)題，并從實(shí)際應用中總結出各種保護方法，這些方法實(shí)用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設計必備知識。

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點(diǎn)，因而廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差，一旦出現意外就會(huì )使它損壞。為此，必須但對IGBT進(jìn)行相關(guān)保護。

 過(guò)流保護

生產(chǎn)廠(chǎng)家對IGBT提供的安全工作區有嚴格的限制條件，且IGBT承受過(guò)電流的時(shí)間僅為幾微秒（SCR、GTR等器件承受過(guò)流時(shí)間為幾十微秒），耐過(guò)流量小，因此使用IGBT首要注意的是過(guò)流保護。產(chǎn)生過(guò)流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線(xiàn)接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。

對IGBT的過(guò)流檢測保護分兩種情況：

（1）驅動(dòng)電路中無(wú)保護功能。這時(shí)在主電路中要設置過(guò)流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中，如圖1（a）所示，通過(guò)電阻兩端的電壓來(lái)反映電流的大??；對于大中容量變頻器，因電流大，需用電流互感器TA（如霍爾傳感器等）。電流互感器所接位置：一是像串電阻那樣串接在主回路中，如圖1（a）中的虛線(xiàn)所示；二是串接在每個(gè)IGBT上，如圖1（b）所示。前者只用一個(gè)電流互感器檢測流過(guò)IGBT的總電流，經(jīng)濟簡(jiǎn)單，但檢測精度較差；后者直接反映每個(gè)IGBT的電流，測量精度高，但需6個(gè)電流互感器。過(guò)電流檢測出來(lái)的電流信號，經(jīng)光耦管向控制電路輸出封鎖信號，從而關(guān)斷IGBT的觸發(fā)，實(shí)現過(guò)流保護。
                        　　
                                                   圖1 IGBT的過(guò)流檢測

（2）驅動(dòng)電路中設有保護功能。如日本英達公司的HR065、富士電機的EXB840～844、三菱公司的M57962L等，是集驅動(dòng)與保護功能于一體的集成電路（稱(chēng)為混合驅動(dòng)模塊），其電流檢測是利用在某一正向柵壓 Uge下，正向導通管壓降Uce（ON）與集電極電流Ie成正比的特性，通過(guò)檢測Uce（ON）的大小來(lái)判斷Ie的大小，產(chǎn)品的可靠性高。不同型號的混合驅動(dòng)模塊，其輸出能力、開(kāi)關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時(shí)要根據實(shí)際情況恰當選用。

由于混合驅動(dòng)模塊本身的過(guò)流保護臨界電壓動(dòng)作值是固定的（一般為7～10V），因而存在著(zhù)一個(gè)與IGBT配合的問(wèn)題。通常采用的方法是調整串聯(lián)在 IGBT集電極與驅動(dòng)模塊之間的二極管V的個(gè)數，如圖2（a）所示，使這些二極管的通態(tài)壓降之和等于或略大于驅動(dòng)模塊過(guò)流保護動(dòng)作電壓與IGBT的通態(tài)飽和壓降Uce（ON）之差。
               
                                  圖2 混合驅動(dòng)模塊與IGBT過(guò)流保護的配合

上述用改變二極管的個(gè)數來(lái)調整過(guò)流保護動(dòng)作點(diǎn)的方法，雖然簡(jiǎn)單實(shí)用，但精度不高。這是因為每個(gè)二極管的通態(tài)壓降為固定值，使得驅動(dòng)模塊與IGBT集電極c之間的電壓不能連續可調。在實(shí)際工作中，改進(jìn)方法有兩種：

（1）改變二極管的型號與個(gè)數相結合。例如，IGBT的通態(tài)飽和壓降為2.65V，驅動(dòng)模塊過(guò)流保護臨界動(dòng)作電壓值為 7.84V時(shí)，那么整個(gè)二極管上的通態(tài)壓降之和應為7.84-2.65=5.19V，此時(shí)選用7個(gè)硅二極管與1個(gè)鍺二極管串聯(lián)，其通態(tài)壓降之和為 0.7×7+0.3×1=5.20V（硅管視為0.7V，鍺管視為0.3V），則能較好地實(shí)現配合（2）二極管與電阻相結合。由于二極管通態(tài)壓降的差異性，上述改進(jìn)方法很難精確設定IGBT過(guò)流保護的臨界動(dòng)作電壓值 如果用電阻取代1～2個(gè)二極管，如圖2（b），則可做到精確配合。

