絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET與GTR的復合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱溫度性好的優(yōu)點(diǎn)，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項優(yōu)點(diǎn)．是取代GTR的理想開(kāi)關(guān)器件。IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件，廣泛應用于各類(lèi)固態(tài)電源中。

IGBT的工作狀態(tài)直接影響整機的性能，所以合理的驅動(dòng)電路對整機顯得很重要，但是如果控制不當，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過(guò)流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅動(dòng)和短路保護問(wèn)題，就其工作原理進(jìn)行分析，設計出具有過(guò)流保護功能的驅動(dòng)電路，并進(jìn)行了仿真研究。

IGBT的驅動(dòng)要求

IGBT是電壓型控制器件，為了能使IGBT安全可靠地開(kāi)通和關(guān)斷．其驅動(dòng)電路必須滿(mǎn)足以下的條件：

IGBT的柵電容比VMOSFET大得多，所以要提高其開(kāi)關(guān)速度，就要有合適的門(mén)極正反向偏置電壓和門(mén)極串聯(lián)電阻。

（1）門(mén)極電壓

任何情況下，開(kāi)通狀態(tài)的柵極驅動(dòng)電壓都不能超過(guò)參數表給出的限定值（一般為20v），最佳門(mén)極正向偏置電壓為15v土10％。這個(gè)值足夠令I(lǐng)GBT飽和導通；使導通損耗減至最小。雖然門(mén)極電壓為零就可使IGBT處于截止狀態(tài)，但是為了減小關(guān)斷時(shí)間，提高IGBT的耐壓、dv／dt耐量和抗干擾能力，一般在使IGBT處于阻斷狀態(tài)時(shí)．可在門(mén)極與源極之間加一個(gè)-5~-15v的反向電壓。

（2）門(mén)極串聯(lián)電阻心

選擇合適的門(mén)極串聯(lián)電阻Rg對IGBT的驅動(dòng)相當重要，Rg對開(kāi)關(guān)損耗的影響見(jiàn)圖1。

圖1：Rg對開(kāi)關(guān)損耗的影響

IGBT的輸入阻抗高壓達109~1011，靜態(tài)時(shí)不需要直流電流．只需要對輸入電容進(jìn)行充放電的動(dòng)態(tài)電流。其直流增益可達108~109，幾乎不消耗功率。為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩，減少I(mǎi)GBT集電極大的電壓尖脈沖，需在柵極串聯(lián)電阻Rg，當Rg增大時(shí)，會(huì )使IGBT的通斷時(shí)間延長(cháng)，能耗增加；而減少RF又會(huì )使di／dt增高，可能損壞IGBT。因此應根據IGBT電流容量和電壓額定值及開(kāi)關(guān)頻率的不同，選擇合適的Rg，一般選心值為幾十歐姆至幾百歐姆。具體選擇Rg時(shí)．要參考器件的使用手冊。

（3）驅動(dòng)功率的要求

IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程要消耗一定的來(lái)自驅動(dòng)電源的功耗，門(mén)極正反向偏置電壓之差為△Vge，工作頻率為f，柵極電容為Cge，則電源的最少峰值電流為：


驅動(dòng)電源的平均功率為：

IGBT的過(guò)流保護

IGBT的過(guò)流保護就是當上、下橋臂直通時(shí)，電源電壓幾乎全加在了開(kāi)關(guān)管兩端，此時(shí)將產(chǎn)生很大的短路電流，IGBT飽和壓降越小，其電流就會(huì )越大，從而損壞器件。當器件發(fā)生過(guò)流時(shí)，將短路電流及其關(guān)斷時(shí)的I—V運行軌跡限制在IGBT的短路安全工作區，用在損壞器件之前，將IGBT關(guān)斷來(lái)避免開(kāi)關(guān)管的損壞。

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IGBT的驅動(dòng)和過(guò)流保護電路分析

根據以上的分析．本設計提出了一個(gè)具有過(guò)流保護功能的光耦隔離的IGBT驅動(dòng)電路，如圖2。

圖2：IGBT驅動(dòng)和過(guò)流保護電路

圖2中，高速光耦6N137實(shí)現輸入輸出信號的電氣隔離，能夠達到很好的電氣隔離，適合高頻應用場(chǎng)合。驅動(dòng)主電路采用推挽輸出方式，有效地降低了驅動(dòng)電路的輸出阻抗，提高了驅動(dòng)能力，使之適合于大功率IGBT的驅動(dòng)，過(guò)流保護電路運用退集電極飽和原理，在發(fā)生過(guò)流時(shí)及時(shí)的關(guān)斷IGBT，其中V1．V3．V4構成驅動(dòng)脈沖放大電路。V1和R5構成一個(gè)射極跟隨器，該射極跟隨器提供了一個(gè)快速的電流源，減少了功率管的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間。利用集電極退飽和原理，D1、R6、R7和V2構成短路信號檢測電路．其中D1采用快速恢復二極管，為了防止IGBT關(guān)斷時(shí)其集電極上的高電壓竄入驅動(dòng)電路。為了防止靜電使功率器件誤導通，在柵源之間并接雙向穩壓管D3和D4。如是IGBT的門(mén)極串聯(lián)電阻。

正常工作時(shí)：

當控制電路送來(lái)高電平信號時(shí)，光耦6N137導通，V1、V2截止，V3導通而V4截止，該驅動(dòng)電路向IBGT提供+15V的驅動(dòng)開(kāi)啟電壓，使IGBT開(kāi)通。

當控制電路送來(lái)低電平信號時(shí)，光耦6N137截至，VI、V2導通。V4導通而v3截止，該驅動(dòng)電路向IBGT提供-5v的電壓，使IGBT關(guān)閉。

當過(guò)流時(shí)：

當電路出現短路故障時(shí)，上、下橋直通此時(shí)+15V的電壓幾乎全加在IGBT上．產(chǎn)生很大的電流，此時(shí)在短路信號檢測電路中v2截止，A點(diǎn)的電位取決于D1、R6、R7和Vces的分壓決定，當主電路正常工作時(shí)，且IGBT導通時(shí)，A點(diǎn)保持低電平，從而低于B點(diǎn)電位。所有A1輸出低電平，此時(shí)V5截止，而c點(diǎn)為高電平，所以正常工作時(shí)。輸入到光耦6N137的信號始終和輸出保持一致。當發(fā)生過(guò)流時(shí)，IGBT集電極退飽和，A點(diǎn)電位升高，當高于B電位（即是所設置的電位）時(shí)，即是當電流超過(guò)設計定值時(shí)，A1翻轉而輸出高電平，V5導通，從而將C點(diǎn)的電位箝在低電位狀態(tài)，使與門(mén)4081始終輸出低電平，即無(wú)論控制電路送來(lái)是高電平或是低電平，輸人到光耦6N137的信號始終都是低電平，從而關(guān)斷功率管。從而達到過(guò)流保護。直到將電路的故障排除后，重新啟動(dòng)電路。

仿真與實(shí)驗

本設計電路在orCAD軟件的仿真圖形如下：

向驅動(dòng)電路輸入，高電平為+15v，低電平為-5v的方波信號。IGBT的輸出波形如圖3所示：

圖3：IGBT輸出信號

根據前面的原理和分析，該電路的實(shí)際電路輸出波形如圖4所示：

圖4：實(shí)際電路輸出波形