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使用基于Raspberry Pi的DDS信號發(fā)生器實(shí)現精確RF測試

發(fā)布時(shí)間:2023-06-16 來(lái)源:ADI 責任編輯:wenwei

【導讀】在涉及射頻(RF)的硬件測試中,選擇可配置、已校準的可靠信號源是其中最重要的方面之一。本文提供了基于Raspberry Pi的高度集成解決方案,其可用于合成RF信號發(fā)生器,輸出DC至5.5 GHz的單一頻率信號,輸出功率范圍為0 dBm至-40 dBm。所提出的系統基于直接數字頻率合成(DDS)架構,并對其輸出功率與頻率特性進(jìn)行了校準,可確保在整個(gè)工作頻率范圍中,輸出功率保持在所需功率水平的±0.5 dB以?xún)取?/p>


簡(jiǎn)介


RF信號發(fā)生器,尤其是微波頻率的RF信號發(fā)生器,以前通常是基于鎖相環(huán)(PLL)頻率合成器1來(lái)構建。PLL支持從低頻參考信號生成穩定的高頻信號。圖1顯示了一個(gè)基本PLL模型。該模型由反饋系統(其中包括一個(gè)包括一個(gè)電壓控制振蕩器(VCO)用于改變輸出頻率)、誤差檢測器(用于比較輸入參考頻率和輸出頻率)以及分頻器組成。當分頻器的輸出頻率和相位等于輸入參考的頻率和相位時(shí),環(huán)路被認為處于鎖定狀態(tài)。2–5


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圖1.基本PLL模型


根據應用的不同,DDS架構作為頻率合成器可能比PLL提供了一種更好的替代方案。。圖2顯示了一個(gè)典型的基于DDS的信號發(fā)生器。調諧字應用于相位累加器,由后者確定輸出斜坡的斜率。累加器的高位經(jīng)過(guò)幅度正弦轉換器,最終到達DAC。與PLL相比,DDS的架構具有明顯的優(yōu)勢。例如,DDS數字相位累加器可實(shí)現比基于PLL的頻率合成器更精細的輸出頻率調諧分辨率。


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圖2.基于DDS的典型信號發(fā)生器


PLL切換時(shí)間是其反饋環(huán)路建立時(shí)間和VCO響應時(shí)間的函數,由于自身性質(zhì)的限制,其速度較慢,而DDS僅受數字處理延遲的限制,因此具有更快的切換速度。在電路板尺寸方面,DDS的面積更小,便于系統設計,許多硬件RF設計難題也迎刃而解6。


下一部分將討論 CN0511。一款基于DDS架構的完整DC至5.5 GHz正弦波信號發(fā)生器的總體系統設計。接下來(lái)將討論矢量信號發(fā)生器架構及其規格。而后將重點(diǎn)討論系統時(shí)鐘,包括時(shí)鐘參考要求以及時(shí)鐘管理單元和矢量信號發(fā)生器之間的電路連接。也會(huì )涉及電源架構和系統布局,并進(jìn)一步說(shuō)明整體系統如何實(shí)現高功率效率和合理的散熱性能。隨后的"軟件架構和校準"部分將圍繞系統軟件控制和校準展開(kāi)討論。該部分將解釋軟件提供的靈活控制以及如何校準輸出功率。最后一部分將說(shuō)明整體系統性能,包括系統相位噪聲、校準輸出功率和系統的熱性能。


系統級架構和設計考量


A:系統級設計


圖3所示系統是基于DDS架構的完整DC至5.5 GHz正弦波信號發(fā)生器。四開(kāi)關(guān)DAC核心和集成輸出放大器在整個(gè)工作頻率范圍內提供極低的失真,并配有50Ω的輸出匹配終端。


板載時(shí)鐘解決方案包括參考振蕩器和PLL,因而無(wú)需外部時(shí)鐘源。所有電源均來(lái)自Raspberry Pi平臺板,其具有超高電源抑制比(PSRR)穩壓器和無(wú)源濾波功能,可使大幅減小電源轉換器對RF性能的影響。


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圖3.CN0511:基于RPI的頻率合成RF信號發(fā)生器


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圖4.所用矢量信號發(fā)生器(AD9166)的功能框圖


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圖5.ADF4372 RF8x輸出級


圖3所示架構可用于雷達、自動(dòng)測試、任意波形發(fā)生器和單音信號發(fā)生器等各種應用。而本文中實(shí)現了單音信號發(fā)生器應用。以下小節將討論CN0511包含的主要集成器件。


