產(chǎn)品特性：

• 采用從48MHz到最高64MHz的最大的CPU模塊
• 其性能為1.81 Dhrystone MIPS (DMIPS)/MHz
• 提供從256KB到高達1.5MB的閃存
• 采用64引腳至176引腳的封裝

適用范圍：

• 用于車(chē)身控制

全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會(huì )社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）日前宣布推出19款新型低功耗V850E2/Fx4-L系列32位微控制器MCU。 新系列產(chǎn)品主要應用于車(chē)身控制，與先進(jìn)的外設功能相結合，具有可升級性和兼容性，從而為車(chē)頂或車(chē)窗升降器、車(chē)門(mén)、座椅和照明模塊、HVAC（加熱、通風(fēng)和空調）及車(chē)身控制模塊等應用提供了最佳的解決方案。

基于V850的新款MCU系列實(shí)現了極低的功耗，在有源模式下的功耗為：0.35mA/1MHz。

V850E2/Fx4-L MCU具備獨有的節能特性，稱(chēng)為定序器（SEQ）SEQ支持在省電模式下對于數字輸入端口的輸入水平變化進(jìn)行監控，無(wú)需占用任何的CPU或存儲器。當SEQ在數字輸入時(shí)檢測到了變化時(shí)，器件開(kāi)關(guān)將從省電模式切換到工作模式。還有一個(gè)獨有的特性是LIN主線(xiàn)控制器(LMA)，可不通過(guò)CPU的相互作用，支持自動(dòng)的LIN框架檢測。

新款低功耗V850E2/Fx4-L MCU整合并擴展了NEC電子和瑞薩科技的原有技術(shù)，即V850 32位RISC CPU和節能型MONOS (metal oxide nitride oxide silicon)閃存技術(shù)，采用了RX和SH™ MCU 系列的90納米（nm）工藝技術(shù)。

V850E2/Fx4-L MCU采用了從48MHz到最高64MHz的最大的CPU模塊，其性能為1.81 Dhrystone MIPS (DMIPS)/MHz。通過(guò)采用AUTOSAR和增強型的系統功能，對于更大的存儲性能的要求日益增多。V850E2/Fx4-L MCU通過(guò)提供從256KB到高達1.5MB的閃存滿(mǎn)足了這種需要，這些存儲器采用64引腳至176引腳的封裝。配置了增強型的外設，包括PWM生成，多達兩個(gè)CAN接口及8個(gè)DMA（直接存儲器存?。┩ǖ?。

經(jīng)過(guò)完全驗證的AUTOSAR MCAL（微控制器抽象層）軟件驅動(dòng)包計劃推出。瑞薩MCAL軟件驅動(dòng)包可采用獨立的軟件封裝或集成在一個(gè)與其它合作伙伴合作開(kāi)發(fā)的完整的基本軟件棧中。為了符合AUTOSAR的要求，已經(jīng)在所有V850E2/Fx4-L器件中增加了新的系統保護功能(SPF)。SPF包括存儲器保護單元（MPU）和系統寄存器保護（SRF）。