【導讀】MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線(xiàn)路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
前言
MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線(xiàn)路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
其中，在將開(kāi)關(guān)元件上下串聯(lián)連接的橋式結構中，通常交替地導通與關(guān)斷各個(gè)元器件。下面是常規的橋式結構同步方式boost電路，波形圖是根據柵極信號交替地導通/關(guān)斷的低邊（LS）MOSFET和高邊（HS）MOSFET的漏極－源極間電壓（VDS）和漏極電流（ID）示例。
通過(guò)開(kāi)關(guān)工作，流過(guò)各元件的電流和變化的電壓以復雜的方式相互影響。尤其是在處理高電壓高電流的電路中，受安裝電路板和結線(xiàn)引起的寄生分量等影響，產(chǎn)生電壓和電流的動(dòng)作，并因此導致工作不穩定、效率下降，從而可能導致?lián)p耗增加、產(chǎn)生異常發(fā)熱等問(wèn)題。
近年來(lái)，SiC MOSFET等高性能功率元器件的應用，使得通過(guò)高速開(kāi)關(guān)轉換大功率成為可能，但在操作過(guò)程中，需要對開(kāi)關(guān)工作有深入的了解。在該系列文章中，我們將著(zhù)眼于MOSFET橋式結構中的各MOSFET的柵極－源極間電壓的動(dòng)作，以簡(jiǎn)單的同步方式boost電路為例，對以下內容進(jìn)行探討：
?MOSFET的橋式結構與同步方式boost電路
?柵極驅動(dòng)電路與導通/關(guān)斷工作
?因dVDS/dt、dID/dt而產(chǎn)生的電流和電壓
?導通時(shí)柵極信號的動(dòng)作
?關(guān)斷時(shí)柵極信號的動(dòng)作
（來(lái)源：Rohm）
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