【導讀】自動(dòng)駕駛是所有汽車(chē) OEM 在這個(gè)時(shí)代面臨的新一波重要趨勢，車(chē)輛內的電子控制單元（ECU）數量急劇增加。其中涵蓋了諸多應用，例如駕駛輔助攝像頭、數據融合 ECU 以及它們各自的功耗管理。根據應用和操作范圍，預調節器的輸出功率范圍不等，小至停車(chē)輔助 ECU 的幾瓦特，大至數據融合 ECU 的上百瓦特。本系列文章將傳達使用散熱片降低電子器件熱應力的潛在意義，以及系統熱性能與各種因素（例如散熱片的位置和尺寸）的相關(guān)性。
本文為第一部分，將首先描述用于執行測量的設置、測試板的簡(jiǎn)要概述以及用于實(shí)驗的各種散熱片。測試結果將在后續的文章中介紹并總結在設計高輸出功率預調節器時(shí)使用散熱片的效果。
設置
圖 1 描述了用于測試板熱評估的設置，包括以下儀器
● 電源 Toellner TOE8872
● 電子負載 Prodigit 3311C
● 功率分析儀 Fluke Norma 5000
● Keysight 多通道數據記錄器 34970A
● 被測器件(DUT)
圖1 測試設置
電流從電源 OUT 端口流向功率分析儀輸入電流端口I1-IN，功率分析儀在此進(jìn)行測量。然后它通過(guò) I1-OUT 從功率分析儀流出到被測器件(DUT)的 VIN 端口。電源分析儀 V1 連接到DUT VIN 端口以測量輸入電壓。電源的 GND 連接到 DUT 和功率分析儀的 GND。
在輸出側，電流從 DUT VOUT 端口流向功率分析儀輸入電流端口I2-IN，功率分析儀在此處進(jìn)行測量。然后它通過(guò)I2-OUT 從功率分析儀流出到直流電子負載的 CH1 端口，這里設置了DUT 負載電流。功率分析儀 V2 連接到 DUT VOUT 端口以測量輸出電壓。功率分析儀的GND 連接到 DUT 和直流電子負載的 GND。
該電源具有傳感功能，可保持提供給 DUT 的電壓恒定 (補償電纜損耗)，并在傳感器線(xiàn)路出現斷路時(shí)保護敏感負載。數據記錄器會(huì )測量 DUT 上不同 IC 組件的溫度。
整個(gè)系統是完全自動(dòng)化的，以便確保精確和可重復的結果?；?Pvthon 的軟件會(huì )控制整個(gè)設置，從設置輸入電壓和輸出負載，到測量組件的溫度和計算整體系統效率。圖 2 顯示了軟件的 GUI。
圖2 軟件 GUI
測試板和散熱片
為了評估不同散熱片的性能和影響，我們設計了一個(gè)基于 100 W 汽車(chē)預調節器設計的專(zhuān)用板，且針對熱評估進(jìn)行了優(yōu)化。圖3 顯示了具有 5V 輸出電壓和高達 20 A輸出電流能力的同降壓壓轉換器的原理圖。汽車(chē)降壓控制器 NCV881930 具有 410 kH 的固定開(kāi)關(guān)頻率。它驅動(dòng)兩個(gè)符合汽車(chē)標準的 40 V MOSFET NVMFS5C460NL(帶底面裸露焊盤(pán)的 SO-8FL)，它們并聯(lián)在降壓轉換器的高邊 (HS) 和低邊(LS)，以實(shí)現高達 20 A 的高輸出電流。
圖3 測試板原理圖
對布局進(jìn)行以下修改，可以對電路板進(jìn)行熱評估：
● 增加了 PCB 總尺寸，以允許在 PCB 的頂面和底面安裝一個(gè) 50mm x 50mm 的散熱片；
● 為散熱片提供安裝孔；
● 為 PCB 底面的電感器提供額外的占位面積。
圖 4 和圖 5 顯示了頂面和底面，以及在 PCB 的頂面和底面安裝散熱片的可能性。
圖4 DUT頂面
圖5 DUT底面
通過(guò)上述配置，有三種可能的且已經(jīng)過(guò)分析的測試設置如下:
表1 測試設置
