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技術(shù)攻略:結構緊湊、體積小的均衡器設計

發(fā)布時(shí)間:2014-12-09 責任編輯:echolady

【導讀】在雷達和干擾機等戰略技術(shù)方面,行波管和大功率固態(tài)功率放大器作為核心,是戰斗裝備的關(guān)鍵所在。但是行波管和大功率固態(tài)放大器的工作頻段往往不能滿(mǎn)足武器裝備的要求。均衡器就是這樣產(chǎn)生的。本文提出了結構緊湊且體積小的均衡器設計方案。

行波管和大功率固態(tài)功率放大器作為雷達、干擾機的核心,其技術(shù)水平?jīng)Q定了這些裝備的戰術(shù)性能,是現代戰爭中的關(guān)鍵技術(shù)。但行波管和大功率固態(tài)功率放大器在工作頻段內往往存在較大的增益波動(dòng),不能達到武器裝備的要求。目前大都采用引入均衡網(wǎng)絡(luò )的方法來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題,這個(gè)網(wǎng)絡(luò )的特性恰好與信號的畸變特性相反,這樣就可以使信號不發(fā)生幅度畸變,插入的這個(gè)網(wǎng)絡(luò )就是功率均衡器。

由于微帶枝節型均衡器具有體積小和高可靠性的優(yōu)點(diǎn),所以在微波頻段得到了廣泛的運用,但是由于該結構均衡器將電阻直接加載在了主傳輸線(xiàn)上,使得電路的反射大大增加,而且引入了較大的高端插損。本文提出了一種新穎的均衡器結構,該結構均衡器具有結構緊湊、體積小的優(yōu)點(diǎn),和傳統枝節型均衡器相比,駐波系數和高端插損都有較大改善。

物理模型

一個(gè)均衡器實(shí)際上是由多個(gè)陷波器構成,從而實(shí)現我們需要的衰減曲線(xiàn),因此,我們從單個(gè)陷波器出發(fā),來(lái)分析均衡器的工作原理。

我們將多個(gè)接地諧振回路級聯(lián)起來(lái),形成級聯(lián)網(wǎng)絡(luò )如圖2所示,級聯(lián)網(wǎng)絡(luò )的T矩陣與各個(gè)諧振枝節T矩陣的關(guān)系如下:
技術(shù)攻略:結構緊湊、體積小的均衡器設計
再由T矩陣和S矩陣的轉換關(guān)系,得到級聯(lián)網(wǎng)絡(luò )的S矩陣。如果每級陷波器的輸入輸出都是匹配的,則級聯(lián)網(wǎng)絡(luò )的s21可以寫(xiě)為:
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根據級數展開(kāi)理論,用無(wú)限多的陷波器子結構相級聯(lián),可以合成任意的響應特性波形。

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圖1(a):陷波器頻率響應特性
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圖1 (b)陷波器頻率響應特性
 
因此,以諧振枝節加電阻陷波器單元作為均衡器子結構,然后通過(guò)級聯(lián)的方式,實(shí)現均衡器的設計。通過(guò)調整各子結構的諧振頻率和Q值從而逼近我們所需要的均衡曲線(xiàn)。
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傳統枝節均衡器

如圖所示為傳統枝節型均衡器的電路拓撲圖,該結構均衡器以λ/4開(kāi)路枝節作為諧振枝節,加電阻構成陷波單元,電路左端和右端加匹配電路,由于電阻是直接加載在主傳輸線(xiàn)上,所以造成該均衡網(wǎng)絡(luò )的輸入輸出阻抗發(fā)生變化,因此兩邊需要添加匹配網(wǎng)絡(luò )才能使駐波基本達到要求,而且用該結構設計的均衡器高端插損也很大。

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圖2 枝節型均衡器電路拓撲圖
 
新結構均衡器子結構設計

圖3是本文所提出的新結構均衡器的陷波器子結構,諧振器位于主傳輸線(xiàn)的正下方,由通孔和主傳輸線(xiàn)相連,在靠近通孔處加電阻,諧振器和接地板間留有0.3mm的縫隙,由于諧振器和主傳輸線(xiàn)是由通孔直接相連,二者之間存在寬邊耦合,因此該結構諧振器具有強耦合特性,并且不會(huì )像傳統開(kāi)路枝節一樣占用太多的空間。

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圖3 新結構陷波器模型
 
根據所要求的頻率衰減特性,我們采用RF60介質(zhì)基板,厚度為0.635mm,通孔直徑為0.5mm。
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圖4為改變諧振枝節的長(cháng)度和電阻的大小時(shí)的頻率仿真曲線(xiàn),可見(jiàn)當增大電阻時(shí),陷波器的Q值減小,而減小諧振器的長(cháng)度時(shí),陷波器的中心頻率升高。所以可以通過(guò)改變諧振器的長(cháng)度和電阻的大小,實(shí)現對中心頻率和Q值的調節,所以該結構能夠達到均衡器子結構的要求。

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圖4 (a)諧振器長(cháng)度對S21的影響
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圖4 (b)電阻大小對S21的影響
 
新結構均衡器設計和仿真結果

根據需要,我們采用三個(gè)陷波子結構級聯(lián)設計制作了一個(gè)微帶均衡器,圖5是該型號均衡器的S21和S11仿真結果曲線(xiàn),很明顯可以看出,采用新結構設計制作的均衡器在工作頻段內能保證S11小于-20dB,而高端插損小于-2dB,說(shuō)明采用該結構能很好的改善均衡器的駐波和高端插損。

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圖5 (a)S21仿真結果
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圖5 (b)S11仿真結果
 
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