- 靜電釋放的危害和ESD保護的重要性
- 相對于MLV，TVS在ESD保護方面的比較優(yōu)勢
- TVS采用硅芯片技術(shù)，可以得到比MLV更小的元件封裝尺寸
- TVS有更低的箝制電壓、更低的漏電以及更快的響應速度
- TVS比MLV的壽命長(cháng)，在整個(gè)產(chǎn)品有效期內性能也保持的更好
日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對于我們來(lái)說(shuō)是一種常見(jiàn)的現象，然而對電子產(chǎn)品而言，ESD往往是致命的——它可能導致元器件內部線(xiàn)路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此，ESD防護一直以來(lái)都是工程師們的工作重點(diǎn)。對于剛開(kāi)始職業(yè)生涯的電子工程師而言，在掌握專(zhuān)業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關(guān)知識的培訓，足見(jiàn)ESD防護的地位與重要性。
圖1 電子顯微鏡下IC內部損毀的照片
一般，ESD保護一般通過(guò)兩種途徑來(lái)實(shí)現，第一種方法是避免ESD的發(fā)生；第二種方法則是通過(guò)片內或片外集成內部保護電路或專(zhuān)用ESD保護器件，從而避免ESD發(fā)生后將被保護器件損壞。
避免ESD的發(fā)生
避免ESD發(fā)生的方法多出現于產(chǎn)品交付客戶(hù)以前，即研發(fā)、生產(chǎn)等過(guò)程。因為在這些階段，IC、電路板等靜電敏感器件可能裸露在外（如生產(chǎn)工過(guò)程中的SMT制程），IC因ESD而損壞的可能遠大于有外殼保護的成品。
表1 幾種不同類(lèi)型器件的靜電敏感程度
一般而言，避免ESD的方法可分為以下幾類(lèi)：
- Surround（包圍）：靜電敏感元器件都以抗靜電材料包裝，或使用有蓋的抗靜電容器儲放；而在靜電敏感區域（如SMT制程）工作的人員，則還要穿著(zhù)靜電服。
- Ground（接地）：將工作環(huán)境中的人員及設備通過(guò)不同的地線(xiàn)接地；
- Impound（排除）：排除所有工作區域內的非抗靜電材質(zhì)；此外，可在對靜電極為敏感工作站位增加離子風(fēng)扇以中和產(chǎn)品表面所帶靜電。
圖2 使用離子風(fēng)扇并將靜電桌布接地以避免ESD
另一方面，濕度亦是一個(gè)重要的考量因素。適宜的濕度可降低ESD發(fā)生的機率。（見(jiàn)表2）這也是電子制造廠(chǎng)為何多在南方建廠(chǎng)的原因之一。
表2 濕度對于ESD的影響
ESD保護器件與保護電路
雖然上述避免ESD發(fā)生的方法有著(zhù)很理想的效果，不過(guò)對于終端用戶(hù)顯然不太適合——舉例來(lái)說(shuō)，我們不可能在使用手機之前先戴上靜電手環(huán)，通話(huà)結束后將手機放到靜電袋中以避免ESD。事實(shí)上，由于用戶(hù)鮮有機會(huì )接觸到產(chǎn)品內部的元器件及電路板，因此也不需要如此嚴格的ESD防護措施，但這并不意味著(zhù)ESD的問(wèn)題不存在——首先，ESD可以輸入/輸出連接器(如USB接口、充電器接口、SIM卡插槽等)為路徑進(jìn)入電路中的各種元件；其次，隨著(zhù)電子產(chǎn)品，特別是消費電子產(chǎn)品向著(zhù)輕薄化發(fā)展，導致內部IC的外形尺寸不斷減小，其自身ESD防護能力亦不斷減弱。所以，工程師在設計時(shí)通常加入ESD保護器件，而很多IC內部也有片上ESD保護電路。
圖3 在用戶(hù)端，ESD可能由電子設備的各種接口進(jìn)入，并對內部芯片造成損傷
片上ESD保護電路
