2011中國(西安)電子展即將開(kāi)展 眾廠(chǎng)商將亮相

　　碳化硅肖特基二極管thinQ！TM，是采用新TO-247HC(長(cháng)爬電距離)封裝的1200V碳化硅器件。這種新的封裝方式完全兼容行業(yè)標準TO-247，因而可輕松用于現有設計，而無(wú)需付出額外努力。更長(cháng)的爬電距離可提高系統安全性，有效防止由于系統內部灰塵或污垢導致的短路，特別是針對電弧，這樣無(wú)需使用額外的化學(xué)(硅膠或硅霜)或機械(護套或箔)手段來(lái)避免封裝引線(xiàn)之間存的在任何污染，從而充分發(fā)揮快速的精益生產(chǎn)工藝的所有優(yōu)勢。產(chǎn)品應用于太陽(yáng)能系統、UPS、SMPS和電機逆變器等領(lǐng)域。

　　英飛凌素以提供適用于汽車(chē)(AEC Q101)的優(yōu)質(zhì)小信號MOSFET聞名于世?，F在，其新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進(jìn)一步豐富了這個(gè)產(chǎn)品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出色的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實(shí)現更好的輕載效率。該產(chǎn)品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強調節省空間、降低功耗的應用，可在電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)和外充電式混合動(dòng)力汽車(chē)的電池能量控制模塊(BECM)中發(fā)揮平衡作用。

　　英飛凌(Infineon)將攜集成快速體二極管650V CoolMOSTMCFD2、中壓系列OptiMOSTM、碳化硅肖特基二極管thinQ！TM和60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET等多款領(lǐng)先新品亮相今年的中國(西安)電子展。

　　650V CoolMOSTMCFD2，是全球第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管，這個(gè)新的CFD2器件延續了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更佳的換流功能，從而降低電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。該產(chǎn)品可將諸如太陽(yáng)能設備、照明裝置等能效提升至新的高度。

　　另一款新推出的60V至150V CanPAKTM，進(jìn)一步完善了OptiMOSTM功率MOSFET產(chǎn)品陣容。利用該產(chǎn)品，電源系統工程師可以?xún)?yōu)化設計，實(shí)現更高能效和更好的散熱性能，同時(shí)最大限度縮小占板空間。較之標準分立式封裝，CanPAKTM金屬“罐”結構有助于實(shí)現雙面散熱，并且幾乎不會(huì )產(chǎn)生封裝寄生電感。OptiMOSTM產(chǎn)品可在整個(gè)電壓范圍內實(shí)現行業(yè)最低的RDS(on)和Qg，對于面向太陽(yáng)能微型逆變器和太陽(yáng)能系統中使用的MPP追蹤器等快速開(kāi)關(guān)應用，很低的柵極電荷(Qg)意味著(zhù)最低的開(kāi)關(guān)損耗。

中國西部擁有極其豐富的太陽(yáng)能、風(fēng)能與水能資源，這無(wú)疑將催生出全球巨大的新能源和清潔能源市場(chǎng)。立足于西部的中國電子展近幾年分別在西安與成都輪流舉辦，著(zhù)力將新能源與清潔能源打造為展覽的核心議題，吸引了不少有志于開(kāi)發(fā)中國西部新能源與清潔能源市場(chǎng)的知名電子廠(chǎng)商。今年的2011中國(西安)電子展將于8月25～27日在西安曲江國際會(huì )展中心舉辦。