中微半導體設備有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”）宣布獲得韓國先進(jìn)存儲芯片生產(chǎn)廠(chǎng)商購買(mǎi)Primo SSC AD-RIE™（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）的重復訂單。該設備被客戶(hù)認可為用于16納米關(guān)鍵閃存芯片加工的首選設備（PTOR），將用于大批量芯片生產(chǎn)。此前，中微的Primo SSC AD-RIE™通過(guò)客戶(hù)生產(chǎn)線(xiàn)上嚴格的驗證，取得了比其他同類(lèi)競爭產(chǎn)品更加優(yōu)異的結果。中微現在正在和客戶(hù)合作研究開(kāi)發(fā)DRAM和3D NAND工藝。 

 

 

圖1：中微單反應臺等離子體刻蝕設備Primo SSC AD-RIE(TM) 

 

中微副總裁兼韓國區總經(jīng)理尹敬一表示，中微設備成為“PTOR”標志著(zhù)中微取得了一項重大進(jìn)展，他說(shuō)道：“很明顯，現在處于世界前沿的客戶(hù)不單單想從供應商那兒尋找新設備，他們還希望能夠為復雜的生產(chǎn)過(guò)程帶來(lái)的挑戰尋求全面解決方案。這就要求先進(jìn)技術(shù)和相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識緊密聯(lián)系在一起，正是依靠這種模式，我們?yōu)樵摽蛻?hù)解決了生產(chǎn)過(guò)程中碰到的各種問(wèn)題，使得客戶(hù)的閃存芯片開(kāi)發(fā)取得新的進(jìn)展。” 

 

Primo SSC AD-RIE™是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蝕設備產(chǎn)品，能夠滿(mǎn)足超高產(chǎn)能、優(yōu)異的芯片加工質(zhì)量和芯片刻蝕技術(shù)可延展性等嚴苛的技術(shù)要求。Primo SSC AD-RIE™的晶圓傳遞平臺可配置多達6個(gè)單晶圓加工反應器，每個(gè)反應器可以獨立地設定加工條件，從而靈活地實(shí)現精準的工藝控制。每個(gè)反應器有極高的抽速，并有多區氣體分布、動(dòng)態(tài)射頻功率以及多區溫度控制等可獨立調節的工藝參數。而在線(xiàn)工藝微調和穩固的腔體設計避免了高深寬比刻蝕工藝中常出現的刻蝕停止現象以及工藝飄移現象的發(fā)生，從而提高刻蝕的重復性并更容易實(shí)現反應器之間的良好匹配，能夠大大提高生產(chǎn)效率。 

 

中微刻蝕設備的一大關(guān)鍵優(yōu)勢在于它的配置極具靈活性。它在同一個(gè)主機系統上可以配備雙反應器實(shí)現高產(chǎn)出和低成本，或者也可以配備單反應器以滿(mǎn)足關(guān)鍵刻蝕工藝中高抽速等要求。這種配置的靈活性還體現在氣體控制系統的安裝上，他們既可以置于地面以便于維護，也可以置于設備上方以減少占地面積。 

 

Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注冊商標。