PCIM Asia 2021電力電子應用技術(shù)論壇,將于9月9日至11日在深圳國際會(huì )展中心舉行,海內外參展企業(yè)將派出的精英級應用工程師以現場(chǎng)宣講的形式推薦當前中國電力電子市場(chǎng)最新的研發(fā)產(chǎn)品及解決方案。
論壇云集全球頂尖學(xué)者和行業(yè)專(zhuān)家,將涵蓋多個(gè)“功率器件”話(huà)題,為參會(huì )者提供與專(zhuān)家交流、向聽(tīng)眾傳遞電力電子專(zhuān)業(yè)知識的機會(huì ),多角度分享電力電子新發(fā)展。
電力電子應用技術(shù)論壇演講企業(yè)一覽
01富士電機(中國)有限公司

(?大會(huì )銀牌贊助商?)
主題(一):RC-IGBT技術(shù)及其應用
演講嘉賓:張騁,技術(shù)經(jīng)理
摘要:IGBT模塊的小型化,低功耗以及高可靠性越來(lái)越被市場(chǎng)重視,為了實(shí)現該目標,富士電機研發(fā)了集IGBT芯片與FWD芯片為一體的可反向導通的IGBT芯片(RC-IGBT),并實(shí)現工業(yè)和汽車(chē)應用。該芯片基于第7代芯片技術(shù),可以提供更低的損耗,更好的散熱和I2t能力,從而幫助實(shí)現增加輸出電流,輸出功率,以及系統小型化等設計目標。
主題(二):第7代智能功率模塊
演講嘉賓:李組精,技術(shù)經(jīng)理
摘要:IPM(智能功率模塊)相較于IGBT,增加了驅動(dòng)和多種保護功能,除了設計簡(jiǎn)便,系統集成度高,也提高了更高的可靠性。富士的第7代IPM,基于第7代IGBT和FWD芯片和封裝技術(shù),降低了損耗,并允許更高的操作結溫。此外,第7代IPM載有最新的控制IC,首次在工業(yè)上實(shí)現溫度預警功能,并新增單獨控制逆變部分的保護等多種新功能。
這些新技術(shù)將有助于實(shí)現系統小型化,高性能和高可靠性。
02上海賀利氏工業(yè)技術(shù)材料有限公司
主題:基于碳化硅器件的電驅動(dòng)系統先進(jìn)封裝解決方案
演講嘉賓:張靖博士,賀利氏電子中國區研發(fā)總監
摘要:工作溫度達到200°C,使用壽命要求10年以上,所有材料的性?xún)r(jià)比要盡可能高:新能源汽車(chē)、可再生能源、智能電網(wǎng)等新應用領(lǐng)域對電力電子器件提出了巨大的挑戰。功率半導體行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)由碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體引領(lǐng)的技術(shù)革命,以實(shí)現更高的功率密度和開(kāi)關(guān)速率。然而,目前普遍應用的電力電子封裝技術(shù)與解決方案已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足如上所述的挑戰和要求,甚至成為了限制寬禁帶半導體發(fā)揮性能的瓶頸。因此,新一代封裝材料與相匹配的解決方案已經(jīng)成為寬禁帶半導體革命成功的關(guān)鍵。需要在提升工作溫度,降低寄生電感的同時(shí),大幅提高系統可靠性。本場(chǎng)演講將介紹一套針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。該方案采用賀利氏電子的新型封裝材料,包括賀利氏銀燒結材料、高可靠的金屬陶瓷基板和Die Top System等。同時(shí),還將分享該解決方案提高寬禁帶封裝性能的理論依據和極限。
03合肥科威爾電源系統股份有限公司
主題:功率半導體測試設備機遇與挑戰
演講嘉賓:唐德平、研究院院長(cháng)
摘要:模塊測試的自動(dòng)化解決方案
04龍騰半導體股份有限公司
主題:新型功率器件在電動(dòng)交通中的應用
演講嘉賓:朱飛,龍騰半導體 技術(shù)應用中心經(jīng)理
摘要:介紹國產(chǎn)功率器件在電動(dòng)交通中的應用:詳細解讀功率器件靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數如何匹配應用要求,設計中容易出現的失效風(fēng)險。SGT MOSFET在低速電動(dòng)車(chē)的驅動(dòng)器中的應用;
?SGT MOSFET在低壓BMS中的應用;
?Super-junction MOSFET在高壓BMS中的應用;
?Super-junction MOSFET在OBC及充電樁中的應用。
05安世半導體(?論壇贊助商?)