從機械角度來(lái)看，將散熱片正確且可更換地安裝到 PCB 上是最具挑戰性的部分。對于任何配置，在散熱片和散熱表面之間必須有一個(gè)薄膜間隙墊，以實(shí)現良好的導熱性。發(fā)射表面(如PCB 或 MOSFET 的封裝)從來(lái)都不是完全平坦和平行于散熱片的，因此間隙墊確保了兩者之間良好的層狀界面。材料選擇起著(zhù)重要作用，顯著(zhù)影響熱性能。例如，一個(gè)需要承受高電壓的材料的熱阻總是比基于石墨的導電材料高得多。
對于本測試設置，選擇了厚度為 0.5 mm 的 KERAFOL“SOFTTHERM”材料，請參見(jiàn)表 2。所有測量均使用 3.0 W/(m·K) 材料進(jìn)行，其熱阻為 0.41 KW。6.0 W/(m·K) 材料(熱阻為 0.20 KW) 僅在本白皮書(shū)未尾用于兩種材料的比較。
表 2.薄膜間隙墊
● 熱導率是一種材料屬性，不受幾何形狀(即形狀或尺寸) 的影響。它描述了內部導熱能力,在比較不同材料時(shí)是一個(gè)有用的參數。
● 熱阻描述了具有一定厚度的材料如何抵抗熱流。由于厚度與熱阻直接相關(guān)，較薄的材料比較厚的材料具有更好的熱傳遞。
● 熱阻抗取決于形狀或尺寸、厚度和壓力。這是一個(gè)比較符合實(shí)際情況的值，因為所有變量如表面的平整度、壓力等，都針對特定應用進(jìn)行了考慮。
用于連接散熱片的扭矩也會(huì )影響熱阻抗。通常，壓縮越高，熱阻越低。這是因為壓縮降低了整體厚度并增加了材料的密度。這兩個(gè)因素都提高了導熱性。厚度為 5 mm 的 86/300 SOFTTHERM 材料在零壓下的熱阻為 4.1 KW。30 N/cm2 的壓力會(huì )使厚度變?yōu)?3.7 mm，熱阻降低到 3.0 KW。這種材料的最薄版本厚度為 0.5 mm。在這種情況下，當施加 30 Ncm的最大壓力時(shí)，材料可以壓縮到 0.3 mm。同時(shí)，熱阻從 0.4 K/W 下降到 0.25 KW。壓力過(guò)高會(huì )損壞薄膜間隙墊，例如導致泄漏。例如，對于 86/300 SOFTTHERM，壓縮量不應超過(guò)原始厚度的 30%。
對于本測試設置，壓力的絕對值不是必需的，只要過(guò)高的扭矩或壓力不會(huì )損壞薄膜間隙墊和機械設置即可。最關(guān)鍵的一點(diǎn)是，用于每個(gè)散熱片和每種設置的壓力必須是相同的;否則，結果將無(wú)法比較。如前所述，壓力和熱阻之間的關(guān)系清楚地表明壓力會(huì )顯著(zhù)影響整個(gè)系統的熱性能?？紤]厚度為 0.5 mm 的薄膜間隙墊，從 30 N/cm2 的最大壓力降到零壓力后，熱阻增加 60%。
一種相對簡(jiǎn)單但可靠的設置是基于彈簧的，它通常用于在計算機 CPU 上安裝散熱片。在這種機械設置中，螺釘將彈簧固定到位，將散熱片壓到 CPU 的頂面。壓力取決于彈簧的彈力,而不是螺釘的扭矩，因為它們不會(huì )對散熱片或 CPU 施加壓力。
圖6顯示了將散熱片安裝到 PCB 上的設置。電感器和 MOSFET 位于底面，熱量通過(guò) PCB散發(fā)到散熱片。在 PCB 的熱點(diǎn)周?chē)胖昧藷o(wú)數的過(guò)孔，以降低 PCB 的熱阻，改善 PCB 中的垂直熱流。散熱片和 PCB 之間的薄膜間隙墊可以使任何粗糙和不均勻的表面變平整，以最大限度地減少熱阻。散熱片具有用于將散熱片和彈簧固定到位的螺釘的螺紋。彈簧由螺釘輕輕預壓，使散熱片壓在 PCB 上。彈簧被壓縮的長(cháng)度與其彈力成正比，所有四個(gè)彈簧都需要具有相同的長(cháng)度才能為每個(gè)固定點(diǎn)施加相同的壓力。對每個(gè)設置使用相同的彈簧長(cháng)度和機械力可確?？蓮同F和可比較的結果。
