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為反向極性保護設計一個(gè)電路

發(fā)布時(shí)間:2021-05-11 責任編輯:wenwei

【導讀】反向極性解決方案被看成是一個(gè)迫不得已、不得不做的事情。例如,在汽車(chē)系統中,搭線(xiàn)啟動(dòng)期間,防止電池反接或者電纜反向連接很重要,然而系統設計人員也必須忍受反向極性保護出現時(shí)的功率損耗。通常情況下,一提到防止反向極性情況,工程師的腦海中首先想到的就是二極管。
 
你是不是覺(jué)得有些奇怪,孩子的玩具在裝上電池后不工作,但是當你把電池的方向調過(guò)來(lái)后,玩具突然就好了?嗯,這就是反向極性電路起到的作用,一個(gè)簡(jiǎn)單的二極管就能使你的孩子開(kāi)心一整天。
 
現在,我們?yōu)槭裁床荒軐⒁粋€(gè)二極管用于需要反向極性保護的所有應用呢?傳統二極管上有0.7V的壓降,而二極管上的功率損耗為V x I。想象一個(gè)要求5A電源的應用。如果使用一個(gè)肖特基二極管,那么功率損耗大約為3.5W。除了功率耗散,電路中的可用電壓為電源電壓減去二極管壓降。
 
在工業(yè)和汽車(chē)應用中,大多數前端接口要求反向極性保護,而這一保護功能通常由二極管或MOSFET提供。由于它不需要電荷泵,p通道MOSFET一直用于高電流應用。然而,p通道MOSFET的Rds(on) 在低輸入電壓時(shí)變得過(guò)高,并且它不能防止反向電流流回到輸入端。為了減少靜態(tài)電流,它還需要額外的電路和信號將其關(guān)閉。我們在隨后會(huì )討論p通道MOSFET在使用時(shí)的其它弊端。
 
那么我們該如何使用一個(gè)簡(jiǎn)單的n通道MOSFET,并確保我們無(wú)需任何的額外電路,而且要使其運行方式與一個(gè)二極管的運行方式完全一樣,而又不產(chǎn)生功率損耗呢?
 
這時(shí)就有一個(gè)智能二極管控制器出現在我們面前,即LM74610-Q1。由于汽車(chē)中的很多電子控制模塊直接連接至汽車(chē)電池,所以這款器件在汽車(chē)應用中越來(lái)越受到歡迎。任何一個(gè)連接至電池的模塊需要受到反向電壓保護,而反向電壓是與錯誤搭線(xiàn)啟動(dòng)過(guò)程相關(guān)的常見(jiàn)問(wèn)題。圖1中顯示的是一個(gè)針對汽車(chē)前端系統的應用電路。LM74610-Q1智能二極管控制器,連同一個(gè)n通道MOSFET和電荷泵電容器,組成了智能二極管解決方案。
 
為反向極性保護設計一個(gè)電路
圖1:LM74610-Q1智能二極管控制器和n通道MOSFET的典型用例。
 
對于那些具有低電流要求的模塊來(lái)說(shuō),二極管也許更加實(shí)用,而對于所需電流大于2-3A的模塊,大多數設計人員將使用一個(gè)p通道MOSFET來(lái)在反向電壓情況出現時(shí)提供保護功能。然而,這樣的控制電路比較復雜,并且高電流p通道MOSFET也比較昂貴,并且會(huì )增加總體系統成本。P通道MOSFET常見(jiàn)的Rds(on) 會(huì )在低輸入電壓時(shí)急劇上升,而這一情況在啟停應用中很常見(jiàn)。如圖2所示,實(shí)驗室測試已經(jīng)證明,在低輸入電壓時(shí),p通道MOSFET具有比肖特基二極管更低的熱性能。P通道MOSFET也沒(méi)有反向電流切斷,從而在電壓中斷、熱啟動(dòng)、冷啟動(dòng)和啟停情況等典型汽車(chē)條件導致的任何輸入下降期間,攫取大量的電容器電壓。
 
為反向極性保護設計一個(gè)電路
圖2:智能二極管控制器(加上n通道MOSFET)與p通道MOSFET的性能比較圖。
 
ORing應用也需要二極管或MOSFET。汽車(chē)領(lǐng)域最近的一個(gè)趨勢就是使用冗余電池連接—通常為兩條已安裝保險裝置的電源路徑—將這兩條電源路徑置于針對安全關(guān)鍵應用的模塊之中。緊急呼叫系統 (E-call) 盒子包含用于正常運行的汽車(chē)電池的冗余電源,以及一個(gè)備用應急電池,以應對主電池連接脫離的情況。
 
低電流模塊通常將二極管用于ORing。高電流ORing應用需要更加復雜的電路,其中具有很多相關(guān)的分立式組件和大型多引腳封裝。汽車(chē)和工業(yè)應用很重視可靠性,從而使設計人員盡可能地減少組件和引腳數量,以降低故障率。
 
