產(chǎn)品特性：

• 快開(kāi)關(guān)速度
• 高功率密度
• 堅固耐用的單片式結構
• 關(guān)斷拖尾電流極小

應用范圍：

• 適合高頻 DC-DC 應用
• 節能汽車(chē)

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商——國際整流器公司推出適用于DC-DC節能汽車(chē)應用的 AUIRS2191S 600V 驅動(dòng) IC 和 AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 。
 
新器件具有非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度和高功率密度，非常適合高頻 DC-DC 應用，包括用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)的高功率 DC-DC 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 轉換器。

AUIRS2191S 雙通道 600V 驅動(dòng) IC 可使半橋式拓撲結構中的高側和低側實(shí)現獨立控制。該器件可提供高達3.5 A/-3.5A (源/匯) 的電流能力，具有非?？斓膫鞑パ舆t時(shí)間 (典型值達到 90ns) ，使開(kāi)關(guān)可以高度響應驅動(dòng)器指令。該集成電路的高側和低側具有獨立控制功能，并可定制死區時(shí)間以實(shí)現最低功耗，兩個(gè)通道還可匹配傳播延遲。該產(chǎn)品還提供高達 150?C 的工作結溫和雙通道欠壓鎖定功能，從 COM 電源接地引腳中分離出來(lái)的邏輯接地偏移引腳 Vss 對于 COM 瞬態(tài)電壓變化具有更高的免疫力。

AUIRS2191S IC采用專(zhuān)有的高壓集成電路 (HVIC) 和閉鎖免疫CMOS技術(shù)，可提供堅固耐用的單片式結構。輸出驅動(dòng)器具有適用于最低驅動(dòng)跨導的高脈沖電流緩沖級。浮動(dòng)通道可用來(lái)驅動(dòng)高側配置中的 N 溝道功率 MOSFET 或 IGBT，工作電壓最高可達600V。此外，這些器件具有基準負電壓尖峰免疫力，即使在極端開(kāi)關(guān)條件和短路情況下也能實(shí)現可靠運行。

AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型絕緣柵雙極晶體管與 25A 超快軟恢復二極管共同封裝，開(kāi)關(guān)速度高達150kHz，使其成為高功率SMPS應用中MOSFET的理想替代產(chǎn)品。這款新型車(chē)用IGBT器件利用IR的薄晶圓制造技術(shù)，有助于縮短少數載流子的消耗時(shí)間，加快關(guān)斷速度。

該器件的關(guān)斷拖尾電流極小，關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗很低，有助于設計人員提高電路的工作頻率。該產(chǎn)品具備更完善的開(kāi)關(guān)性能，配合經(jīng)優(yōu)化的正溫度系數特性和更低的柵極導通電荷，有效提升了電流密度。在并行模式下，正溫度系數能發(fā)揮安全、可靠、高效的電流共享性能。

IR 亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR 一直致力于提供領(lǐng)先的汽車(chē)專(zhuān)用解決方案，這些新器件有效地滿(mǎn)足了 DC-DC 汽車(chē)應用對高速和高壓的需求。新器件符合 AEC- Q10x 標準，是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。