【導讀】驅動(dòng)電路設計是功率半導體應用的難點(diǎn)，涉及到功率半導體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護，實(shí)踐性很強。為了方便實(shí)現可靠的驅動(dòng)設計，英飛凌的驅動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細講解如何正確理解和應用這些功能。
驅動(dòng)電路設計是功率半導體應用的難點(diǎn)，涉及到功率半導體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護，實(shí)踐性很強。為了方便實(shí)現可靠的驅動(dòng)設計，英飛凌的驅動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細講解如何正確理解和應用這些功能。
驅動(dòng)電路有兩類(lèi)，隔離型的驅動(dòng)電路和電平位移驅動(dòng)電路，他們對電源的要求不一樣，隔離型的驅動(dòng)電路需要隔離電源，驅動(dòng)集成電路一般都支持正負電源，而電平位移驅動(dòng)電路一般采用非隔離的自舉電源，一般是單極性正電源。
隨著(zhù)IGBT技術(shù)的發(fā)展和系統設計的優(yōu)化，電平位移驅動(dòng)電路應用場(chǎng)景越來(lái)越廣，電路從600V拓展到了1200V。1200V系列驅動(dòng)電流可達+/-2.3A，可驅動(dòng)中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標10kW+應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機。
電平位移驅動(dòng)電路只能實(shí)現功能隔離，所以非隔離的自舉電路是最合適的選擇。
自舉電路
在一些低成本的應用中，特別是對于600V的IGBT和一些小功率的1200V的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅動(dòng)級電源的成本降到最低。因而自舉電路在這些應用中非常受歡迎。
典型自舉電路如圖1所示，自舉電路僅僅需要一個(gè)15~18V的電源來(lái)給逆變器的驅動(dòng)級供電，所有半橋下橋臂IGBT的驅動(dòng)器都與這個(gè)電源直接相連，(見(jiàn)圖1中的VSL引腳)。半橋上橋臂IGBT的驅動(dòng)器通過(guò)電阻Rb和二極管VDb連到電源(VSH引腳)上。每個(gè)驅動(dòng)器的電源引腳上都有一個(gè)電容(C1和C2)來(lái)濾波。電容器C2只給下橋臂驅動(dòng)器濾波和提供瞬態(tài)電流。
圖1.自舉電路
然而，上端電容器C1還有另外的任務(wù)。電路啟動(dòng)時(shí)，電容器沒(méi)有或只是部分充電。但是當底部IGBT VT2導通后，電流通過(guò)Rb和VDb為C1充電且基本達到電源電壓的水平。當然這個(gè)電壓需要減去二極管VDb的正向電壓，電阻Rb的壓降和底部IGBT VT2的導通壓降。當下橋臂IGBT VT2關(guān)斷時(shí)，電容器C1接地電位上升，可以滿(mǎn)足上端驅動(dòng)級所需要的電壓，所以該電容也被稱(chēng)作自舉電容。一旦VT1開(kāi)通，電壓發(fā)生變化，自舉二極管VDb要承受直流母線(xiàn)電壓。
為了驅動(dòng)VT1，電容器C1相應地放電。隨著(zhù)接下來(lái)IGBT VT2的導通，C1流失的電荷得到補充，這樣能循環(huán)工作。
自舉電路設計很巧妙，簡(jiǎn)單好用，但能夠正常運轉，需要注意一系列問(wèn)題：
系統啟動(dòng)時(shí)，要保證先開(kāi)通半橋的下橋臂IGBT，這樣自舉電容能夠被充電到上橋臂所需的驅動(dòng)電壓的額定值。否則可能會(huì )導致不受控制的開(kāi)關(guān)狀態(tài)和/或錯誤產(chǎn)生。
自舉電容器C1的容量必須足夠大，這樣可以在一個(gè)完整的工作循環(huán)內滿(mǎn)足上部驅動(dòng)器的能量要求。
自舉電容器的電壓不能低于最小值，否則就會(huì )出現低壓閉鎖保護。
最初給自舉電容器充電時(shí),可能出現很大的峰值電流。這可能會(huì )干擾其他電路。因此建議用個(gè)小電阻Rb來(lái)限制電流。
