新聞事件：

• 拓鋒參展第75屆中國電子展

行業(yè)影響：

• 拓鋒強調技術(shù)與誠信，為客戶(hù)提供更多價(jià)值
• 本土分立半導體廠(chǎng)商走向品牌之路

深圳市拓鋒半導體科技有限公司專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售半導體分立器件，產(chǎn)品包括BJT、MOSFET、LDO、二極管、三端穩壓器等，雖然沒(méi)有自己的工廠(chǎng)，但拓鋒依靠自己的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)信息積累，通過(guò)從大陸、臺灣、香港、日本等地區的晶圓廠(chǎng)購買(mǎi)芯片，委托國內封裝廠(chǎng)進(jìn)行封裝，并通過(guò)自己專(zhuān)業(yè)的銷(xiāo)售團隊服務(wù)珠三角地區客戶(hù)，力圖打造本土分立半導體的領(lǐng)先品牌。拓鋒的業(yè)務(wù)模式非常類(lèi)似集成電路領(lǐng)域的無(wú)晶圓設計公司（Fabless），也許有工程師朋友會(huì )質(zhì)疑分立半導體相比集成電路對設計要求不高，而全靠制造工藝，而事實(shí)上分立半導體在器件技術(shù)參數、質(zhì)量控制、應用選型方面，同樣需要深厚的技術(shù)積累和豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗。

圖：拓鋒半導體展臺

在拓鋒半導體的展臺，電子元件技術(shù)網(wǎng)有幸采訪(fǎng)到拓鋒半導體總經(jīng)理林有親先生。林老在半導體器件物理和集成電路制造、電路設計領(lǐng)域有三十多年的從業(yè)經(jīng)驗，先后在中科院物理研究所、航天九院771研究所擔任技術(shù)骨干，并在退休后創(chuàng )建了拓鋒半導體。林有親表示，拓鋒半導體一直強調技術(shù)和誠信的企業(yè)方針，并將產(chǎn)品質(zhì)量和客戶(hù)服務(wù)放在首位。

本次參展拓鋒主打MOSFET系列產(chǎn)品，林有親介紹，拓鋒的TRENCH MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)包括SI23XX系列、AO34XX系列、2SK3018系列、BSS138、XP151A等，產(chǎn)品按VISHAY公司和ALPHA§OMEGA等公司的同型號電參數規格測試，確保產(chǎn)品規格和品質(zhì)。此外，拓鋒許多產(chǎn)品都采用了8英寸晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)品，相比以往AO的6英寸晶圓的電參數標準具備更低的漏電流和導通電阻RDS(on)，性能更優(yōu)。

拓鋒半導體總經(jīng)理林有親

目前拓鋒MOSFET產(chǎn)品的客戶(hù)主要主要以數碼類(lèi)為主，比如MP3/MP4/MP5硬盤(pán)播放器、數碼相框、數碼相機、液晶驅動(dòng)、移動(dòng)DVD、網(wǎng)絡(luò )播放器、DVD解碼板、筆記本電腦、手機、DV攝像機等、電子書(shū)、車(chē)載DVD等應用，主要還是面向低功率市場(chǎng)。林有親表示，未來(lái)會(huì )繼續拓展MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)，并向中高壓、大電流領(lǐng)域滲透。林總舉例說(shuō)，比如我們有做電動(dòng)小飛機的客戶(hù)，由于馬達功率較高，要求MOSFET電流達到30A，而針對許多電機、馬達驅動(dòng)的應用也需要電流達到幾安到幾十安培，使用較大導通電流的MOSFET有助于減少并聯(lián)的MOSFET的數量并增加設計余量。對于目前熱門(mén)的電動(dòng)自行車(chē)應用，通常需要MOSFET電流達到70安培以上，電壓達到100V以上。林總透露，拓鋒目前也在準備進(jìn)入LED市場(chǎng)。

受益于中國電子制造業(yè)的快速發(fā)展，國內分立半導體廠(chǎng)商進(jìn)步很快，不過(guò)相比國際領(lǐng)先廠(chǎng)商還是有一定差距。“在高端領(lǐng)域還是國際廠(chǎng)商的天下，不過(guò)在中低端的應用中國內廠(chǎng)商的產(chǎn)品已經(jīng)與國外大廠(chǎng)不相上下，我們的產(chǎn)品完全按照Vishay等國際大廠(chǎng)的電參標準，只有在一些二級參數方面略有差距，” 林有親表示，“比如漏電流要求在100nA以下的產(chǎn)品，也許Vishay能做到50nA，但我們也能做到80nA，相比來(lái)說(shuō)我們產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比具備更大的優(yōu)勢。”

隨著(zhù)半導體工藝的進(jìn)步，分立半導體也在不斷經(jīng)歷技術(shù)變革，從VDMOS到TRENCH MOS，MOSFET的導通電流得以不斷提升，不斷改善的工藝讓MOSFET向高輸出、高密度、高頻率、高效率發(fā)展；新型QFN、BGA、SO-8、Direct FET等封裝技術(shù)也讓MOSFET體積不斷縮小，散熱性能不斷提高；而新型低VCEsat的BJT也有望在中功率應用中挑戰MOSFET的地位。本土廠(chǎng)商在分立半導體領(lǐng)域起步較晚，需要不斷提升技術(shù)和品質(zhì)，并努力創(chuàng )新，才能在競爭中不斷前進(jìn)。