在需要低靜態(tài)電流流耗的應用中,針對輸入保護的以接地為基準的設計方案并不那么實(shí)用。汽車(chē)排放標準和車(chē)輛中數量越來(lái)越多的電子模塊已經(jīng)對關(guān)閉和接通狀態(tài)下的電流提出了更加嚴格的預算要求。通常情況下,每個(gè)電子模塊的關(guān)閉狀態(tài)可以低至100µA。這也是我們在把汽車(chē)停在機場(chǎng)長(cháng)達2個(gè)星期之后仍然能夠啟動(dòng)車(chē)輛的原因。
 
LM74610-Q1,連同一個(gè)n通道MOSFET能夠更好地滿(mǎn)足低靜態(tài)電流的要求。它提供與二極管相類(lèi)似的反向極性保護,以及在正常極性條件下,類(lèi)似于MOSFET的性能。由于這個(gè)器件無(wú)需任何控制信號,LM76410-Q1模擬一個(gè)雙端子器件,并且不是以接地為基準的。
 
這個(gè)不以接地為基準的主要優(yōu)勢在與,LM76410-Q1消耗的靜態(tài)電流為零。當施加反向電壓時(shí),MOSFET的體二極管并未接通,所以它也不會(huì )接通LM74610-Q1。當施加一個(gè)正常的極性電壓時(shí),這個(gè)體二極管導電,內部電荷泵電路以二極管的電壓?jiǎn)?dòng),并且生成使MOSFET接通的電壓。MOSFET定期(在1%的占空比時(shí))關(guān)閉,以重新裝滿(mǎn)電荷泵。一個(gè)受保護電路將在98%占空比上,以固定的時(shí)間間隔出現一個(gè)0.6V的壓降。在將一個(gè)2.2µF電容器用作電荷泵電容器時(shí),MOSFET每隔2.6s一次性關(guān)閉大約50ms。圖3顯示的是LM74610-Q1的方框圖。
 
為反向極性保護設計一個(gè)電路
圖3:LM74610-Q1方框圖
 
二極管的一個(gè)固有屬性就是阻斷反向電壓,并且不讓反向電流流過(guò)。智能二極管控制器模擬了這個(gè)運行方式,并且在反向電流期間具有極快速的關(guān)閉時(shí)間(通常為2µs)。按照ISO7637,阻斷反向電壓是通過(guò)汽車(chē)應用測試的一項重要特性。ISO7637技術(shù)規格要求,在由12電源供電運行時(shí),電子模塊對于負電壓脈沖的影響要做出動(dòng)態(tài)地響應。
 
對于反向電壓的慢速響應會(huì )導致輸出在脈沖期間變?yōu)樨撝?,或者嚴重放電。如果輸出變?yōu)樨撝祷蛘唠娙萜鲊乐胤烹?,那么下游電子元器件就有可能被損壞。為了防止嚴重放電,可以使用更大的大容量電容器,不過(guò)這需要更多的電路板空間,成本也會(huì )更高。實(shí)驗室測試也已經(jīng)證明,智能二極管控制器要比一個(gè)p通道MOSFET的結構快很多。圖4顯示的是對于反向極性的快速操作相應,并且如圖5所示,由于使用了一個(gè)小型4.7uF輸出電容器,它能夠滿(mǎn)足ISO7637脈沖1的要求。
 
為反向極性保護設計一個(gè)電路
圖4:LM74610-Q1對于反向電壓的響應時(shí)間。
 
為反向極性保護設計一個(gè)電路
圖5:智能二極管控制器解決方案—采用4.7uF輸出電容器時(shí)的ISO脈沖1。
 
為反向極性保護設計一個(gè)電路
圖6:針對智能二極管實(shí)現方式的小外形尺寸 (8mm x 12mm)。
 
LM74610-Q1智能二極管控制器和一個(gè)n通道MOSFET組合在一起,形成了一個(gè)高效的汽車(chē)和工業(yè)前端反向極性結構,并且能夠從低電流擴展至非常高的電流。圖6顯示的是可以實(shí)現的,用于100W解決方案的小外形尺寸 (117mm2),它的尺寸大約為D2PAK二極管尺寸(180mm2)的60%。
 
其它資源:
 
●    在你的下一個(gè)設計中考慮使用LM74610-Q1智能二極管控制器。
●    使用LM74610-Q1 SPICE模型來(lái)分析你的智能二極管控制器設計。
●    下載一個(gè)參考設計,并且加快產(chǎn)品的上市時(shí)間:
      ○ 針對具有所需汽車(chē)保護功能的30W ADAS系統的系統級參考設計
      ○ 針對具有所需汽車(chē)保護功能的20W ADAS系統的系統級參考設計
      ○ 針對基于低功耗TDA3x的系統的汽車(chē)電源參考設計
      ○ 完整的前端汽車(chē)類(lèi)反向極性和串聯(lián)故障保護參考設計
 
 
免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
 
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