B:矢量信號發(fā)生器


如圖4所示,所使用的DC至9 GHz矢量信號發(fā)生器包含一個(gè)6 GSPS(1倍不歸零模式)DAC、8通道、12.5 Gbps JESD204B數據接口以及一個(gè)具有多個(gè)數控振蕩器(NCO)的DDS。同時(shí)該器件是高度可配置的數字數據路徑,包括插值濾波器、反SINC補償和數字混頻器,支持靈活的頻譜規劃。


圖4所示系統利用DAC的48位可編程模數NCO以非常高的精度(43 μHz頻率分辨率)實(shí)現了信號的數字頻移。該DAC的NCO僅需要SPI寫(xiě)入接口速度達到100 MHz即可快速更新頻率調諧字(FTW)。SPI還支持配置和監控該DAC中的各種功能模塊。本設計未使用JESD通道,器件僅在NCO模式下使用。


圖4中的矢量信號發(fā)生器集成了單端、50 Ω匹配的輸出RF放大器,因此無(wú)需采用復雜的RF輸出電路接口。表1顯示了 AD9166的主要規格和在各種條件下的性能。


表1.AD9166主要規格

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C:系統時(shí)鐘


圖2中的系統使用了ADF4372 PLL(見(jiàn)圖5),這是一款集成VCO的寬帶頻率合成器,當與外部環(huán)路濾波器和外部參考頻率一起使用時(shí),可以作為小數N分頻或整數N分頻頻率合成器。此外,VCO頻率可進(jìn)行1、2、4、8、16、32或64分頻,因此用戶(hù)可以在RF8x產(chǎn)生低至62.5 MHz的RF輸出頻率。


時(shí)鐘源的質(zhì)量(例如其相位噪聲和雜散特性)以及其與高速DAC時(shí)鐘輸入的接口,會(huì )直接影響交流性能。因此,相位噪聲和其他頻譜內容將會(huì )被直接調制到輸出信號上。為實(shí)現最佳整數邊界雜散和相位噪聲性能,ADF4372使用了單端參考輸入信號,然后將其倍頻以產(chǎn)生用于高速DAC的時(shí)鐘,如圖6所示。


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圖6.ADF4372和AD9166之間的電路連接


D:電源架構


CN0511的系統電源樹(shù)如圖7所示,基于系統負載要求將其效率提高到90%,分別使用了 LTM8045、LTM4622和ADP5073 開(kāi)關(guān)穩壓器,。并選用 ADM7150、ADM7154和ADP1761等低壓差線(xiàn)性穩壓器(LDO)來(lái)為DAC、放大器、PLL和VCO供電,其有超低噪聲和高PSRR性能,可實(shí)現最佳相位噪聲性能。


使用電源時(shí)序控制器 LTC2928 來(lái)確保高速DAC按正確順序上電,避免損壞其內部電路。該電源時(shí)序控制器IC可監測和管理四個(gè)電壓軌,并具有控制各電壓軌的上電時(shí)間和其他監控功能,其中包括欠壓和過(guò)壓監控與報告功能。


E:布局考慮


對于這種需要極高性能和較高輸出頻率的應用,PCB(印刷電路板)材料的選擇會(huì )對結果有很大影響。圖8顯示了推薦的CN0511 PCB疊層,它在包含RF走線(xiàn)的層上使用Rogers 4350電介質(zhì)材料,最大程度上減少3GHz以上的信號衰減,并確保在RF輸出處獲得最佳的信號完整性。


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圖7.系統電源樹(shù)


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圖8.推薦的PCB橫截面和疊層


熱性能與PCB設計和工作環(huán)境直接相關(guān)。為改善設計的散熱性能,在PCB散熱焊盤(pán)上打了散熱通孔。


軟件架構和校準


A:軟件控制


在任何涉及信號發(fā)生器的應用都希望能夠輕松靈活地控制儀器設備。因為它只需要將一張帶有Kuiper Linux鏡像的SD卡插入Raspberry Pi,因而可以認為CN0511是即插即用的。Kuiper Linux鏡像包含控制信號發(fā)生器所需的所有必要軟件。有兩種方法可改變輸出功率和頻率:使用PyADI-IIO模塊寫(xiě)入代碼,或使用IIO-Oscilloscope圖形用戶(hù)界面(GUI)輸入所需的輸出。


