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抑制開(kāi)關(guān)穩壓器EMI:不用濾波電路,還有什么好方法?

發(fā)布時(shí)間:2021-10-19 來(lái)源:DigiKey 責任編輯:wenwei

【導讀】對于要實(shí)現電池供電或分布式電源系統的設計人員來(lái)說(shuō),使用低壓降 (LDO)穩壓器還是開(kāi)關(guān)穩壓器往往是個(gè)問(wèn)題。開(kāi)關(guān)穩壓器的效率相對更高,可謂是一項優(yōu)勢,尤其是對于電池供電產(chǎn)品。然而,電源中快速開(kāi)關(guān)晶體管產(chǎn)生的EMI才是關(guān)鍵權衡要素——在高度集成的緊湊型設計中,EMI可能會(huì )衍生成更嚴重的問(wèn)題。

 

輸入和輸出濾波電路可減輕EMI的影響,但會(huì )增大電路尺寸、增加成本和復雜性。新一代的集成式模塊化開(kāi)關(guān)穩壓器解決了這些問(wèn)題,這些開(kāi)關(guān)穩壓器可提供各種內置技術(shù)來(lái)抑制EMI,同時(shí)不影響穩壓器的性能或效率。

 

本文簡(jiǎn)要說(shuō)明了開(kāi)關(guān)穩壓器在便攜式設計中占據的優(yōu)勢以及濾波電路的重要性。此外,還以 Allegro Microsystems 、Analog Devices 和Maxim Integrated的產(chǎn)品為例,介紹了內置EMI濾波器的開(kāi)關(guān)穩壓器以及用其簡(jiǎn)化功率傳輸的方法。


為什么要在便攜式設計中使用開(kāi)關(guān)穩壓器?


效率高、功耗低(降低熱管理難度)、功率密度大是選擇開(kāi)關(guān)穩壓器而非LDO的主要原因。在大部分負載范圍內,商用開(kāi)關(guān)穩壓器模塊的效率(即輸出功率/輸入功率 x 100)通常約為90%至95%,遠高于同等的LDO。此外,開(kāi)關(guān)穩壓器既能升壓、降壓,也可提供反相電壓,因此在靈活性上也勝過(guò)LDO。


 開(kāi)關(guān)穩壓器的核心是脈沖寬度調制 (PWM) 開(kāi)關(guān)元件,包含一兩個(gè)金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET),以及與之配對的一兩個(gè)電感器用于能量存儲。開(kāi)關(guān)穩壓器的工作頻率決定了單位時(shí)間內的開(kāi)關(guān)循環(huán)次數,而PWM信號的占空比 (D) 決定了輸出電壓(根據 VOUT= D × VIN)。


在便攜式設計中,開(kāi)關(guān)穩壓器的高效率雖是一項優(yōu)勢,卻也存在不少待權衡要素,包括成本、復雜性、尺寸、負載瞬變響應慢以及低負載下的低效率(盡管正在逐步改進(jìn))。另一項主要設計挑戰是應對功率晶體管開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的EMI。其開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì )引起電路其他部分的電壓和電流過(guò)沖,從而導致輸入輸出電壓和電流紋波,并在開(kāi)關(guān)頻率處(及其倍數)產(chǎn)生瞬態(tài)能量尖峰。電壓紋波在PWM“開(kāi)啟”周期結束時(shí)達到峰值(圖1)。


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圖1:開(kāi)關(guān)穩壓器的輸出電壓紋波波形圖顯示了瞬態(tài)尖峰是EMI的主要來(lái)源。(圖片來(lái)源:Analog Devices)


EMI管理策略


如需降低因穩壓器功率FET開(kāi)關(guān)引起的EMI,在輸入和輸出端添加電阻電容(R-C) 吸收電路是一種行之有效的方法。該電路有助于濾除能量尖峰,減小電壓和電流紋波,從而降低 EMI。在好的設計中,輸出電壓為2至5V的開(kāi)關(guān)電源最好能將電壓紋波峰峰值降至10至50mV,并使瞬態(tài)尖峰最小化。


濾波電路元件的選型是一項棘手的工作,尤其是輸入和輸出端的大容量電容器,因為需要在元器件尺寸、成本(以及對穩壓器瞬態(tài)響應和回路補償的影響)與電壓峰峰值、電流紋波和EMI抑制之間進(jìn)行權衡。


借助基于關(guān)鍵公式的一些成熟技術(shù)是不錯的切入點(diǎn)。輸入電壓紋波包括ΔVQ(由輸入電容器放電產(chǎn)生)和ΔVESR(由輸入電容器的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 產(chǎn)生)。如果已指定輸入端的電壓紋波最大峰峰值,分別通過(guò)公式1和公式2即可估算大容量電容器的所需輸入電容 (CIN)和ESR:


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同樣,如果已指定輸出端的電壓紋波最大峰峰值,則分別通過(guò)公式3和公式4即可確定大容量電容器的電容和ESR:


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請務(wù)必注意,ΔVESR和ΔVQ不可直接相加,因為兩者彼此相位相異。如果設計人員選擇陶瓷電容器(ESR通常較低),則主要是ΔVQ;若選擇電解電容器,則主要是ΔVESR。


快速負載瞬變期間輸出電壓與期望輸出的可接受偏差也會(huì )影響輸出電容容量和ESR阻值的選擇。具體而言,在開(kāi)關(guān)穩壓器控制器增大PWM占空比來(lái)響應負載瞬變前,輸出電容器必須能夠在瞬變期間支持負載電流。如需計算負載階躍期間最小輸出偏差所需的輸出電容和ESR,可分別使用公式5和公式6:


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這些計算雖有助于簡(jiǎn)化相應元件的選擇以管理電壓和電流紋波及瞬態(tài)尖峰,但設計人員仍必須考慮電容器的耗散功率 (PCAP)。計算公式如下:


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該公式表明在給定ESR的情況下,內部溫升與紋波電流的平方成正比。在用于減小較大的紋波電流時(shí),可能會(huì )造成電容器明顯發(fā)熱,如果散熱不及時(shí),則電容器的電解液將逐漸蒸發(fā),使其性能下降直至完全失效。為了避免出現這種情況,工程師必須選擇表面積較大、價(jià)格更昂貴的器件以促進(jìn)散熱。


使用低EMI穩壓器


盡管輸入和輸出濾波可減小電壓和電流紋波,但是選擇一款既符合規格,又能實(shí)現最小紋波高度峰峰值的開(kāi)關(guān)穩壓器才是好的設計習慣。藉此減少濾波電容器因功率耗散而產(chǎn)生的應力,從而使用更為小巧、便宜的器件。


實(shí)現最小電壓和電流紋波的一種技術(shù)是采用電壓模式控制方案。在此方案中,通過(guò)將控制電壓施加到比較器的一個(gè)輸入端,并將時(shí)鐘產(chǎn)生的固定頻率鋸齒電壓(或“PWM斜坡”)施加到另一輸入端來(lái)生成PWM信號。相較于另一種可選的電流模式控制方案,該技術(shù)在實(shí)現EMI最小化方面性能更佳。前者更容易加劇EMI程度,因為功率級產(chǎn)生的噪聲往往會(huì )進(jìn)入控制反饋回路。(參閱Digi-Key文庫文章《DC-DC開(kāi)關(guān)穩壓器中用于PWM信號發(fā)生的電壓和電流模式控制》)


除了考慮采用電壓模式控制外,多家芯片供應商還提供了許多方法來(lái)從內部減小電壓和電流紋波的幅度。Allegro Microsystems的A8660同步降壓轉換器正是一個(gè)實(shí)例。這款高端器件通過(guò)了汽車(chē)AEC-Q100認證。該穩壓器的輸入電壓 (VIN) 范圍為0.3至50V,可調輸出電壓范圍為3至45V,可編程基本頻率 (fOSC) 范圍為200kHz至2.2MHz。此外,A8660還提供一系列保護功能,包括在器件退出壓降狀態(tài)時(shí),通過(guò)軟恢復來(lái)防止VOUT過(guò)沖和電壓尖峰干擾。


穩壓器實(shí)現EMI最小化的關(guān)鍵在于一種稱(chēng)作PWM基本頻率抖動(dòng)的技術(shù)。啟用后,內部設置的“抖動(dòng)掃描”會(huì )系統地將fOSC改變±10%,從而使開(kāi)關(guān)頻率能量分散。抖動(dòng)調制頻率 (fMOD)為12kHz,以三角調制波形進(jìn)行掃描。


在啟用和禁用抖動(dòng)的情況下,A8660的傳導和輻射發(fā)射頻譜對比如圖2所示。兩個(gè)測試設置采用的外部元器件和印刷電路板布局完全相同。


33.png圖2:使用固定基本頻率(紅色)的開(kāi)關(guān)穩壓器與采用頻率抖動(dòng)(藍色)的穩壓器輻射發(fā)射頻譜對比。工作參數:fOSC = 2.2MHz,VIN = 12V,VOUT= 3.3V,負載 = 3A。(圖片來(lái)源:Allegro Microsystems)


對于工作頻率低于A(yíng)M無(wú)線(xiàn)電頻段 (fOSC < 520kHz) 的設計,A8660的同步輸入可用于fOSC及其諧波的頻移,以進(jìn)一步降低EMI。只需將外部時(shí)鐘連接至SYNCIN引腳,并將A8660的基本頻率由fOSC的1.2倍增至1.5倍即可實(shí)現。


