【導讀】IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應用，低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，能提供行業(yè)領(lǐng)先效率，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò )通訊設備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng )新功率MOSFET系列，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò )通訊設備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
圖1：IR推出25V FastIRFET創(chuàng )新功率MOSFET系列
全新FastIRFET系列配備IR新一代硅技術(shù)，采用符合行業(yè)標準的PQFN封裝，為分立式DC-DC轉換器提供基準功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，以及旨在降低鳴震和進(jìn)一步提升系統效率的IRFH4210D和IRFH4213D單片式FETKY組件。
IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“這款先進(jìn)的25V FastIRFET MOSFET為高性能分立式DC-DC開(kāi)關(guān)應用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些器件與IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和電源模塊平臺相輔相成，為設計人員提供一系列高性能DC-DC轉換器。”
IR FastIRFET器件為5V柵極驅動(dòng)應用作出優(yōu)化，可與各種控制器或驅動(dòng)器共同操作，從而使設計更靈活，并且以小占位面積實(shí)現高電流、效率和頻率。新器件采用符合行業(yè)標準的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝，環(huán)保物料清單不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS)。
規格
產(chǎn)品現正接受批量訂單，相關(guān)數據請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com/。