PyADI-IIO是ADI硬件的Python抽象模塊,帶有工業(yè)輸入/輸出(IIO)驅動(dòng)程序。此模塊為控制硬件提供了簡(jiǎn)單易用的Python方法和屬性。通過(guò)非常簡(jiǎn)單的Python代碼行即可控制該板,這些代碼可以在本地或遠程運行??梢允褂煤?jiǎn)單的for循環(huán)和一些延遲來(lái)創(chuàng )建任何頻率掃描,用于測試其他設備。


IIO-Oscilloscope是一個(gè)跨平臺GUI應用程序,需要用戶(hù)輸入輸出功率幅度和頻率作為參數。


PyADI-IIO和IIO-Oscilloscope這兩個(gè)模塊均提供了結溫傳感器的輸出:一個(gè)在PLL IC內,另一個(gè)在矢量信號發(fā)生器IC內。圖9展示了這兩個(gè)軟件模塊以及與CN0511板通信所需的其他組件(libAD9166、LibIIO和Linux內核)。圖9中顯示的libAD9166是在Kuiper鏡像上預裝的另一個(gè)庫,用于準確控制輸出功率,包含輸出校準功率所需的C++代碼,并特定使用于該板。關(guān)于如何實(shí)現校準的理論將在B節:輸出功率校準中繼續討論。


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圖9.通過(guò)PyADI-IIO和IIO-Oscilloscope與設備通信所需的軟件組件框圖


B:輸出功率校準


在信號發(fā)生器應用中,頻帶平坦度是一個(gè)關(guān)鍵參數。在該系統中,輸出功率與頻率的關(guān)系特性主要由矢量信號發(fā)生器的輸出決定。隨著(zhù)頻率提高,輸出阻抗從其直流值開(kāi)始減小。輸出阻抗的這種變化以及負載處的任何阻抗失配都會(huì )直接影響輸出功率。此外,可預測的sinc滾降也會(huì )影響輸出功率的頻率響應。圖10討論并顯示了測得的未校準輸出功率與頻率的關(guān)系。為了克服這些不利因素,我們對輸出功率與頻率的關(guān)系進(jìn)行了軟件校準。


用于校正輸出功率的旋鈕包含了AD9166的兩個(gè)寄存器:設置滿(mǎn)量程電流的10位寄存器Ioutfs_reg(地址0x42和0x41)和設置滿(mǎn)量程電流的16位寄存器Iout_reg(地址0x14E和0x14F)。這兩個(gè)寄存器負責控制AD9166 DAC的輸出電流,這也是AD9166放大器的輸入(圖3)。


Ioutfs_reg提供大約10 dBm的輸出功率動(dòng)態(tài)范圍,這是用于調整圖10所示不必要特性的理想值。


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圖10.輸出功率與頻率的關(guān)系:未校準的輸出功率


從測量結果來(lái)看,每個(gè)PCB樣片都顯示出圖10所示的相同形狀特性,只是偏移存在差異??紤]到這一點(diǎn),我們開(kāi)發(fā)了兩個(gè)校準例程。第一個(gè)校準程序只需執行一次,用于獲取校準整個(gè)形狀所需的參數,使其平坦化,;第二個(gè)程序則用于校正不同板之間的偏移誤差,并作為每片板的生產(chǎn)測試運行。兩個(gè)校準例程均通過(guò)輸出測量、計算和基于計算的寄存器調整來(lái)完成。


第一個(gè)校準例程的主要設計思路如圖11所示。首先,圖10中的整個(gè)特性曲線(xiàn)被分成多個(gè)頻率區間,這些區間可以用從fmin[x]到fmax[x]的線(xiàn)段來(lái)近似表示,其中x是區間的索引,x ∈ [0, 31],并且x為正整數。實(shí)際設計選擇了31個(gè)區間,但為了更好地舉例說(shuō)明,圖11a中只顯示了三個(gè)區間。對于每個(gè)區間,需要獲得兩個(gè)常數:一個(gè)是用于偏移校正的Offset_correction(圖11b);一個(gè)是用于增益校正的Gain_correction(圖11c)。還需要存儲參數fmin[x]以跟蹤區間。


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圖11.校準例程的可視化舉例:(a) 將特性曲線(xiàn)分成多個(gè)部分;(b) 對每個(gè)部分進(jìn)行偏移校正;(c) 對每個(gè)部分進(jìn)行斜率校正。


圖12a為第一個(gè)校準例程的工作原理偽代碼流程圖。為完成此算法,需要使用非常精確的頻譜分析儀來(lái)測量輸出功率(使用Keysight E5052B/R&S FSUP)。第一個(gè)例程(圖12a)產(chǎn)生的參數用于第二個(gè)校準例程,如圖12b所示。


