產(chǎn)品特性：
- 以L(fǎng)FPAK為封裝
- 符合Q101標準
- 汽車(chē)電子
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日成為首個(gè)發(fā)布以L(fǎng)FPAK為封裝（一種緊湊型熱增強無(wú)損耗的封裝）全系列汽車(chē)功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。
隨著(zhù)對電子應用不斷增長(cháng)的消費需求，汽車(chē)OEM廠(chǎng)商面臨在汽車(chē)的有限空間中引入新功能的挑戰，同時(shí)要保持燃油效率、電子穩定性和可靠性。LFPAK是恩智浦針對汽車(chē)應用推出的創(chuàng )新解決方案，具有功率器件封裝可靠、散熱性能高，尺寸大幅縮小等優(yōu)點(diǎn)。其封裝設計經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能為汽車(chē)OEM廠(chǎng)商帶來(lái)最佳的散熱和電器性能，低成本和高可靠性。它克服了SO8的散熱限制，使其熱阻與DPAK這樣更大的功率封裝相當。
恩智浦LFPAK封裝利用銅片設計降低了封裝的電阻和電感，從而減少了RDS(on)和MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。LFPAK為設計者提供了具有與DPAK相似的電氣和散熱性能，但面積減小了46%的MOSFET。這有助于設計比以前更小的解決方案，或者，在無(wú)需增大模塊尺寸或降低可靠性的前提下，通過(guò)為現有設計增加新特性將功率密度提高46%。恩智浦的全系列LFPAK產(chǎn)品允許設計者根據應用需求挑選器件，同時(shí)根據需求的變化改變自己的選擇。
恩智浦半導體高級產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Norman Stapelberg表示：“我們相信恩智浦的LFPAK在汽車(chē)市場(chǎng)中將作為最可靠的功率MOSFET封裝成為新的業(yè)界標準。它使汽車(chē)OEM廠(chǎng)商能夠開(kāi)發(fā)更緊湊的模塊?？蛻?hù)的反饋不斷表明，LFPAK比競爭對手的QFN和微引腳器件更可靠。LFPAK的推出表明恩智浦繼續致力于為汽車(chē)工業(yè)開(kāi)發(fā)并制造低電壓MOSFET。”
相對于市場(chǎng)上所有符合汽車(chē)工業(yè)標準的功率SO-8封裝MOSFET，恩智浦的LFPAK系列產(chǎn)品在5個(gè)電壓級別上提供最佳的性能和可靠性。
