【導讀】近期，拉閘限電成為社會(huì )各界熱議話(huà)題，在“能耗雙控”政策下，多地企業(yè)遭遇限電停產(chǎn)，其中不乏半導體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)。存儲行業(yè)下半年迎來(lái)消費電子需求旺季，本就面臨芯片缺貨問(wèn)題，廠(chǎng)商再遭遇限電停產(chǎn)可謂雪上加霜。
近期，拉閘限電成為社會(huì )各界熱議話(huà)題，在“能耗雙控”政策下，多地企業(yè)遭遇限電停產(chǎn)，其中不乏半導體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)。存儲行業(yè)下半年迎來(lái)消費電子需求旺季，本就面臨芯片缺貨問(wèn)題，廠(chǎng)商再遭遇限電停產(chǎn)可謂雪上加霜。
不過(guò)，就目前情況來(lái)看，限電停產(chǎn)對存儲行業(yè)尚未產(chǎn)生直接影響，但是，如若長(cháng)期受此政策影響，則有可能會(huì )出現交期拉長(cháng)、生產(chǎn)成本增加等情況。對此，威剛工控將會(huì )持續觀(guān)察政策和市場(chǎng)動(dòng)向。老規矩，先來(lái)看看存儲大廠(chǎng)的最新動(dòng)態(tài)。
&
美國政府要求三星電子、SK海力士、臺積電和英特爾等半導體制造企業(yè)在11月8日之前提交他們的機密信息，包括客戶(hù)名單、庫存狀況及生產(chǎn)計劃，政府將根據這些信息來(lái)找出全球芯片持續短缺的原因。美國政府表示，如果這些企業(yè)不愿意提供，將有必要依據1950年的《國防生產(chǎn)法》讓企業(yè)配合提供信息。然而，對于行業(yè)而言，相關(guān)信息的泄露可能會(huì )嚴重影響到業(yè)務(wù)交易及芯片價(jià)格。韓國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟貿易研究所解釋道：“為了穩定價(jià)格，業(yè)界庫存信息一直被隱藏，此舉將導致市場(chǎng)產(chǎn)生更大的波動(dòng)和商業(yè)困境”。
隨著(zhù)閃存需求超2倍的增長(cháng)，且出于對質(zhì)量的嚴格要求和成本優(yōu)化的需求，位于馬來(lái)西亞檳城的西部數據工廠(chǎng)基于第四次工業(yè)革命技術(shù)，開(kāi)啟了“關(guān)燈制造”策略。通過(guò)自動(dòng)化生產(chǎn)和物流，工廠(chǎng)將實(shí)現32%的成本縮減，并通過(guò)采用智能規劃系統轉向接單生產(chǎn)模式，從而使得工廠(chǎng)產(chǎn)品庫存和訂單交貨時(shí)間減少50%。
美光宣布其財務(wù)預測遠低于市場(chǎng)預期。與此同時(shí)，美國警告：因PC客戶(hù)面臨其他零部件短缺，預計短期內芯片出貨量將下滑。預計截至11月底，美光4Q21的營(yíng)收約為76.5億美元，其遠低于分析師平均預估的85.7億美元。排除特定項目后，預計每股收益為2.1美元，同樣低于預估的2.56美元。
英特爾在亞利桑那州的兩家新工廠(chǎng)：Fab52和Fab62于9月24日開(kāi)工，預計2024年完工后投產(chǎn)，這意味著(zhù)高端半導體工藝的競爭將更加激烈。臺積電的2nm工藝預計也將在2024年批量生產(chǎn)。盡管三星屆時(shí)只能拿出3nm工藝與之競爭，但三星已成功拿下一些定制化芯片的客戶(hù)，甚至特斯拉也繼續在三星的晶圓廠(chǎng)下單。這將會(huì )對英特爾贏(yíng)得高端定制芯片的計劃構成巨大挑戰。
2021-2022 閃存產(chǎn)量
■ SSD產(chǎn)量: 持續增長(cháng)且3D類(lèi)型將占大多數。
2021閃存滿(mǎn)足率和價(jià)格走勢
■ 滿(mǎn)足率：預計從4Q21至2Q22趨于平穩。
■ 庫存：因控制器和零組件的交付周期較長(cháng)，庫存不易建立。
■ 價(jià)格走勢：將從4Q21至2Q22略微下調。
2020-2022 內存產(chǎn)量
■ 內存產(chǎn)量：持續上升，服務(wù)器內存比重增加。
2020-2021 DDR4內存滿(mǎn)足率和價(jià)格走勢
■ 內存滿(mǎn)足率：預計從4Q21至2Q22趨于平穩。
■ 庫存：較不緊張。
■ 價(jià)格走勢：將從4Q21至2Q22略微下降。
免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題，請電話(huà)或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
推薦閱讀：
如何通過(guò)能量收集技術(shù)延長(cháng)無(wú)線(xiàn)傳感器節點(diǎn)的電池續航？
【技術(shù)大咖測試筆記系列】之八：低功率范圍內的MOSFET表征
IOTE物聯(lián)網(wǎng)展參觀(guān)指南丨面對面對接最優(yōu)秀的企業(yè)，聽(tīng)最前沿的會(huì )議！
