SiHG47N60S的產(chǎn)品特性：

• 具有0.07Ω的超低最大導通電阻
• 柵極電荷減小到216nC
• 采用TO-247封裝
• 符合RoHS指令2002/95/EC

SiHG47N60S的應用范圍：

• 太陽(yáng)能電池、風(fēng)力發(fā)電機
• 電機控制電源應用

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET。 SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。

柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優(yōu)值系數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業(yè)界此類(lèi)器件當中最低的。

SiHG47N60S的低導通電阻意味著(zhù)更低的傳導損耗，從而在太陽(yáng)能電池和風(fēng)力發(fā)電機的逆變器、通信、服務(wù)器和電機控制電源應用中的逆變器電路和脈寬調制(PWM)全橋拓撲中節約能源。

新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術(shù)制造，這種技術(shù)為減小通態(tài)電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進(jìn)行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進(jìn)行了完備的雪崩測試。

新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。