在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì )影響器件的特性。SiC缺陷的主要類(lèi)型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯的密度約為103～10?長(cháng)達個(gè)/cm2。至今，與Si相比，SiC的缺陷密度仍然較大。

微管被認為是位移非常大的螺旋位錯，中心存在空洞。此外，碳夾雜物是在塊狀晶體生長(cháng)過(guò)程中嵌入的碳塵異物，是高密度位錯的來(lái)源。這些對器件來(lái)說(shuō)是致命的缺陷。

圖1顯示了通過(guò)熔融KOH對8°偏角（0001）4H-SiC襯底的表面進(jìn)行蝕刻，在晶體缺陷部分形成凹坑的顯微鏡照片。位錯線(xiàn)在垂直于表面的方向上延伸，反映了晶體的對稱(chēng)性，蝕刻后出現六角形的凹坑。另一方面，基面位錯在（0001）面（與表面平行的方向），位錯線(xiàn)朝不同方向延伸，形成的凹坑呈橢圓形。在螺旋位錯中存在多個(gè)晶體偏移大小不同的位錯。晶體偏移較大的螺旋位錯和混合位錯會(huì )在器件中產(chǎn)生漏電流。對于小型位錯，大多數不會(huì )影響器件性能。

圖1：通過(guò)熔融KOH，在SiC襯底表面形成蝕刻凹坑的照片

仔細觀(guān)察基面位錯的結構，可以發(fā)現它具有被兩個(gè)部分位錯（Shockley部分位錯）包圍的線(xiàn)性結構。關(guān)于基面位錯，當雙極性電流流過(guò)SiC器件時(shí)，被兩個(gè)部分位錯包圍的區域會(huì )發(fā)生堆垛層錯擴展，這是導致電阻增加等器件特性劣化的原因。

圖2解釋了當雙極電流流過(guò)時(shí)，堆垛層錯是如何擴展的。

（1）存在于SiC襯底中的基面位錯也延伸到漂移層中。

（2）當雙極性電流流過(guò)時(shí)，漂移層中的電子和空穴被基面位錯俘獲。

（3）被俘獲的電子和空穴復合并釋放能量。釋放的能量導致部分位錯移動(dòng)，移動(dòng)的部分形成堆垛層錯，堆垛層錯區域進(jìn)一步俘獲電子和空穴，導致部分位錯的繼續移動(dòng)（堆垛層錯區域擴展）。形成堆垛層錯的區域起到高電阻區域的作用。

圖2：基面位錯形成堆垛層錯

在高濃度n型區域，由于電子和空穴的復合壽命較短，緩沖層或襯底的空穴密度較低。因此，堆垛層錯的擴展發(fā)生在漂移層中。此外，堆垛層錯具有晶體學(xué)上穩定的（不移動(dòng)的）邊界。因此，擴展的堆垛層錯區域多呈現出典型性的矩形或三角形。

通過(guò)適當設置外延生長(cháng)條件，可大幅減少漂移層中的基面位錯。如今的SiC外延可以通過(guò)采用適當的緩沖層，顯著(zhù)降低漂移層中基面位錯的密度。

在對SiC進(jìn)行離子注入時(shí)，會(huì )產(chǎn)生晶體缺陷。圖3、圖4展示了對SiC進(jìn)行高濃度Al離子注入后再退火的橫截面TEM（透射電子顯微鏡）圖像。從圖3中可以看出，注入Al的區域存在著(zhù)高密度因變形而看起來(lái)黑色的缺陷。即使經(jīng)過(guò)高溫退火，晶體仍未完全恢復。在圖4中，放大了缺陷部分，展示了高分辨率TEM圖像（晶格圖像）?？梢杂^(guān)察到每4層構成一個(gè)周期（周期為1納米）的結構，表明這是4H-SiC。圖中箭頭所指位置插入了一層多余的層，形成了Frank堆垛層錯。關(guān)于這一部分，已知注入的元素Al等以層狀方式聚集，形成堆垛層錯。

圖4：缺陷處的高分辨率圖像

離子注入產(chǎn)生的缺陷被認為會(huì )作為載流子的復合中心。例如，在SiC的PN二極管中，會(huì )減少存儲電荷并降低反向恢復電流。最近，也有嘗試將離子注入產(chǎn)生的缺陷用作抑制SiC MOSFET體二極管特性劣化的方法。

文章來(lái)源：三菱電機半導體