圖6 PCB 上的散熱片
圖7顯示了在 MOSFET 頂面帶有散熱片的配置。設置是一樣的，只需將電感器放置在底面，以便將散熱片安裝在 MOSFET 的頂面。
圖7 MOSFET 上的散熱片
測量中使用了 Fischer Elektronik 的三種底面積為 50 x 50 mm 不同散熱片，請參見(jiàn)表 3。
表3 散熱片概述
選擇它們的原因是，在給定各自高度的情況下，它們各自的熱阻之間存在顯著(zhù)差異。隨著(zhù)每次高度的增加，熱阻大約減小二分之一。這應有助于清楚地區分不同散熱片的熱性能。
MOSFET 之間的功率分配
理解以下測量結果對于正確理解高邊和低邊 MOSFET 之間的損耗和損耗分配至關(guān)重要。因此，為了解主要來(lái)源，所有與 MOSFET 相關(guān)的損耗都需計算。將肖特基二極管與低邊MOSFET 并聯(lián)放置可防止反向恢復損耗，并且死區時(shí)間損耗從低邊 MOSFET 轉移到肖特基二極管。
輸出功率
輸入功率
總損耗
分流損耗
電感損耗
高邊 MOSFET 導通損耗
低邊 MOSFET 導通損耗
肖特基二極管的死區時(shí)間損耗
在從高邊到低邊 MOSFET 的電流轉換期間(反之亦然)，所有 MOSFET 都關(guān)閉一段特定的時(shí)間，稱(chēng)為“死區時(shí)間”。在此短時(shí)間內 (典型值為 20 ns)，電流流過(guò)低邊 MOSFET 的體極管。如果將額外的肖特基二極管與低邊 MOSFET 并聯(lián)放置，則死區期間的電流會(huì )流過(guò)肖特基二極管，因為它的正向電壓(典型值為 0.485 V) 低于體二極管 (典型值為 0.86 V)。使用肖特基二極管的另一個(gè)主要好處是避免體二極管的反向恢復損耗，因為肖特基二極管沒(méi)有反向恢復損耗。由于正向壓降導致的死區時(shí)間損耗出現在肖特基二極管上，必須考慮 IL,MIN (關(guān)閉低邊 MOSFET) 和IL,MAX (打開(kāi)低邊 MOSFET)。
電容損耗
高邊 MOSFET 的輸出電容在 toff 期間被充電至(Vin- Vf)。通過(guò)打開(kāi) MOSFET，導通電阻縮短了輸出電容；因此，儲存的能量被轉化為熱量。
與其他損耗相比，電容損耗最小，因此在以下計算中忽略不計。
開(kāi)關(guān)損耗
開(kāi)關(guān)損耗很難被估算，因為它取決于復雜的參數，例如柵極驅動(dòng)器跡線(xiàn)的寄生電感。因此，在這種情況下，將使用不同的方法來(lái)測定。如果從總損耗中減去所有已知和計算的損耗，則剩下的就是總開(kāi)關(guān)損耗。當然，PCB 的銅電阻也會(huì )產(chǎn)生一些損耗，但由于大小未知和不占主導，它們也會(huì )被忽略。
由于低邊 MOSFET 的開(kāi)關(guān)電壓幾乎為零 (漏極-源極電壓等于 MOSFET 導通和關(guān)斷時(shí)的二極管正向電壓)，計算出的大部分開(kāi)關(guān)損耗都是由高邊 MOSFET 引起的。
高邊 MOSFET 總損耗
低邊 MOSFET 總損耗
根據上述計算，高邊 MOSFET 的總損耗比低邊 MOSFET 高得多，因此可以假設高邊MOSFET 的升溫遠高于低邊 MOSFET 的升溫。圖8 顯示了低邊 MOSFET 在所有負載電流下的損耗小于 1.0 W，而高邊 MOSFET 在 20.0 A 負載電流下的損耗大于 6.0 W。
圖8 MOSFET損耗
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