相信所有人都希望ESD防護能完全地集成到IC芯片內部，因為這樣會(huì )節省的板級空間，減少系統成本并降低設計與布線(xiàn)的復雜度。但從目前情況來(lái)看，前景并不樂(lè )觀(guān)。如今，IC制程工藝的進(jìn)步成了片上ESD保護的一大難題。一方面，工藝的進(jìn)步雖提升IC的性能與集成度并降低功耗與尺寸，但由于柵極氧化層厚度越來(lái)越薄，IC自身的ESD防護能力反而降低。另一方面，隨著(zhù)IC尺寸的不斷減小，由于受到空間的限制，因此保護能力有限。
圖4 隨著(zhù)IC面積的不斷減小，很難在IC中集成ESD保護電路（資料來(lái)源：安森美半導體）
ESD保護器件
由于片上ESD保護電路能力有限，為保證整個(gè)系統有較好的ESD防護能力，外部ESD保護器件是必不可少的。比較常見(jiàn)的有陶瓷電容、齊納二極管、肖特基二極管、MLV(Multi-Layer Varistor，多層變阻器)和TVS（Transient Voltage Suppresser瞬態(tài)電壓抑制器）。
MLV是一種基于ZnO壓敏陶瓷材料，采用特殊的制造和處理工藝而制得的高性能電路保護元件，其伏安特性符合I=kVa，能夠為受保護電路提供雙向瞬態(tài)過(guò)壓保護。MLV的工作原理是利用壓敏電阻的非線(xiàn)性特性，當過(guò)電壓出現在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對固定的電壓值，從而實(shí)現對后級電路的保護。目前，MLV在很多領(lǐng)域得到了廣泛的應用，如手機、機頂盒、復印機等等。
圖5 MLV的內部結構示意圖
電子產(chǎn)品輕薄化的發(fā)展趨勢使其對ESD防護要求越來(lái)越高，MLV漸漸有些力不從心，TVS二極管則開(kāi)始嶄露頭角。TVS通常并聯(lián)于被保護電路，當瞬態(tài)電壓超過(guò)電路的正常工作電壓時(shí)，二極管發(fā)生雪崩，為瞬態(tài)電流提供通路，使內部電路免遭超額電壓的擊穿或超額電流的過(guò)熱燒毀。當瞬時(shí)脈沖結束以后，TVS二極管自動(dòng)回復高阻狀態(tài)，整個(gè)回路進(jìn)入正常電壓。由于TVS二極管的結面積較大，使得它具有泄放瞬態(tài)大電流的優(yōu)點(diǎn)，具有理想的保護作用。 改進(jìn)后的TVS二極管還具有適應低壓電路（＜5 V）的特點(diǎn)，且封裝集成度高，適用于在印制電路板面積緊張的情況下使用。
圖6 TVS二極管結構與特征電流
與MLV相比，不難看出TVS有如下優(yōu)勢：
體積：MLV的性能完全由其內部材質(zhì)決定，因此很難在減小尺寸的同時(shí)保持或提高性能，封裝尺寸從0402到1206。而TVS采用硅芯片技術(shù)，可以得到比MLV更小的元件封裝尺寸（如圖7所示）。
圖7 TVS元件與0402封裝可變電阻尺寸比較，藍色為建議焊接面積 （資料來(lái)源：安森美半導體）
性能：TVS有更低的箝制電壓、更低的漏電以及更快的響應速度（如圖8所示）
圖8 TVS有著(zhù)更低的鉗制電壓
壽命：由于工作原理不同，TVS與MLV的壽命也不盡相同。安森美半導體亞太區市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁麥滿(mǎn)權做了一個(gè)形象的比喻：“TVS的原理就好像太極，把接收到的能量快速的轉移到接地端，所以它的壽命幾乎就是無(wú)限的。而可變電阻就好像一個(gè)人在不停的挨打，它把能量都由自己來(lái)承受吸收，因此，壽命是有限的，而且隨使用時(shí)間的增加，性能會(huì )慢慢下降。”
結語(yǔ)
ESD是一個(gè)“看似很小的大問(wèn)題”，一個(gè)產(chǎn)品ESD防護的好壞直接影響到該產(chǎn)品的良品率及壽命?？蒲腥藛T對ESD防護的研究從未停止過(guò)，相信在不久的未來(lái)，會(huì )有更好的材料、更新的技術(shù)來(lái)幫助我們應對ESD所帶來(lái)的困擾。
