產(chǎn)品特性：
- 將提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度
- 尺寸僅為8x8mm
- 功率MOSFET
功率半導體廠(chǎng)商意法半導體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會(huì )提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小的裸片，并提供一個(gè)裸露的金屬漏極焊盤(pán)，有效排除內部產(chǎn)生的熱量。薄型封裝將使設計人員能夠設計更薄的電源外殼，為當今市場(chǎng)提供緊湊時(shí)尚的新產(chǎn)品?？蛻?hù)可從兩個(gè)公司獲得這款新的標準產(chǎn)品：意法半導體和英飛凌（Infineon Technologies）均將推出采用這個(gè)創(chuàng )新封裝的MOSFET晶體管，意法半導體的產(chǎn)品名稱(chēng)是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飛凌的產(chǎn)品名稱(chēng)是ThinPAK 8x8，從而為客戶(hù)提供高品質(zhì)雙貨源供貨。
新封裝的纖薄外形和優(yōu)異的散熱性能，結合意法半導體MDmesh V技術(shù)的無(wú)與倫比的超低單位裸片面積導通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節省印刷電路板空間。意法半導體將在現有的MDmesh V 產(chǎn)品陣容內加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發(fā)布該系列首款產(chǎn)品：650V STL21N65M5。
意法半導體功率晶體管產(chǎn)品部市場(chǎng)總監Maurizio Giudice表示：“我們與英飛凌的合作卓有成效，已開(kāi)發(fā)出一項高性能封裝技術(shù)，我們的客戶(hù)可以獲得尖端的應用設計和全球兩大功率半導體廠(chǎng)商支持的芯片封裝。這項具有突破性的封裝技術(shù)結合意法半導體獨有的業(yè)內最先進(jìn)的MDmesh V制程，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產(chǎn)品中最高的功率密度和能效。”
STL21N65M5的主要特性：
- RDS(ON)：0.190?
- 最大額定輸出電流 （ID）：17A
- 結到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W
關(guān)于意法半導體的MDmesh™ V技術(shù)：
MDmesh V是意法半導體的新一代多漏極網(wǎng)格技術(shù)，該項技術(shù)可最大限度地降低導通損耗，同時(shí)不會(huì )對開(kāi)關(guān)性能產(chǎn)生很大的影響。采用這項技術(shù)的MOSFET能夠讓設計人員符合對電子產(chǎn)品能效有更高要求的環(huán)保設計法規，還能讓他們有機會(huì )在再生能源等新興產(chǎn)業(yè)中尋找市場(chǎng)機遇，因為在全球發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)的浪潮中，最大限度地降低功率轉換損耗是降低每瓦成本的關(guān)鍵所在。
MDmesh V架構改進(jìn)了晶體管的漏極結構，可有效降低漏源電壓降，結果，裸片單位面積的導通電阻非常低，尺寸小的器件也能取得超低的通態(tài)損耗。事實(shí)上，在采用TO-220標準封裝的650V MOSFET產(chǎn)品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。
MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低，在高速開(kāi)關(guān)時(shí)能效優(yōu)異，RDS(ON) x Qg 性能因數 (FOM)很小。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓，為設計工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，并100%經(jīng)過(guò)雪崩測試。另一項優(yōu)勢是，整齊的關(guān)斷波形有助于簡(jiǎn)化柵極控制，降低對EMI濾波的要求。
現已上市的MDmesh V技術(shù)產(chǎn)品采用各種工業(yè)標準封裝，包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。