Analog Devices的LT8210IFE同步降壓/升壓控制器也具有三角頻率調制方案。在這種情況下,LT8210IFE可將fSW由標稱(chēng)設定頻率緩慢擴展至設定值的112.5%,并解擴恢復。


此外,該器件還具有“直通”功能可暫停開(kāi)關(guān),從而消除開(kāi)關(guān)損耗以降低EMI并提高效率。該穩壓器的輸入范圍為2.8至100V,輸出為1至100V。輸出電壓精度為±1.25%,反向輸入保護高達-40V。


啟用直通模式時(shí),穩壓器的降壓和升壓調節回路可獨立運行。通過(guò)將降壓調節模式預設輸出電壓 VOUT(BUCK) 設置成高于升壓調節模式預設輸出電壓VOUT(BOOST),即可使用獨立的誤差電流來(lái)產(chǎn)生直通窗口。直通模式對輸出電壓紋波的影響如圖所示(圖3)。


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圖3:在直通模式下,即使面對高噪聲輸入源(紅色跡線(xiàn)),LT8210穩壓器亦可減小輸出電壓紋波(藍色跡線(xiàn))。(圖片來(lái)源:Analog Devices)


VIN在VOUT(BOOST)與VOUT(BUCK)之間時(shí),輸出電壓追蹤輸入電壓。一旦VOUT趨近于VIN,LT8210就會(huì )進(jìn)入低功耗狀態(tài)(直通模式),即開(kāi)關(guān)A和D持續導通,而開(kāi)關(guān)B和C關(guān)斷。VOUT超出VIN達到設定百分比時(shí),開(kāi)關(guān)A、C 和 D關(guān)斷,直至放電使輸出電壓與VIN幾乎相等時(shí),才重新連接輸出。如果處于(非開(kāi)關(guān))直通窗口內時(shí)輸入出現正瞬變,使得VIN超出VOUT達到設定百分比,則開(kāi)關(guān)將重新導通,以防電感器電流中出現較大幅度瞬時(shí)振蕩。此時(shí),輸出電壓將逐漸接近輸入電壓,方式類(lèi)似于軟啟動(dòng),而VOUT趨近于VIN時(shí),開(kāi)關(guān)A和D將再次持續導通。開(kāi)關(guān)拓撲如圖4所示。


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圖4:LT8210穩壓器的開(kāi)關(guān)。在直通模式下,開(kāi)關(guān)A和D持續導通,而開(kāi)關(guān)B和C關(guān)斷。(圖片來(lái)源:Analog Devices)


Maxim Integrated的低EMI產(chǎn)品是MAX15021ATI+T降壓開(kāi)關(guān)穩壓器。輸入電壓范圍為2.5至5.5V,并具有兩路輸出,每路輸出都可由0.6V調節至輸入電壓大小。該穩壓器的基本頻率范圍為500kHz至4MHz,可通過(guò)單個(gè)電阻器進(jìn)行調節。


除了支持電壓模式控制方案以減小電壓紋波外,MAX15021穩壓器還可使用180°異相時(shí)鐘信號來(lái)工作(圖5)。此外,該器件的開(kāi)關(guān)頻率可調節,最高可達4MHz,藉此可顯著(zhù)減小RMS輸入紋波電流。而輸入電流峰值的減?。y波頻率增高),使所需輸入旁路電容容量減小,從而縮小所需電容器的尺寸。


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圖5:MAX15021雙通道穩壓器可實(shí)現180°異相工作以抑制EMI。(圖片來(lái)源:Maxim Integrated)


本文小結


在高效率至關(guān)重要的應用中,模塊化開(kāi)關(guān)穩壓器是電壓調節的不錯選擇。但是,相較于LDO等替代解決方案,權衡要素包括電壓和電流紋波,以及穩壓器開(kāi)關(guān)元件產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓尖峰。若不經(jīng)濾波,噪聲會(huì )產(chǎn)生EMI,從而影響靠近穩壓器的敏感芯片。


雖然使用輸入和輸出濾波電路等成熟設計技術(shù)可降低EMI,但也需要借助大容量電容器來(lái)解決瞬態(tài)尖峰和紋波問(wèn)題,同時(shí)還會(huì )產(chǎn)生較大耗散功率,導致元器件過(guò)熱。


不過(guò),工程師現可使用采用各種內置技術(shù)的新一代模塊化開(kāi)關(guān)穩壓器,來(lái)減小電壓和電流紋波以及瞬態(tài)尖峰,甚至在添加濾波電路前就可以抑制EMI。通過(guò)在設計中使用這些穩壓器,工程師能縮小輸入和輸出端的大容量電容器尺寸,從而縮小濾波電路的尺寸并降低成本。


作者:Steven Keeping 來(lái)源:得捷電子DigiKey



免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


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