日前，泰科電子最新推出的一款保護器件以及有關(guān)USB 3.0在過(guò)流、過(guò)壓和ESD保護方面面臨的問(wèn)題。新器件femtoSMDC016F是0603尺寸的PolySwitch器件，其占板面積不到上一代器件的一半，并且有助于保護敏感電子電路免受過(guò)流及過(guò)溫事故的損壞。該器件具有快速動(dòng)作時(shí)間和可復位功能。femtoSMDC016F器件比其他的表面貼裝器件占板面積都要小，測量尺寸僅為1.6mm x 0.8mm x 0.5mm，提高了空間設計靈活性。該器件的額定工作電壓為9V，可提供一個(gè)0.16A的維持電流，以及一個(gè)40A的最大故障電流和4.2歐姆的最大阻抗。董強調，對于PTC材料而言，0603尺寸已是目前業(yè)界最小產(chǎn)品，由于采用鎳-錫封裝，femtoSMDC016F器件可焊性極佳。

較之USB 2.0，USB 3.0新增了一條采用新版USB協(xié)議的對偶單純型數據通路的物理總線(xiàn)。董表示，USB 3.0電流傳輸能力的提高對電路保護提出更高的要求，而協(xié)同電路保護手段將有助于過(guò)流、過(guò)壓和ESD瞬態(tài)受損的保護。他指出，USB 3.0通過(guò)標準主控設備(A型連接器)和新型供電設備(Powered-B連接器)供電。新的SuperSpeed規范提高了流向USB設備的電流大小，從最大額定電流0.5 A提高至0.9 A。Powered-B連接器可以通過(guò)從兩個(gè)額外連接器輸送最高1.0 A的電流來(lái)對設備充電。由于過(guò)流條件會(huì )影響電源總線(xiàn)，因此所有功率源(如主機和集線(xiàn)器)都需要進(jìn)行過(guò)流保護。

“USB3.0的單裝置負載從USB 2.0的100 mA提高至150 mA。一臺電子設備最多可以拖動(dòng)6臺裝置，”董說(shuō)，“這意味著(zhù)標準連接器和微型連接器每端口最高可至900 mA。”標準USB 2.0連接器應用在USB 3.0中仍然不變，但USB 3.0將不再通過(guò)總線(xiàn)供電，而只能通過(guò)自有電源供電。由于需要一個(gè)插孔端口對USB 3.0集線(xiàn)器應用中的所有連接器供電，因此該插孔上需要使用電路保護器件防止因過(guò)壓事件受損。“在VBUS上安裝泰科電子PolyZen器件以及在該器件端口上安裝六個(gè)小電容PESD器件，可以幫助實(shí)現協(xié)同的過(guò)流/過(guò)壓保護，”董說(shuō),“此外，對于支持USB充電的系統還需要具有大電流能力的過(guò)流保護器件。PolySwitch聚合正溫度系數(PPTC)器件可以提供過(guò)流保護，有助于防止因設備下游側突然短路而造成的過(guò)流損傷并降低各種USB應用中需要的功率損耗。”

除了過(guò)流保護，USB 3.0對過(guò)壓和ESD保護的要求也更高。針對傳統0.5 A端口設計的USB過(guò)壓保護器件不適合每端口0.9 A的USB規范。如果一臺0.9 A主機斷開(kāi)，將產(chǎn)生高感應電壓尖峰，這會(huì )對仍然留在總線(xiàn)上的設備造成負面影響。雖然典型USB電源具有5V和±5%的穩壓線(xiàn)路，但在特殊情況下，這些線(xiàn)路上的電壓也可能大大超過(guò)5.25 V，接口和充電系統也會(huì )產(chǎn)生負電壓，導致未采取保護措施的外圍設備受損。

“過(guò)壓瞬態(tài)往往是ESD造成的，電源總線(xiàn)和數據總線(xiàn)上都可能出現。盡管現代集成電路可以抵御最高2000 V的電壓，但人體本身卻能聚集高達25000 V的靜電。I/O端口保護中，數據線(xiàn)上需要具有快速鉗位和恢復響應的極低電容ESD器件，”董說(shuō)。另外，根據泰科電子的內部檢測，熱插拔引起的瞬態(tài)，盡管時(shí)間很短，但電壓幅度卻可能超過(guò)16V~24V。在所有USB受電設備，尤其是VBUS端口上安裝過(guò)壓保護器件可以有效防止因電壓瞬態(tài)而受損。

USB 3.0接口需要比 USB 2.0電容更低的ESD保護。增加極低電容PESD器件可以減小插入損耗，滿(mǎn)足USB 3.0的眼圖要求。董表示，與多數傳統 MLV(多層變阻器 )或TVS(瞬態(tài)電壓抑制 )二極管技術(shù)相比， PESD器件具有更低的電容，而其低觸發(fā)電壓和低箝位電壓也有助于保護敏感電子元件。PESD適用于 USB2.0的高速 D+和D-信號線(xiàn)和 USB 3.0的SuperSpeed信號線(xiàn)。