電路描述
如圖 1 中的端口 1 – 3 所示,通過(guò)把通道的熱插拔控制器輸出連接至其對應的 CQ 引腳,即可在 SIO+ 模式中提供任意大的供電電流。對于高電流端口,L+ 的熱插拔功能是不可用的;但是,對于那些期望擁有該功能的應用,則可增設一個(gè)外部熱插拔控制器。如圖 1 中的端口 4 所示,未用于 SIO 輸出的 LTC2874 熱插拔控制器可用于正常的 L+ 或其他用途。
在正常的 IO-Link 或 SIO 操作中,L+ MOSFET 關(guān)斷,CQ 輸出通過(guò) TXEN、TXD 和 RXD 正常地工作。所有的 IO-Link 功能均得以保持,包括以 COM3 速度進(jìn)行的全速通信和喚醒脈沖發(fā)生。
在 SIO+ 操作期間, L+ MOSFET 通過(guò) SPI 寄存器接口來(lái)控制,而 CQ 被停用 (TXEN 為低電平或處于 SPI 寄存器控制之下)。寄存器 0xE 的上半字節負責控制 L+ MOSFET。在 SIO+ 模式中,開(kāi)關(guān)頻率被限制在大約 COM1 速度。
雖然 LTC2874 在 CQ 和 L+ 輸出同時(shí)處于運行狀態(tài)的情況下不會(huì )損壞,但是建議不要執行該操作模式,因為輸出波形的上升和下降軌跡是非單調的。這些軌跡由于通道之間的時(shí)序差異以及各種不同電流限值和源電阻的相互影響而出現。
SIO+ 模式的最大輸出電流由 MOSFET 和檢測電阻器 RS 的選擇來(lái)決定。電流限值由 50mV/RS 設定。圖 1 中電路的典型電流限值為 500mA??紤]到容限和變化,產(chǎn)生了一個(gè) 400mA 的端口額定輸出電流。必須選擇合適的 MOSFET 以應對電壓、電流和安全工作區 (SOA) 要求。更多詳情請見(jiàn) LTC2874 產(chǎn)品手冊。
MOSFET 的輸出電容給 IO-Link 標準所允許的 1nF 最大值貢獻了約 60pF。
由于該電路并聯(lián)了兩個(gè)驅動(dòng)器,因此那個(gè)閑置的驅動(dòng)器充當著(zhù)工作驅動(dòng)器上的一個(gè)容性負載。當工作驅動(dòng)器改變狀態(tài)時(shí),它將在閑置驅動(dòng)器中產(chǎn)生一個(gè)充電電流。由于 MOSFET 的較大電容和 CQ 驅動(dòng)器的較快邊緣速率,因此這種影響在 IO-Link 操作期間更為顯著(zhù)。為了防止充電電流脈沖在工作驅動(dòng)器關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生振鈴,應最大限度地減小 MOSFET 源極和 C/Q 驅動(dòng)器輸出之間的寄生電感。
圖 2 和圖 3 示出了單個(gè)支持 SIO+ 模式的端口驅動(dòng)一個(gè)阻性負載、同時(shí)工作于 SIO+ 或正常 IO-Link 模式時(shí)的工作波形。電源電壓為 24V,阻性負載分別為 56Ω 和 200Ω。
結論
LTC2874 工作于 SIO+ 模式任意大的電流可以通過(guò)把熱插拔通道改用作較高電流 SIO 驅動(dòng)器來(lái)獲得。
(來(lái)源:電子創(chuàng )新網(wǎng),作者:Eric Benedict)