主題:高可靠性/高功率/高效率應用的氮化鎵晶體管
演講嘉賓:李琪, 安世半導體氮化鎵晶體管首席應用工程師
摘要:氮化鎵功率器件和創(chuàng )新CCPAK貼片封裝介紹。
06 Power Intergrations Inc.
主題:簡(jiǎn)化可再生能源應用中的可擴展IGBT并聯(lián),SCALE-iFlex門(mén)極驅動(dòng)器實(shí)現高效的模塊化變換器設計
演講嘉賓:王皓
摘要:IGBT功率模塊的并聯(lián)非常流行,因為它可以在使用簡(jiǎn)單、低壓元件的同時(shí)提供高變換器輸出功率。并聯(lián)還支持模塊化變換器設計,可以輕松調整輸出功率。然而,變換器設計者需要考慮不同的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)影響因素,以實(shí)現較高的變換器效率。Power Integrations的SCALE-iFlex門(mén)極驅動(dòng)器產(chǎn)品具有高性能、完善的保護功能和高度的設計靈活性,可為變換器設計助力,從而實(shí)現出色的均流控制并提高效率。
07深圳市先進(jìn)連接科技有限公司
主題:基于納米金屬燒結的低溫互連方法
演講嘉賓:李明雨 哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)教授、深圳市先進(jìn)連接科技有限公司首席科學(xué)家
摘要:目前高溫功率芯片封裝的解決方案中,低溫燒結銀技術(shù)是最具前景的封裝方式。由于尺寸效應,納米或微米銀顆??梢栽谶h低于塊體銀熔點(diǎn)的溫度下實(shí)現冶金接合與組織致密化。銀顆粒燒結成形后的燒結體具有著(zhù)與致密塊體銀相似的物理特性,如高熔點(diǎn)、高導熱、高導電以及高機械強度等。雖然低溫燒結銀膏的制備以及互連焊點(diǎn)工藝探索已經(jīng)取得了很大的進(jìn)展,但是要想將燒結銀技術(shù)進(jìn)行廣泛地推廣與應用,還需要深入理解銀燒結體及其互連焊點(diǎn)的物理特性,特別是不同服役狀態(tài)下的力學(xué)性能。因此,本文以低溫燒結納米銀的方法為例,闡述納米銀互連焊點(diǎn)在不同服役狀態(tài)下的組織結構與力學(xué)性能。
08賽米控電子(珠海)有限公司
主題(一):可再生能源和驅動(dòng)器中的高功率模塊
演講嘉賓:葉常生 大中華區產(chǎn)品市場(chǎng)部負責人
摘要:隨著(zhù)大功率可再生能源和驅動(dòng)解決方案的需求不斷增加,對功率模塊的要求也隨之進(jìn)一步提高。賽米控電子一直致力于開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的大功率模塊和IPM,為大功率應用提供完整的產(chǎn)品解決方案。最新的產(chǎn)品系列集成了新一代的IGBT7芯片,進(jìn)一步提高了功率密度,效率和可靠性。同時(shí),對最新推出的ST20模塊進(jìn)行了內部的結構優(yōu)化和設計,使得在二電平和三電平拓撲下的功率可擴展性大大簡(jiǎn)化。因此,整個(gè)系統將具有更好的魯棒性和成本效益。
主題(二):電源模塊:驅動(dòng)未來(lái)的智能電網(wǎng)
演講嘉賓:程慕宇 產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理
摘要:電網(wǎng)正在從由大型、集中的發(fā)電場(chǎng)向小型、分散的可再生能源與主動(dòng)負荷結合的架構轉變。隨著(zhù)這種變化,電網(wǎng)中電力電子變換器需要更高效率和功率密度的高可靠性模塊。對于電機驅動(dòng)和UPS, SEMIKRON搭載第7代IGBT的產(chǎn)品組合提供了多種工業(yè)標準封裝。最新的SiC產(chǎn)品組合可幫助如能源存儲和電動(dòng)汽車(chē)充電等實(shí)現功率密度和電源效率大幅提升。對于太陽(yáng)能,通過(guò)結合SiC和最新的IGBT技術(shù)實(shí)現低成本和高效的電氣設計。
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