- 功率電晶體平均銷(xiāo)售價(jià)格會(huì )出現些微下滑的跡象
- 2011年功率電晶體市場(chǎng)規模將達131億美元
- 間離散式 IGBT 電晶體的CAGR預測為6.5%，營(yíng)收規模在2015年可達12億美元
市場(chǎng)研究機構IC Insights預測，全球功率電晶體(power transistors)市場(chǎng)2011年將達到131億美元營(yíng)收規模，較2010年成長(cháng)9%；該市場(chǎng)在 2010年的成長(cháng)率為44%。IC Insights指出，功率電晶體市場(chǎng)的成長(cháng)動(dòng)力，來(lái)自汽車(chē)、可攜式產(chǎn)品、替代能源與省電設備等應用領(lǐng)域。
不過(guò) IC Insights 也指出，功率電晶體平均銷(xiāo)售價(jià)格會(huì )出現些微下滑的跡象；該市場(chǎng) 2011年全球出貨量預期可成長(cháng)11%，達到588億顆的新高紀錄，主要得益於該元件在汽車(chē)電子、新一代再生能源系統、電池供電可攜式產(chǎn)品，以及各類(lèi)設備運用的高效率電源供應器應用領(lǐng)域，優(yōu)於平均水準的銷(xiāo)售表現。
在功率電晶體市場(chǎng)中，內建IGBT之模組銷(xiāo)售金額，預期可在 2011年成長(cháng)10%，達到25億美元規模；同時(shí)間IGBT電晶體元件與功率 FET什么是FET? 市場(chǎng)，則預測可成長(cháng)9%，分別達到9.6億美元與69億美元的營(yíng)收規模。
2011年功率電晶體市場(chǎng)規模將達131億美元
2011年功率電晶體市場(chǎng)營(yíng)收預測
根據IC Insight的預測，整體功率電晶體市場(chǎng)營(yíng)收將在2010至2015年間，取得6.4%的復合年平均成長(cháng)率(CAGR)，在2015年達到163億美元規模；同時(shí)期低電壓(200V以下)功率FET市場(chǎng)CAGR為6.7%，到2015年營(yíng)收規?？蛇_164億美元。
IGBT模組在2010~2015年間的CAGR預測為7.0%，在2015年達到32億美元營(yíng)收規模；同期間離散式 IGBT 電晶體的CAGR預測為6.5%，營(yíng)收規模在2015年可達12億美元。
