【導讀】在本次實(shí)驗中，將使用紅外LED和NPN光電晶體管構建光耦合器。還將研究基于光耦合器的模擬隔離放大器和使用集成光耦合器的浮動(dòng)電流源的工作原理。
NPN型晶體管光耦合器
背景知識
光耦合器或光隔離器是一種電子器件，通過(guò)發(fā)射光穿過(guò)其輸入和輸出之間的電氣隔離柵來(lái)傳輸電子信號。光耦合器的主要目的是防止隔離柵一側的高電壓或電壓尖峰損壞組件或干擾傳輸到另一側的信號。市售光耦合器可以承受3 kV至10 kV的輸入-輸出電壓，以及速度高達10 kV/μs的電壓瞬變。該器件一般在一端集成紅外LED作為輸入，在另一端集成光電探測器（例如光電二極管或光電晶體管），并在兩者之間加設隔離柵，如圖1所示。當LED關(guān)閉時(shí)，也就是不發(fā)光時(shí)，沒(méi)有光電流進(jìn)入晶體管基極，晶體管關(guān)閉。當LED中有電流流過(guò)時(shí)，就會(huì )發(fā)光，會(huì )有足夠的光電流進(jìn)入晶體管基極，晶體管開(kāi)啟。
圖1.NPN型晶體管光耦合器。
構建指南
本實(shí)驗的第一步是使用 ADALP2000 模擬部件套件中的紅外LED和NPN光電晶體管構建自己的光耦合器。如果您不使用部件套件來(lái)進(jìn)行實(shí)驗，可以使用相似器件來(lái)代替，但實(shí)驗結果會(huì )因選擇的器件而異。
圖2.QED123紅外LED。
圖3.QSD123紅外晶體管。
首先，將LED和光電晶體管的引線(xiàn)彎曲90°，這樣插入無(wú)焊試驗板時(shí)，它們彼此相對且處于同一高度。為了保證它們正確對齊，并阻止雜散環(huán)境光進(jìn)入，最好使用短管或切割到合適寬度的黑色絕緣膠帶，纏繞LED和光電晶體管組合體，如圖4所示。
圖4.構建好的耦合器。
材料
● ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習模塊
● 無(wú)焊試驗板
● 跳線(xiàn)
● 兩個(gè)2.2 k?電阻
● 一個(gè)單通道運算放大器，例如 OP27
說(shuō)明
在無(wú)焊試驗板上構建圖5所示的電路。注意，NPN光電晶體管配置為電流吸收器，其發(fā)射極接地。注意，光電晶體管的兩根引線(xiàn)中，較長(cháng)的是集電極，兩根LED引線(xiàn)中較短的一根接地。仔細查看組件數據手冊，確保連接正確。
圖5.光耦合器輸入-輸出特性電路。
硬件設置
配置波形發(fā)生器生成100 Hz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應設置為每格1 V。
程序步驟
示波器通道1用于測量電阻R1兩端的電壓，從而測得LED的輸入電流。示波器通道2用于測量電阻R2兩端的電壓，從而測得NPN型晶體管的輸出集電極電流。電流傳輸比(CTR)就是這兩個(gè)電流的比值。CTR用于衡量器件的增益、效率或靈敏度。
圖6.光耦合器試驗板連接。
圖7.光耦合器Scopy圖波形。
Directions
現在，將示波器通道1的1–輸入移動(dòng)到接地。然后，將示波器通道2的2+輸入移動(dòng)到光電晶體管的集電極，將示波器輸入2–移動(dòng)到接地。
配置波形發(fā)生器生成5 kHz方波，峰峰值幅度為5 V，偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應設置為每格1 V。
程序步驟
示波器通道1現在測量輸入信號，示波器通道2測量輸出信號。光耦合器的速度可以通過(guò)輸入和輸出波形之間的延遲進(jìn)行表征。衡量器件速度的另一個(gè)指標是輸出波形的上升和下降時(shí)間。測試光耦合器的頻率響應還有一種方法：使用Scopy軟件中的網(wǎng)絡(luò )分析儀。將頻率掃描范圍設置為10 Hz至100 kHz。將AWG峰峰值幅度設置為2 V，AWG偏移設置為3 V，或者直流偏移作為耦合器電路的輸出信號中心時(shí)的電壓。
使用電壓-電流轉換器驅動(dòng)LED
將LED置于作為電壓-電流轉換器的運算放大器的反饋回路中，可以大大降低LED的非線(xiàn)性帶來(lái)的影響。
說(shuō)明
調整您的無(wú)焊試驗板，使其電路與圖8所示的電路相似。注意，NPN光電晶體管現在配置為電流源，其集電極連接至正5 V電源Vp。這是為了表明：如何配置晶體管端子上的電壓其實(shí)無(wú)關(guān)緊要。
圖8.電壓-電流LED驅動(dòng)器。
硬件設置
配置波形發(fā)生器生成100 Hz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應設置為每格1 V。
程序步驟
對圖5中由電阻驅動(dòng)的簡(jiǎn)單電路版本執行相同的測量操作。將AWG波形切換為方波，然后測量延遲、上升和下降時(shí)間，并記錄在實(shí)驗報告中。將AWG波形切換為正弦波（與之前一樣，1 kHz頻率），再次測量諧波失真。注意調整AWG幅度和偏移，以得到和之前電路相似的輸出波形。
圖9.電壓-電流LED驅動(dòng)試驗板連接。
圖10.電壓-電流LED驅動(dòng)器示波器波形。
模擬隔離放大器
要構建線(xiàn)性度更高的放大器，可以使用兩個(gè)匹配的光耦合器。最好在此電路中使用集成版本。
之前的電壓-電流配置降低了LED的非線(xiàn)性度。如果我們在反饋回路中增加一個(gè)光電晶體管，即可降低光電晶體管的光電轉換特性導致的非線(xiàn)性影響。
材料
● 兩個(gè)NPN光耦合器（參見(jiàn)附錄查看具體器件選項）
● 一個(gè)0.0047 μF電容(472)
● 一個(gè)470 ?電阻
說(shuō)明
在無(wú)焊試驗板上構建圖11所示的電路。光耦合器的實(shí)際布線(xiàn)可能因使用的封裝類(lèi)型而異（4引腳封裝或6引腳封裝等）。圖中所示的引腳數量一般是4引腳封裝的標準數量。注意參考制造商數據手冊了解如何正確連接器件。
圖11.單極性電壓輸入。
圖12.雙極性電壓輸入。
硬件設置
與之前的兩種配置一樣，先設置波形發(fā)生器生成100 Hz三角波，峰峰值幅度為4.8 V，偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應設置為每格1 V。
程序步驟
重復對之前兩個(gè)電路版本執行的相同測量操作。將AWG波形切換為方波，然后測量延遲、上升和下降時(shí)間。將AWG波形切換為正弦波（與之前一樣，1 kHz頻率），再次測量諧波失真。注意調整AWG幅度和偏移，以得到與之前電路相似的輸出波形。
問(wèn)題：
能否說(shuō)出使用光耦合器的優(yōu)勢？
能否說(shuō)出光耦合器的若干實(shí)際應用？
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