IGBT關(guān)斷損耗大、拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問(wèn)題由兩方面構成：

1）IGBT的主導器件—GTR的基區儲存電荷問(wèn)題。
2）柵寄生電阻和柵驅動(dòng)電荷，構成了RC延遲網(wǎng)絡(luò )，造成IGBT延遲開(kāi)和關(guān)。

這里，首先討論原因一的解決方法。解決電路見(jiàn)圖（1）。

IGBT的GTR是利用基區N型半導體，在開(kāi)通時(shí)，通過(guò)施加基極電流，使之轉成P型，將原來(lái)的PNP型阻擋區變?yōu)镻-P-P通路。為保證可靠導通，GTR是過(guò)度開(kāi)通的完全飽和模式。

所謂基區儲存效應造成的拖尾，是由于GTR過(guò)度飽和，基區N過(guò)度轉換成P型。在關(guān)斷時(shí)，由于P型半導體需要復合成本征甚至N型，這一過(guò)程造成了器件的拖尾。

該電路采用準飽和驅動(dòng)方式，讓IGBT工作在準飽和模式下。IGBT預進(jìn)入飽和，驅動(dòng)電壓就會(huì )被DC拉低，使之退出飽和狀態(tài)，反之IGBT驅動(dòng)電壓上升，VCE下降，接近飽和。對于標準IGBT，這電路可以保證，IGBT的導通壓降基本維持在3.5V水平，即IGBT工作在準線(xiàn)性區。這樣IGBT的GTR的基極就不會(huì )被過(guò)驅動(dòng)，在關(guān)斷時(shí)，幾乎沒(méi)有復合過(guò)程。這樣器件的拖尾問(wèn)題就幾乎解決了！現在，唯一存在的問(wèn)題是IGBT的通態(tài)壓降略高。

這種方式已經(jīng)在邏輯IC里盛行?，F在的超高速邏輯電路都采用這種結構，包括電腦中的CPU！我們已享用此原理，卻并不知道。

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