<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
你的位置:首頁(yè) > 電路保護 > 正文

推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?

發(fā)布時(shí)間:2023-06-06 責任編輯:lina

【導讀】關(guān)于雙電源的注意事項:毫無(wú)疑問(wèn),許多模擬電路都可以在單電源環(huán)境中實(shí)現,而且這種方法很有優(yōu)勢。然而,我個(gè)人的看法是,當使用雙極電源時(shí),模擬電路更直接、更直觀(guān)。我是不愿意用不必要的電源電路使設計復雜化的人,但本文介紹的電荷泵電路非常簡(jiǎn)單緊湊,它使雙極性電源成為許多模擬和混合信號設備的可行選擇。


在做信號控制以及驅動(dòng)時(shí),為了加快控制速度,經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成:上P下N,上N下P。其原理圖分別如下所示。



推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?


在平時(shí)中,我個(gè)人經(jīng)常遇到的推挽電路是第一種。當我每次問(wèn)身邊的工程師:“為什么不選擇使用第二種?第二種是上P下N型,這樣的管子在實(shí)際中用起來(lái),理論中比上N下P型更有優(yōu)勢呀?!钡菍?shí)際中,從來(lái)也沒(méi)有人正面地回答我,為什么不適用上P下N?;蛟S很多人都會(huì )不屑去回答這個(gè)問(wèn)題,但是這個(gè)問(wèn)題確實(shí)是電子設計初學(xué)者幾乎都會(huì )考慮的問(wèn)題。今天我就捋一捋這個(gè)小問(wèn)題。


先來(lái)看看上N下P型,從該原理圖可以知道,其輸出信號與輸入信號的相位是相同的,即輸入時(shí)高。輸出就是高。但是根據N管的工作特點(diǎn)——N管的輸出電壓幅值=Vb=0.7V,所以改模型的輸出幅值會(huì )受到輸出信號的限制。所以這對輸入信號的幅值要求比較苛刻,否則可能會(huì )導致后級的高電平信號不夠高。



推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?


其輸出的效果圖如上圖所示,可能細心的人會(huì )發(fā)現,當輸入信號的高電平低于電源電壓時(shí),這意味著(zhù)上N管的CE節將會(huì )承受較高的電壓。這也就意味著(zhù)上管將有著(zhù)發(fā)熱壞的風(fēng)險。


這個(gè)結論是存在一定的道理的,但實(shí)際中,當推挽電路在做信號控制時(shí),其中流過(guò)的電流并不會(huì )很大,所以這種情況下,上管也不容易壞。但是如果推挽電路用于驅動(dòng)負載時(shí),則此時(shí)的管子會(huì )流過(guò)大電流,此時(shí)若輸入信號幅度較低,則上管的發(fā)熱量真的會(huì )很?chē)乐?。當然,當輸入信號的低電平高于參考電壓時(shí),下P管也會(huì )存在同樣的問(wèn)題。



推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?


對于上P下N的模型,從原理圖可以知道,該模型的輸出與輸出是反相的。即當輸入為高時(shí),輸出則為低。


而實(shí)際的應用電路中,我們可以將其與上N下P模型進(jìn)行對比。對比之后可以發(fā)現,上P下N模型的三極管基極會(huì )串了一個(gè)電阻,但是上N下P在實(shí)際應用中可以將其省略。上P下N模型中要加這兩個(gè)電阻的原因是為了將上P管與下N管進(jìn)行信號隔離。假如不進(jìn)行信號隔離,從原理圖中可以知道,上P管的信號其實(shí)是會(huì )影響下N管的。



推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?


從以上電路中可以知道,當P管導通時(shí),其信號會(huì )流經(jīng)N管,這時(shí)就會(huì )導致P、N管的串通問(wèn)題。所以該電阻不能省??赡芎芏嗳擞X(jué)得,加兩個(gè)電阻沒(méi)什么,但是如果放在實(shí)際生產(chǎn)中,假如一個(gè)電阻的價(jià)格為0.1分,則生產(chǎn)一千萬(wàn)個(gè)產(chǎn)品則意味著(zhù)“因為這兩個(gè)電阻,成本將直接地上升一萬(wàn)元?!?/span>


另外,我們往往以為加了一個(gè)電阻之后就萬(wàn)事大吉了,其實(shí)并不是。盡管加了電阻,我們還要嚴格保證輸入端要一直有信號且其信號的幅值足夠高,否則一樣會(huì )導致串通問(wèn)題。



推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?


但是,即使能夠保證控制信號的幅值足夠高,但是當信號在進(jìn)行“高——低”轉換的時(shí)候,其中必會(huì )經(jīng)過(guò)一個(gè)信號的轉換區間,這說(shuō)明,在信號進(jìn)行跳變時(shí),依舊會(huì )存在串通的問(wèn)題。要解決這個(gè)問(wèn)題,就要求控制信號的壓擺率遠遠大于三極管的導通時(shí)間(即在保證三極管還沒(méi)做出開(kāi)關(guān)反應時(shí),控制信號就已經(jīng)完成了信號轉換,以避免串通現象)。



推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?


大家可以去查查通用三極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間,查完之后你或許就會(huì )發(fā)現,上P下N型推挽電路的要求未免也太苛刻了吧。


綜上所述,我們在實(shí)際的應用中往往會(huì )選擇上N下P型。下表總結了兩種模型的特點(diǎn)供大家參考:



推挽電路的坑,你踩過(guò)沒(méi)?


當然,上P下N模型只是在柵極型(即三極管模型)中才會(huì )存在如此多的缺點(diǎn),在場(chǎng)效應管(mos管)中還是很受歡迎的。

本文轉載自:硬件筆記本微信公眾號


免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:

設計電荷泵雙極電源

抗混疊濾波器:將采樣理論應用于 ADC 設計

推導電容傳感加速度計的傳遞函數

三種主要電機的實(shí)物結構及其應用電路

滿(mǎn)足當今電源需求的全系列柵極驅動(dòng)電源產(chǎn)品


特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

久久无码人妻精品一区二区三区_精品少妇人妻av无码中文字幕_98精品国产高清在线看入口_92精品国产自产在线观看481页
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>