從應用來(lái)看，高運算量相關(guān)應用持續帶動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)對先進(jìn)工藝的需求，2017年10nm工藝節點(diǎn)開(kāi)始放量，估計2017年全年10nm節點(diǎn)營(yíng)收將占晶圓代工整體市場(chǎng)的6.5%。而2017年半導體整體產(chǎn)值年成長(cháng)率7.1%當中，超過(guò)95%的成長(cháng)動(dòng)能來(lái)自10nm的銷(xiāo)售貢獻，顯示10nm工藝的開(kāi)出成為2017年晶圓代工產(chǎn)值成長(cháng)最重要的引擎。

 

觀(guān)察2017年全球前十大晶圓代工業(yè)者排名，整體排名與2016年相同，臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電分居前三，其中臺積電產(chǎn)能規模龐大加上高于全球平均水平的年成長(cháng)率，市占率達55.9%，持續拉大與競爭者的距離；全球排名第二的格羅方德受惠于新產(chǎn)能的開(kāi)出與產(chǎn)能利用率提升，2017年營(yíng)收呈現年增8.2%的相對高成長(cháng)表現。

 

 

在晶圓代工市場(chǎng)排名第三的聯(lián)電于今年量產(chǎn)14nm，但僅占全年營(yíng)收約1%，然而，在整體產(chǎn)能提升與產(chǎn)品組合轉換帶動(dòng)下，實(shí)際營(yíng)收年成長(cháng)率達6.8%；而與臺積電同為10nm工藝技術(shù)先驅的三星(Samsung)，則因采用的大客戶(hù)僅有高通(Qualcomm)，致使成長(cháng)受限，排名第四；排名第五的中芯雖然持續擴大資本支出，然而，受限于2017年實(shí)際開(kāi)出的產(chǎn)能有限與28nm良率的瓶頸未突破，使得成長(cháng)率低于全球市場(chǎng)平均。

 

高塔半導體(TowerJazz)及華虹宏力則透過(guò)產(chǎn)能擴增，在市場(chǎng)對8吋廠(chǎng)需求持續暢旺下，帶來(lái)大于10%的年成長(cháng)；力晶則因調升代工業(yè)務(wù)比重，交出高成長(cháng)率成績(jì)單。

 

另一方面，在5G與電動(dòng)車(chē)的需求驅使下，可觀(guān)察到晶圓代工業(yè)者積極的投入第三代半導體材料GaN及SiC的開(kāi)發(fā)，如臺積電提供GaN的代工服務(wù)及X-Fab公布SiC晶圓代工業(yè)務(wù)將于2017第四季貢獻營(yíng)收。

 

展望2018年，除7nm先進(jìn)工藝節點(diǎn)將帶動(dòng)整體產(chǎn)值之外，在2018年為5G試營(yíng)運重要的觀(guān)察年下，第三代半導體的代工服務(wù)所帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈變化，同為市場(chǎng)值得關(guān)注的重點(diǎn)。

 

 






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