產(chǎn)品特性：

• 耐壓650V
• STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）
• STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）
• 采用了改進(jìn)Super Junction結構

應用范圍：

• 太陽(yáng)能電池功率調節器

意法半導體（ST）開(kāi)發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調節器的MOSFET。耐壓650V，有最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。

此前，太陽(yáng)能電池功率調節器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。

ST公司通過(guò)改進(jìn)Super Junction結構，實(shí)現了耐壓650V的低導通電阻。具體而言，將在n型底板垂直方向上伸長(cháng)的p型區域的寬度和間隔減少一半，使單位面積的導通電阻由原來(lái)的約30mΩcm2降至約20mΩcm2。

為涉足太陽(yáng)能電池市場(chǎng)，ST公司此次將主要面向筆記本電腦AC適配器和平板電視的該公司原產(chǎn)品的600V耐壓設定為650V。耐壓值是25℃下的測量結果。由于隨著(zhù)溫度降低，耐壓也降低，因此針對有時(shí)設置在室外的太陽(yáng)能電池系統，提高了耐壓。

STY112N65M5和STW77N65M5均將于2009年4月開(kāi)始供應樣品。