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圖12.偽代碼流程圖:(a) 只運行一次的第一個(gè)校準例程;(b) 在每個(gè)CN0511板上運行的第二個(gè)校準例程。


第二個(gè)校準例程(圖12b)是針對生產(chǎn)測試中每個(gè)PCB樣片運行的,并為每個(gè)區間的Offset_correction參數增加同一常數。在第二個(gè)例程結束時(shí),對于每個(gè)區間,修改的參數Offset_correction[x]、Gain_correction[x] 和fmin[x]都將存儲在電路板的EEPROM中。當電路板工作時(shí),這些參數將在軟件中進(jìn)一步使用。


為設置校準輸出功率,軟件使用公式1來(lái)計算調整頻率fx處的輸出功率的Ioutfs_reg寄存器值,以。fx是區間x內的頻率:fx ∈ [Fmin[x], fmax[x]),fx為實(shí)正數,fmin[x]是索引為x的區間的最小頻率。


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如公式1所示,電路板上必須為每個(gè)x區間存儲三個(gè)參數,以便進(jìn)行輸出校正:即Offset_correction[x]、Gain_correction[x]和fmin[x]。


系統性能


A:校準輸出功率


圖13顯示了CN0511在幾種不同輸出功率水平下的寬帶補償頻帶平坦度。對于設置在0 dBm和-40 dBm之間的任何輸出功率,從DC到5.5 GHz的整個(gè)頻帶內的精度為±0.5 dBm。


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圖13.校準輸出功率與頻率的關(guān)系


B:相位噪聲


時(shí)鐘源的質(zhì)量以及其與AD9166時(shí)鐘輸入端的接口會(huì )直接影響相位噪聲性能。在指定頻率偏移處的相位噪聲和雜散會(huì )被直接轉為輸出信號。圖14顯示了經(jīng)過(guò)測量的單邊帶(SSB)相位噪聲與頻率偏移的關(guān)系。所有數據都是在輸出功率設置為滿(mǎn)量程的情況下收集的。使用板載122.88 MHz CMOS壓控晶體振蕩器用作系統時(shí)鐘參考。


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圖14.系統相位噪聲性能


C:熱性能


根據應用和配置,高速DAC的功耗可能接近4 W。該器件使用裸露芯片封裝來(lái)降低熱阻并允許芯片直接散熱。使用帶風(fēng)扇的機械散熱器來(lái)散發(fā)封裝的熱量。在安裝散熱器的情況下,LTM4622在25°C的環(huán)境溫度下顯示出的最高溫度讀數約為60.6°C。


結論


本文提出了一種高頻、低失真、低噪聲的信號源。所介紹的系統是一種采用基于高速DAC的DDS架構的低成本RF信號頻率合成器解決方案,通過(guò)使用基于DDS技術(shù)的矢量信號發(fā)生器,該系統較之簡(jiǎn)單PLL的有多項優(yōu)勢,例如簡(jiǎn)單化、低失真、高分辨率調諧、近乎瞬時(shí)的跳頻、相位和幅度調制。


DDS架構的多項優(yōu)勢使得調整和校準輸出功率以及微調輸出頻率成為可能。在系統中添加校準例程可為用戶(hù)提供從DC到5.5 GHz的輸出參考信號音,精度為±0.5 dBm,動(dòng)態(tài)范圍為0 dBm到-40 dBm。對于實(shí)驗室儀器而言,這是一種近乎理想的解決方案。


致謝


感謝所有為本文提供寶貴技術(shù)支持的ADI工程師。


參考電路


1Paul R. Gray、Paul J. Hurst、Stephen H. Lewis和Robert G. Meyer。模擬集成電路分析與設計。Wiley,2009年1月。


2Mike Curtin和Paul O’Brien。 “用于高頻接收器和發(fā)射器的鎖相環(huán)” ?!赌M對話(huà)》,第33卷第3期,1999年7月。


3VCO設計手冊。Mini-Circuits Corporation,1996年。


4Leon W. Couch。數字和模擬通信系統。Macmillan Publishing Company,1990年。


5Peter Vizmuller。射頻設計指南。Artech House,1995年。


6Jim Surber和Leo McHugh。 “單芯片直接數字頻率合成與模擬PLL”?!赌M對話(huà)》,第30卷第3期,1996年7月。


EVAL-CN0511-RPIZ用戶(hù)指南。ADI公司,2023年1月。



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