另外，由于同一橋臂上的兩個(gè)IGBT的控制信號重疊或開(kāi)關(guān)器件本身延時(shí)過(guò)長(cháng)等原因，使上下兩個(gè)IGBT直通，橋臂短路，此時(shí)電流的上升率和浪涌沖擊電流都很大，極易損壞IGBT 為此，還可以設置橋臂互鎖保護，如圖3所示。圖中用兩個(gè)與門(mén)對同一橋臂上的兩個(gè)IGBT的驅動(dòng)信號進(jìn)行互鎖，使每個(gè)IGBT的工作狀態(tài)都互為另一個(gè) IGBT驅動(dòng)信號可否通過(guò)的制約條件，只有在一個(gè)IGBT被確認關(guān)斷后，另一個(gè)IGBT才能導通，這樣嚴格防止了臂橋短路引起過(guò)流情況的出現。[page]
                          
                         圖3 IGBT橋臂直通短路保護

 過(guò)壓保護

IGBT在由導通狀態(tài)關(guān)斷時(shí)，電流Ic突然變小，由于電路中的雜散電感與負載電感的作用，將在IGBT的c、e兩端產(chǎn)生很高的浪涌尖峰電壓uce=L dic/dt，加之IGBT的耐過(guò)壓能力較差，這樣就會(huì )使IGBT擊穿，因此，其過(guò)壓保護也是十分重要的。過(guò)壓保護可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行：

（1）盡可能減少電路中的雜散電感。作為模塊設計制造者來(lái)說(shuō)，要優(yōu)化模塊內部結構（如采用分層電路、縮小有效回路面積等），減少寄生電感；作為使用者來(lái)說(shuō)，要優(yōu)化主電路結構（采用分層布線(xiàn)、盡量縮短聯(lián)接線(xiàn)等），減少雜散電感。另外，在整個(gè)線(xiàn)路上多加一些低阻低感的退耦電容，進(jìn)一步減少線(xiàn)路電感。所有這些，對于直接減少I(mǎi)GBT的關(guān)斷過(guò)電壓均有較好的效果。

（2）采用吸收回路。吸收回路的作用是；當IGBT關(guān)斷時(shí)，吸收電感中釋放的能量，以降低關(guān)斷過(guò)電壓。常用的吸收回路有兩種，如圖4所示。其中（a）圖為充放電吸收回路，（b）圖為鉗位式吸收回路。對于電路中元件的選用，在實(shí)際工作中，電容c選用高頻低感圈繞聚乙烯或聚丙烯電容，也可選用陶瓷電容，容量為2 F左右。電容量選得大一些，對浪涌尖峰電壓的抑制好一些，但過(guò)大會(huì )受到放電時(shí)間的限制。電阻R選用氧化膜無(wú)感電阻，其阻值的確定要滿(mǎn)足放電時(shí)間明顯小于主電路開(kāi)關(guān)周期的要求，可按R≤T/6C計算，T為主電路的開(kāi)關(guān)周期。二極管V應選用正向過(guò)渡電壓低、逆向恢復時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。

（3）適當增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明，Rg增大，使IGBT的開(kāi)關(guān)速度減慢，能明顯減少開(kāi)關(guān)過(guò)電壓尖峰，但相應的增加了開(kāi)關(guān)損耗，使IGBT發(fā)熱增多，要配合進(jìn)行過(guò)熱保護。Rg阻值的選擇原則是：在開(kāi)關(guān)損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻，實(shí)際工作中按Rg=3000/Ic 選取。
                         
                                             圖4 吸收回路

除了上述減少c、e之間的過(guò)電壓之外，為防止柵極電荷積累、柵源電壓出現尖峰損壞 IGBT，可在g、e之間設置一些保護元件，電路如圖5所示。電阻R的作用是使柵極積累電荷泄放，其阻值可取4.7kΩ；兩個(gè)反向串聯(lián)的穩壓二極管V1、 V2。是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。
                                 
                       圖5 防柵極電荷積累與柵源電壓尖峰的保護

過(guò)熱保護

IGBT 的損耗功率主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，前者隨開(kāi)關(guān)頻率的增高而增大，占整個(gè)損耗的主要部分；后者是IGBT控制的平均電流與電源電壓的乘積。由于IGBT是大功率半導體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多（尤其是Rg選擇偏大時(shí)），加之IGBT的結溫不能超過(guò)125℃，不宜長(cháng)期工作在較高溫度下，因此要采取恰當的散熱措施進(jìn)行過(guò)熱保護。

散熱一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進(jìn)行強迫風(fēng)冷。散熱器的結構設計應滿(mǎn)足：Tj=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm　　式中Tj－IGBT的工作結溫

　　P△－損耗功率

　　Rjc－結－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng)

　　Rcs－殼－散熱器熱阻

　　Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻

　　Tjm－IGBT的最高結溫

在實(shí)際工作中，我們采用普通散熱器與強迫風(fēng)冷相結合的措施，并在散熱器上安裝溫度開(kāi)關(guān)。當溫度達到75℃～80℃時(shí)，通過(guò) SG3525的關(guān)閉信號停止PMW 發(fā)送控制信號，從而使驅動(dòng)器封鎖IGBT的開(kāi)關(guān)輸出，并予以關(guān)斷保護。