一方面，自舉二極管必須快，因為它工作的頻率和IGBT是一樣的，一般用超快恢復二極管，如果功率器件是SiCMOS話(huà)這個(gè)二極管可能需要SiC二極管；另一方面，它必須有足夠大的耐壓，至少和IGBT的阻斷電壓一樣大。這就意味著(zhù)，600V/1200V的IGBT，就必須選擇600V/1200V的自舉二極管。在選擇二極管的時(shí)候，考慮到其額定電壓和開(kāi)關(guān)頻率，二極管的封裝必須保證足夠大的電氣間隙和爬電距離。
當選擇驅動(dòng)電源電壓時(shí)，要考慮自舉電路的損耗，必須考慮驅動(dòng)器內部電壓降以及自舉二極管VDb和電阻Rb的壓降，還必須減去下橋臂IGBT VT2的飽和電壓。最終的自舉電壓要保證上管IGBT柵極電壓不能太低而導致開(kāi)通損耗增加（因為電壓UCEsat增加）。
上下驅動(dòng)器的供電電壓都是USupply。然而，上橋臂驅動(dòng)器的供電電壓需要減去上文提到的電壓，這樣導致上橋臂的IGBT VT1驅動(dòng)電壓總是要比下橋臂VT2要低，是在不同的正向柵極電壓下開(kāi)通的。因此，電壓USupply選取應當保證VT1有足夠的柵極電壓，并且同時(shí)VT2的柵極電壓也不會(huì )變得太高。
對于自舉電容器，應該選用低等效串聯(lián)電阻ESR和等效串聯(lián)電感ESL的電容器(比如陶瓷電容)，這樣可以有效為驅動(dòng)提供脈沖電流。根據需要和應用環(huán)境，也可以選用高容量的電容(比如電解電容)與這些電容并聯(lián)使用。相比陶瓷電容，電解電容具有更高的ESR和ESL值，所以建議并聯(lián)陶瓷電容。通常，這一設計原則也適用于下橋臂驅動(dòng)器的緩沖電容C2。
用自舉電路來(lái)提供負電壓的做法是不常見(jiàn)的，如此一來(lái)，就必須注意IGBT的寄生導通了(密勒鉗位可以防止寄生導通,參考《驅動(dòng)電路設計（三）---驅動(dòng)器的功能---電源》)。
最后需要注意的是，IGBT開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的dv/dt通過(guò)自舉二極管VDb的結電容會(huì )產(chǎn)生共模電流，因此選擇合適的高壓二極管是至關(guān)重要的。英飛凌的一些電平位移驅動(dòng)電路芯片將高壓自舉二極管集成在芯片里，設計應當注意最大dv/dt不能超出最大承受能力。另外，二極管VDb與其串聯(lián)電阻Rb共同決定充電電流，當開(kāi)關(guān)頻率為fSW時(shí)，可以計算最大Cb。
可以用下面的公式估算自舉電容的值，即：
式中:
QG為IGBT的柵極電荷
Iq為相關(guān)驅動(dòng)器的靜態(tài)電流
Ileak為自舉電容的漏電流(只與電解電容有關(guān))
fSW為IGBT的開(kāi)關(guān)頻率
UCC為驅動(dòng)電源電壓
UF為自舉二極管的正向電壓
UCEsat為下橋臂IGBT的飽和電壓
S為余量系數
在計算這個(gè)電容時(shí)，應該選用一個(gè)足夠大的余量因數S，使得選擇的電容在開(kāi)通IGBT時(shí)，電壓降小于5%，S的值通常大于10。
自舉電路具有簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)點(diǎn)。而且有很多實(shí)際案例可以抄作業(yè)，不過(guò)，由于系統往往存在特殊或極端工況，如設計不當，調制頻率或占空比不足以刷新自舉電容器上電荷，電容上的電壓不夠，低于低電壓關(guān)閉值UVLO，這時(shí)候就出現了系統故障，嚴重時(shí)會(huì )損壞系統。
下篇文章開(kāi)始詳細介紹自舉電路的設計，討論設計中的一些問(wèn)題，幫助理解自舉電路。
參考資料
1.《IGBT模塊：技術(shù)、驅動(dòng)和應用》機械工業(yè)出版社
2. 微信文章：自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
3.微信文章: 新品 | 帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅動(dòng)器2ED132xS12x系列
（作者：陳子穎 鄭姿清，來(lái)源：英飛凌工業(yè)半導體）
免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
分布式顯控技術(shù)分類(lèi)與實(shí)戰方案推薦
高精度FOC算法加持，電動(dòng)兩輪車(chē)控制器迎來(lái)高性能芯片方案
SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！
瑞薩和Altium聯(lián)合推出“Renesas 365 Powered by Altium”——軟件定義產(chǎn)品的突破性行業(yè)解決方案
